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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TPR1000 | 494-TPR1000 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 无库存 | 25：¥4,100.1831 | 最低： 25 倍数： 1 | ||
 | UTV080 | 494-UTV080新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 无库存 | 25：¥1,952.0631 50：¥1,818.2034 | 最低： 25 倍数： 1 | ||
 | PTAC210802FCV1XWSA1 | 726-PTAC210802FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BLF184XRSU | 771-BLF184XRSU新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,053.3276 5：¥1,032.5952 10：¥984.4848 25：¥963.7524 100：¥915.5601 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | AFT09H310-03SR6 | 841-AFT09H310-03SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ310W NI1230S-4S | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,025.7156 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | MD7IC2012GNR1 | 841-MD7IC2012GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ12W TO270WB14G | 数据表 | 无库存 | 500：¥314.0046 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | CFY2520PSAMZZZA1 | 726-CFY2520PSAMZZZA1新产品 | Infineon Technologies | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | AGR09030EF | 974-AGR09030EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥504.8667 10：¥420.7203 25：¥378.6471 50：¥336.5739 100：¥302.913 200：¥235.6029 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | 2N3819 | 610-2N3819新产品 | Central Semiconductor | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK | 数据表 | 无库存 | 1：¥6.5754 10：¥5.6979 100：¥3.9546 1,000：¥2.9367 2,500：¥2.4804 10,000：¥2.3985 25,000：¥2.2932 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MAX2601ESA+T | 700-MAX2601ESAT新产品 | Maxim Integrated | 射频(RF)双极晶体管 3.6V 1W RF Pwr Trans for 900MHz Ap | 数据表 | 无库存 | 2,500：¥19.89 | 最低： 2500 倍数： 2500 | 详细信息 |
 | MMRF1013HR5 | 841-MMRF1013HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,603.0394 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PXAC180602MDV1R500XUMA1 | 726-AC180602MDV1R500新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 500：¥220.4631 | 最低： 500 倍数： 500 | |
 | BF904WR,115 | 771-BF904WR115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.8961 10：¥3.2409 100：¥1.9773 1,000：¥1.521 3,000：¥1.2987 9,000：¥1.2051 24,000：¥1.14777 45,000：¥1.12437 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 1517-110M | 494-1517-110M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 10：¥2,640.7485 | 最低： 10 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD20010S-E | 511-PD20010S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 400：¥102.5739 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | BLF2425M8LS140J | 771-BLF2425M8LS140J新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥869.8248 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | SD2931-15W | 511-SD2931-15W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 无库存 | 1：¥492.2424 5：¥481.2327 10：¥462.4074 25：¥447.4899 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | PTFB212503FLV2R250XTMA1 | 726-PTFB212503FLV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥646.3782 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | AFT09MS007NT1 | 841-AFT09MS007NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W | 数据表 | 2510 有库存 | 1：¥34.4214 10：¥31.5198 25：¥28.6884 100：¥25.7751 250：¥23.634 500：¥21.4929 1,000：¥19.3518 2,000：¥18.8955 5,000：¥17.901 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | AFT26HW050SR3 | 841-AFT26HW050SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHz 50W NI780-4S4 | 数据表 | 无库存 | 250：¥487.8783 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFP650FH6327XTSA1 | 726-BFP650FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 7375 有库存 | 1：¥4.1301 10：¥3.4047 100：¥2.0826 1,000：¥1.6029 3,000：¥1.3689 9,000：¥1.2753 24,000：¥1.2051 45,000：¥1.1817 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2023-2-10 | 772-TGF2023-2-10新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | PH1090-75L | 937-PH1090-75L新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 5 有库存 | 1：¥1,625.5161 | 最低： 1 倍数： 1 |
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