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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PH3134-55L | 937-PH3134-55L 新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 最低： 10 倍数： 1 | ||
 | PTAC260302FCV1XWSA1 | 726-PTAC260302FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | AFT09S220-02NR3 | 841-AFT09S220-02NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 900MHz 30W OM780-2L | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 |  详细信息 | |
 | PTFA091201EV4R250XTMA1 | 726-PTFA091201EV4R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | BAS40T1SAMB4SA1 | 726-BAS40T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BLF2425M9LS30U | 771-BLF2425M9LS30U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| BLC8G22LS-450AVZ | 771-BLC8G22LS-450AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 | |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BFP 182R E7764 | 726-BFP182RE7764新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 最低： 9000 倍数： 3000 | 详细信息 | |
 | MAPR-002729-170M00 | 937-MAPR002729170M00新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 2.7-2.9GHz Gain8.5dB 170W VSWR: 2.1 | 数据表 | 4 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | NESG3032M14-EVNF24 | 551-NESG3032M14-EVNF新产品 | CEL | 射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp and Oscillator | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | TCS800 | 494-TCS800新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 无库存 | 最低： 25 倍数： 1 | |||
 | PD84006-E | 511-PD84006-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic | 数据表 | 400 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | AFT26P100-4WSR3 | 841-AFT26P100-4WSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF7 2.6GHZ 100W NI780S-6 | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | MRF587 | 974-MRF587新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 56 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PD57002-E | 511-PD57002-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PD57006TR-E | 511-PD57006TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 | |
 | MRF171 | 974-MRF171新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 10 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PXAC261002FCV1XWSA1 | 726-PXAC261002FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | ||
 | QPD1823 | 772-QPD1823新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | PH3134-20L | 937-PH3134-20L新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 最低： 10 倍数： 10 | ||
 | BF888H6327XTSA1 | 726-BF888H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | RFM08U9X(TE12L,Q) | 757-RFM08U9XTE12LQ新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 5A 20W 36V | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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