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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRFE6S9045NR1 | 841-MRFE6S9045NR1 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 45W NI270-2 FET | 数据表 | 185 有库存 | 1：¥188.253 5：¥179.9109 10：¥173.6397 25：¥151.5384 100：¥148.2507 250：¥142.0497 500：¥130.7241 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PD55015TR-E | 511-PD55015TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST | 数据表 | 无库存 | 1：¥156.2067 5：¥154.5921 10：¥144.1206 25：¥137.6154 100：¥123.084 250：¥117.4212 600：¥111.7584 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BF886H6327XTSA1 | 726-BF886H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.9718 100：¥1.8135 1,000：¥1.404 3,000：¥1.2051 9,000：¥1.11735 24,000：¥1.05534 45,000：¥1.03311 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD85025TR-E | 511-PD85025TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥219.0825 5：¥216.8595 10：¥202.0941 25：¥192.9915 100：¥172.575 250：¥164.619 600：¥156.7332 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC182908FVV1R250XTMA1 | 726-PXAC182908FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 无库存 | 250：¥812.9862 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | BLA1011S-200R,112 | 771-BLA1011S-200R11新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TRANS LDMOS NCH 75V | 数据表 | 无库存 | 60：¥2,555.5374 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | MRF8S7170NR3 | 841-MRF8S7170NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2 | 数据表 | 无库存 | 250：¥521.5392 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF553 | 974-MRF553新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 67 有库存 | 1：¥34.4214 10：¥28.6884 25：¥25.857 50：¥22.9437 100：¥20.6505 200：¥16.0641 500：¥14.6133 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2935 | 772-TGF2935新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 5Watt NF 1.3dB GaN | 数据表 | 无库存 | 50：¥181.5255 100：¥160.407 250：¥149.1633 500：¥138.762 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFR 460L3 E6327 | 726-BFR460L3E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA | 数据表 | 6026 有库存 | 1：¥2.9016 10：¥2.223 100：¥1.2051 1,000：¥0.90207 2,500：¥0.78039 10,000：¥0.72657 15,000：¥0.66573 45,000：¥0.64233 90,000：¥0.6201 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | CG2H40010F | 941-CG2H40010F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥447.3378 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ARF469AG | 494-ARF469AG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 25 有库存 | 1：¥401.4387 2：¥390.5811 5：¥379.7937 10：¥368.9361 25：¥342.8451 50：¥334.5147 100：¥319.5972 250：¥292.0554 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PXAC261002FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC261002FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥567.9765 100：¥526.4415 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PXFC192207FHV3R250XTMA1 | 726-PXFC192207FHV3R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥646.3782 | 最低： 250 倍数： 250 | |
| PTFB093608FVV3R2XTMA1 | 726-PTFB093608FVV3R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 无库存 | 250：¥909.441 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | ARF460AG | 494-ARF460AG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 20 有库存 | 1：¥320.9661 2：¥312.2496 5：¥303.6033 10：¥294.8868 25：¥274.0842 50：¥267.4269 100：¥255.4929 250：¥233.4618 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT26H160-4S4R3 | 841-AFT26H160-4S4R3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF7 2.6GHZ NI880X-4L4S | 数据表 | 无库存 | 250：¥701.1459 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MMRF1018NR1 | 841-MMRF1018NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband RF Power LDMOS Transistor, 470-860 MHz, 90 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥449.2566 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | AT-30533-TR1G | 630-AT-30533-TR1G新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6738 10：¥3.159 100：¥2.0826 1,000：¥1.5327 3,000：¥1.3221 9,000：¥1.2168 24,000：¥1.16298 45,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZR18N50 | 747-IXZR18N50新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 18A 500V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247 | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥454.2993 5：¥437.3226 10：¥427.5297 25：¥400.8303 50：¥387.5976 100：¥382.1688 250：¥357.2244 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF909R,235 | 771-BF909R235新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.212 10：¥3.4749 100：¥2.1294 1,000：¥1.6497 2,500：¥1.404 10,000：¥1.3104 20,000：¥1.2402 50,000：¥1.2051 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTVA043502ECV1R0XTMA1 | 726-PTVA043502ECV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,061.5878 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | 1014-12 | 494-1014-12新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,282.3551 | 最低： 50 倍数： 1 | 详细信息 |
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