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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PH3134-55L | 937-PH3134-55L 新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 10：¥2,325.8196 | 最低： 10 倍数： 1 | |
 | PTAC260302FCV1XWSA1 | 726-PTAC260302FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | AFT09S220-02NR3 | 841-AFT09S220-02NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 900MHz 30W OM780-2L | 数据表 | 无库存 | 250：¥819.0234 | 最低： 250 倍数： 250 |  详细信息 |
 | PTFA091201EV4R250XTMA1 | 726-PTFA091201EV4R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 250：¥396.63 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BLF2425M9LS30U | 771-BLF2425M9LS30U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥509.9094 5：¥500.5845 10：¥487.656 25：¥478.0971 100：¥443.0556 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BLC8G22LS-450AVZ | 771-BLC8G22LS-450AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,213.9686 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BFP 182R E7764 | 726-BFP182RE7764新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 9,000：¥0.84123 24,000：¥0.7722 48,000：¥0.74178 99,000：¥0.71136 | 最低： 9000 倍数： 3000 | 详细信息 |
 | MAPR-002729-170M00 | 937-MAPR002729170M00新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 2.7-2.9GHz Gain8.5dB 170W VSWR: 2.1 | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥3,631.0482 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | NESG3032M14-EVNF24 | 551-NESG3032M14-EVNF新产品 | CEL | 射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp and Oscillator | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,051.8066 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PD84006-E | 511-PD84006-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic | 数据表 | 400 有库存 | 1：¥115.5024 10：¥106.1775 25：¥101.8134 100：¥89.6571 250：¥85.293 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT26P100-4WSR3 | 841-AFT26P100-4WSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF7 2.6GHZ 100W NI780S-6 | 数据表 | 无库存 | 250：¥949.9815 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF587 | 974-MRF587新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 56 有库存 | 1：¥596.6532 10：¥497.2149 25：¥447.4899 50：¥397.7766 100：¥357.9966 200：¥278.4366 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD57002-E | 511-PD57002-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥81.1629 10：¥74.5875 25：¥71.5221 100：¥63.0279 250：¥59.8923 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD57006TR-E | 511-PD57006TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 600：¥85.5153 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
 | MRF171 | 974-MRF171新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥351.8775 10：¥305.5923 25：¥287.235 50：¥266.5845 100：¥252.7434 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC261002FCV1XWSA1 | 726-PXAC261002FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥567.9765 100：¥526.4415 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | QPD1823 | 772-QPD1823新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V | 数据表 | 无库存 | 250：¥628.7814 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PH3134-20L | 937-PH3134-20L新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 10：¥2,051.127 | 最低： 10 倍数： 10 | |
 | BF888H6327XTSA1 | 726-BF888H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0599 10：¥3.2994 100：¥2.0124 1,000：¥1.5561 3,000：¥1.3338 9,000：¥1.2402 24,000：¥1.17 45,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | RFM08U9X(TE12L,Q) | 757-RFM08U9XTE12LQ新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 5A 20W 36V | 数据表 | 无库存 | 1：¥57.3768 10：¥51.714 25：¥47.1159 100：¥42.5295 250：¥39.0897 500：¥35.568 1,000：¥31.0518 2,000：¥29.9052 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ARF476FL | 494-ARF476FL新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥776.0376 2：¥752.0175 5：¥751.7835 10：¥727.5411 25：¥700.0812 50：¥690.5925 100：¥632.6073 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2N3819 | 610-2N3819新产品 | Central Semiconductor | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK | 数据表 | 无库存 | 1：¥6.5754 10：¥5.6979 100：¥3.9546 1,000：¥2.9367 2,500：¥2.4804 10,000：¥2.3985 25,000：¥2.2932 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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