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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ARF465AG | 494-ARF465AG 新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 无库存 | 1：¥350.2746 2：¥340.704 5：¥331.2972 10：¥321.8085 25：¥299.0988 50：¥291.8214 100：¥278.8227 250：¥254.8026 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BLC8G27LS-60AVY | 771-BLC8G27LS-60AVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥385.9128 200：¥374.8212 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | PTAB182002FCV1R0XTMA1 | 726-PTAB182002FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥656.5572 100：¥611.3484 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | 3SK291(TE85L,F) | 757-3SK291TE85LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V | 数据表 | 2900 有库存 | 1：¥3.978 10：¥2.6442 100：¥1.4742 1,000：¥1.07874 3,000：¥0.92547 9,000：¥0.87165 24,000：¥0.7956 45,000：¥0.76518 99,000：¥0.73476 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF323 | 974-MRF323新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥596.6532 10：¥497.2149 25：¥447.4899 50：¥397.7766 100：¥357.9966 200：¥278.4366 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT26P100-4WGSR3 | 841-AFT26P100-4WGSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2496-2690 MHz 22 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥633.2976 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BLC8G27LS-140AVZ | 771-BLC8G27LS-140AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 60：¥632.4552 120：¥588.9312 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BLC8G21LS-160AVY | 771-BLC8G21LS-160AVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 100：¥624.6513 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | MMRF1008HR5 | 841-MMRF1008HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,428.3935 5：¥2,391.0705 10：¥2,355.5025 25：¥2,304.6309 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFG24S100HR5 | 841-AFG24S100HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER GaN TRANSISTOR, 1-2690 MHz, 125 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,696.8256 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PXAC241702FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC241702FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥568.0467 100：¥526.4415 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFU610F,115 | 771-BFU610F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 15GHz | 数据表 | 4214 有库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.808 100：¥1.7082 1,000：¥1.3221 3,000：¥1.13256 9,000：¥1.05534 24,000：¥0.9945 45,000：¥0.9711 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | GTVA261701FAV1R0XTMA1 | 726-GTVA261701FAV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,061.5878 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | A2T18H100-25SR3 | 841-A2T18H100-25SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1995 MHz, 15 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥851.3037 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BLP35M805Z | 771-BLP35M805Z新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP35M805/HVSON16/REEL 7" Q1/T | 无库存 | 1：¥178.6122 5：¥176.7753 10：¥164.7711 25：¥157.3533 100：¥140.6691 250：¥134.1756 500：¥127.7406 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | 150-201N09A-00 | 747-150-201N09A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-150 200V 9A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 38 有库存 | 1：¥173.6397 5：¥168.4449 10：¥157.8798 25：¥146.0277 50：¥143.1963 100：¥134.1756 250：¥122.1597 500：¥114.4377 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT05MS003NT1 | 841-AFT05MS003NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor 1.8-941 MHz, 3 W, 7.5V | 数据表 | 10929 有库存 | 1：¥24.1722 10：¥22.1832 25：¥20.1942 100：¥18.135 250：¥16.6725 500：¥15.1515 1,000：¥13.6188 2,000：¥13.3146 5,000：¥12.6243 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T09VD250NR1 | 841-A2T09VD250NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast, RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 80 W Avg., 48 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥705.9663 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | MMBT918 | 512-MMBT918新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor | 数据表 | 3324 有库存 | 1：¥1.9071 10：¥1.2753 100：¥0.52767 1,000：¥0.35919 3,000：¥0.28314 9,000：¥0.24453 24,000：¥0.22932 45,000：¥0.21411 99,000：¥0.18369 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT05MP075GNR1 | 841-AFT05MP075GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G | 数据表 | 无库存 | 500：¥124.1487 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | MRF6V13250HR5 | 841-MRF6V13250HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,082.7277 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | AFT20P060-4GNR3 | 841-AFT20P060-4GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-2170 MHz 6.3 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥228.8754 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | AT-32033-BLKG | 630-AT-32033-BLKG新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6738 10：¥3.159 100：¥2.0826 1,000：¥1.5327 2,500：¥1.3221 10,000：¥1.2168 25,000：¥1.16298 50,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AGR19045EF | 974-AGR19045EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 9.5Watt Gain 15dB | 无库存 | 1：¥422.6274 5：¥387.8316 10：¥348.0516 25：¥308.2716 50：¥278.4366 100：¥268.4916 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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