图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | 供货情况 | 单价(含17%增值税) | 数量 | RoHS | |
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PH3134-55L | 937-PH3134-55L新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 10:¥2,325.8196 | 最低: 10 倍数: 1 | ||
PTAC260302FCV1XWSA1 | 726-PTAC260302FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | |||
AFT09S220-02NR3 | 841-AFT09S220-02NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 900MHz 30W OM780-2L | 数据表 | 无库存 | 250:¥819.0234 | 最低: 250 倍数: 250 | 详细信息 | |
PTFA091201EV4R250XTMA1 | 726-PTFA091201EV4R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 250:¥396.63 | 最低: 250 倍数: 250 | 详细信息 | |
BAS40T1SAMB4SA1 | 726-BAS40T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ||||
BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | |||
BLF2425M9LS30U | 771-BLF2425M9LS30U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 1:¥509.9094 5:¥500.5845 10:¥487.656 25:¥478.0971 100:¥443.0556 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
BLC8G22LS-450AVZ | 771-BLC8G22LS-450AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 60:¥1,213.9686 | 最低: 60 倍数: 60 | 详细信息 | |
BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | |||
BFP 182R E7764 | 726-BFP182RE7764新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 9,000:¥0.84123 24,000:¥0.7722 48,000:¥0.74178 99,000:¥0.71136 | 最低: 9000 倍数: 3000 | 详细信息 | |
MAPR-002729-170M00 | 937-MAPR002729170M00新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 2.7-2.9GHz Gain8.5dB 170W VSWR: 2.1 | 数据表 | 4 有库存 | 1:¥3,631.0482 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
NESG3032M14-EVNF24 | 551-NESG3032M14-EVNF新产品 | CEL | 射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp and Oscillator | 数据表 | 无库存 | 1:¥1,051.8066 | 最低: 1 倍数: 1 | ||
TCS800 | 494-TCS800新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 无库存 | 25:¥4,460.5548 | 最低: 25 倍数: 1 | |||
PD84006-E | 511-PD84006-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic | 数据表 | 400 有库存 | 1:¥115.5024 10:¥106.1775 25:¥101.8134 100:¥89.6571 250:¥85.293 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
AFT26P100-4WSR3 | 841-AFT26P100-4WSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF7 2.6GHZ 100W NI780S-6 | 数据表 | 无库存 | 250:¥949.9815 | 最低: 250 倍数: 250 | 详细信息 | |
MRF587 | 974-MRF587新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 56 有库存 | 1:¥596.6532 10:¥497.2149 25:¥447.4899 50:¥397.7766 100:¥357.9966 200:¥278.4366 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
PD57002-E | 511-PD57002-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1:¥81.1629 10:¥74.5875 25:¥71.5221 100:¥63.0279 250:¥59.8923 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
PD57006TR-E | 511-PD57006TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 600:¥85.5153 | 最低: 600 倍数: 600 | 详细信息 | |
MRF171 | 974-MRF171新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 10 有库存 | 1:¥351.8775 10:¥305.5923 25:¥287.235 50:¥266.5845 100:¥252.7434 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
PXAC261002FCV1XWSA1 | 726-PXAC261002FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50:¥567.9765 100:¥526.4415 | 最低: 50 倍数: 50 | ||
QPD1823 | 772-QPD1823新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V | 数据表 | 无库存 | 250:¥628.7814 | 最低: 250 倍数: 250 | 详细信息 | |
PH3134-20L | 937-PH3134-20L新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 10:¥2,051.127 | 最低: 10 倍数: 10 | ||
BF888H6327XTSA1 | 726-BF888H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1:¥4.0599 10:¥3.2994 100:¥2.0124 1,000:¥1.5561 3,000:¥1.3338 9,000:¥1.2402 24,000:¥1.17 45,000:¥1.14777 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 | |
RFM08U9X(TE12L,Q) | 757-RFM08U9XTE12LQ新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 5A 20W 36V | 数据表 | 无库存 | 1:¥57.3768 10:¥51.714 25:¥47.1159 100:¥42.5295 250:¥39.0897 500:¥35.568 1,000:¥31.0518 2,000:¥29.9052 | 最低: 1 倍数: 1 | 详细信息 |