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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMRF1013HSR5 | 841-MMRF1013HSR5 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,603.0394 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | BFR 380F H6327 | 726-BFR380FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6738 10：¥2.34 100：¥1.00971 1,000：¥0.7722 3,000：¥0.58851 9,000：¥0.52065 24,000：¥0.48906 48,000：¥0.43641 99,000：¥0.4212 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF3020-SM | 772-TGF3020-SM新产品 | Qorvo | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN | 数据表 | 无库存 | 1：¥344.2257 25：¥305.9784 100：¥267.7311 250：¥244.7874 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SC5087YTE85LF | 757-2SC5087YTE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V | 数据表 | 2340 有库存 | 1：¥3.5217 10：¥2.3049 100：¥1.287 1,000：¥0.94068 3,000：¥0.81081 9,000：¥0.75699 24,000：¥0.69615 45,000：¥0.67275 99,000：¥0.64233 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLC8G20LS-310AVY | 771-BLC8G20LS-310AVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ACP Pad for base station | 数据表 | 无库存 | 100：¥835.0875 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | CGHV27015S | 941-CGHV27015S新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt | 数据表 | 215 有库存 | 1：¥258.7806 250：¥258.7806 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFQ790H6327XTSA1 | 726-BFQ790H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥6.6924 | 最低： 10000 倍数： 1000 | |
 | BLC9G20LS-240PVY | 771-BLC9G20LS-240PVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥801.6606 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | QPD1020SR | 772-QPD1020SR新产品 | Qorvo | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | AFT21S230SR5 | 841-AFT21S230SR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6 | 数据表 | 无库存 | 50：¥782.7651 100：¥727.9974 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BFR380FH6327XTSA1 | 726-BFR380FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6738 10：¥2.34 100：¥1.00971 1,000：¥0.7722 3,000：¥0.58851 9,000：¥0.52065 24,000：¥0.48906 48,000：¥0.43641 99,000：¥0.4212 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR 106 E6327 | 726-BFR106E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 5797 有库存 | 1：¥2.9835 10：¥2.223 100：¥1.2051 1,000：¥0.90207 3,000：¥0.78039 9,000：¥0.72657 24,000：¥0.67275 48,000：¥0.64233 99,000：¥0.6201 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | DU1215S | 937-DU1215S新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 13 有库存 | 1：¥358.9092 5：¥323.037 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRF8P20165WHR3 | 841-MRF8P20165WHR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4 | 数据表 | 无库存 | 250：¥808.3179 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | LET9060TR | 511-LET9060TR新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 1：¥413.7588 5：¥404.5041 10：¥388.674 25：¥376.1199 100：¥348.5898 250：¥338.5629 600：¥310.2606 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFU520XAR | 771-BFU520XAR新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 2752 有库存 | 1：¥3.744 10：¥2.9016 100：¥1.6029 1,000：¥1.2285 3,000：¥1.07055 9,000：¥0.9945 24,000：¥0.91845 45,000：¥0.84123 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFA080551FV4R0XTMA1 | 726-PTFA080551FV4R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥347.7474 100：¥322.2765 250：¥312.9399 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTVA102001EAV1R0XTMA1 | 726-PTVA102001EAV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 50：¥910.2834 100：¥864.7704 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | AGR21060EF | 974-AGR21060EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz13.5Watt Gain 14.5dB | 无库存 | 10：¥722.8728 30：¥640.2591 50：¥578.2959 100：¥557.6454 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 | |
 | AFT21S232SR5 | 841-AFT21S232SR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2 | 数据表 | 无库存 | 50：¥782.7651 100：¥727.9974 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTVA043502ECV1R2XTMA1 | 726-PTVA043502ECV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 250：¥965.2851 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BLV33 | 974-BLV33新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥894.0672 10：¥820.404 25：¥736.2576 50：¥652.1112 100：¥589.0131 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PH3135-65M | 937-PH3135-65M新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,642.6556 | 最低： 1 倍数： 1 |
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