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AGR09030EF

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樊伊零件编号：

AGR09030EF

制造商零件编号：

974-AGR09030EF

制造商:

Advanced Semiconductor, Inc.

说明：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor

寿命周期:

新产品: 此制造商的新产品。

规格

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制造商:

Advanced Semiconductor, Inc.

产品种类:

射频晶体管

RoHS:

晶体管极性

N-Channel

Id-连续漏极电流

4.25 A

Vds-漏源极击穿电压

65 V

技术

Si

最小工作温度

- 65 C

最大工作温度

+ 200 C

封装

Tray

配置

Single

工作频率

895 MHz

类型

RF Power MOSFET

商标

Advanced Semiconductor, Inc.

Pd-功率耗散

80 W

Vgs - 栅极-源极电压

15 V

Vgs th-栅源极阈值电压

5 V

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