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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
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 | MMRF1013HSR5 | 841-MMRF1013HSR5 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 | |
 | BFR 380F H6327 | 726-BFR380FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | TGF3020-SM | 772-TGF3020-SM新产品 | Qorvo | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | 2SC5087YTE85LF | 757-2SC5087YTE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V | 数据表 | 2340 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BLC8G20LS-310AVY | 771-BLC8G20LS-310AVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ACP Pad for base station | 数据表 | 无库存 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 | |
 | CGHV27015S | 941-CGHV27015S新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt | 数据表 | 215 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFQ790H6327XTSA1 | 726-BFQ790H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 无库存 | 最低： 10000 倍数： 1000 | ||
 | BLC9G20LS-240PVY | 771-BLC9G20LS-240PVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 | |
 | QPD1020SR | 772-QPD1020SR新产品 | Qorvo | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | AFT21S230SR5 | 841-AFT21S230SR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6 | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BFR380FH6327XTSA1 | 726-BFR380FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFR 106 E6327 | 726-BFR106E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 5797 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | DU1215S | 937-DU1215S新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 13 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | MRF8P20165WHR3 | 841-MRF8P20165WHR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4 | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | LET9060TR | 511-LET9060TR新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | BFU520XAR | 771-BFU520XAR新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 2752 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PTFA080551FV4R0XTMA1 | 726-PTFA080551FV4R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | PTVA102001EAV1R0XTMA1 | 726-PTVA102001EAV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | AGR21060EF | 974-AGR21060EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz13.5Watt Gain 14.5dB | 无库存 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 | ||
 | AFT21S232SR5 | 841-AFT21S232SR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2 | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | PTVA043502ECV1R2XTMA1 | 726-PTVA043502ECV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | BLV33 | 974-BLV33新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PH3135-65M | 937-PH3135-65M新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 |
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