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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ARF465BG | 494-ARF465BG 新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 无库存 | 1：¥350.2746 2：¥340.704 5：¥331.2972 10：¥321.8085 25：¥299.0988 50：¥291.8214 100：¥278.8227 250：¥254.8026 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | A2T18H455W23NR6 | 841-A2T18H455W23NR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 31.5 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,037.4156 | 最低： 150 倍数： 150 | |
 | MMBTH81 | 512-MMBTH81新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 PNP RF Transistor | 数据表 | 6362 有库存 | 1：¥1.8369 10：¥1.2285 100：¥0.51246 1,000：¥0.35217 3,000：¥0.27495 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2324M8LS200PJ | 771-BLF2324M8LS200PJ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,085.3037 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | AGR19090EF | 974-AGR19090EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 36Watt Gain 15dB | 无库存 | 1：¥747.7353 5：¥686.1582 10：¥615.7827 25：¥545.4072 50：¥492.6285 100：¥475.0317 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | NSVF4017SG4T1G | 863-NSVF4017SG4T1G新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | BFP740FH6327XTSA1 | 726-BFP740FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2731 有库存 | 1：¥3.744 10：¥3.1005 100：¥1.8837 1,000：¥1.4625 3,000：¥1.2519 9,000：¥1.16298 24,000：¥1.10097 45,000：¥1.07055 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2I25H060NR1 | 841-A2I25H060NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥405.4986 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | VRF150 | 494-VRF150新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 无库存 | 1：¥411.2316 2：¥400.0698 5：¥388.9782 10：¥377.8866 25：¥351.1872 50：¥342.6228 100：¥327.4011 250：¥299.169 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB093608SVV2R250XTMA1 | 726-PTFB093608SVV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BF909WR,135 | 771-BF909WR135新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA 280mW | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.2753 20,000：¥1.2051 50,000：¥1.1817 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
 | CGHV40050F | 941-CGHV40050F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,540.6794 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PH1090-350L | 937-PH1090-350L新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 20：¥3,291.2568 | 最低： 20 倍数： 20 | |
 | PD55035S-E | 511-PD55035S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 400：¥190.1601 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | PD57045-E | 511-PD57045-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch | 数据表 | 无库存 | 400：¥314.847 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | MRF586 | 974-MRF586新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥80.3205 10：¥66.9357 25：¥60.2784 50：¥53.5509 100：¥48.1923 200：¥37.4868 500：¥34.0353 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MHT1001HR5 | 841-MHT1001HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4GHZ HV6 40W | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,385.4672 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MMRF1014NT1 | 841-MMRF1014NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V | 数据表 | 998 有库存 | 1：¥98.5959 10：¥90.6516 25：¥86.6736 100：¥76.5765 250：¥68.3865 500：¥66.0933 1,000：¥60.6645 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTVA127002EVV1R0XTMA1 | 726-PTVA127002EVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,784.4342 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF5812LF | 974-MRF5812LF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 2168 有库存 | 1：¥34.4214 10：¥28.7586 25：¥25.857 50：¥22.9437 100：¥20.6505 200：¥16.0641 500：¥14.6133 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR 380L3 E6327 | 726-BFR380L3E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 11950 有库存 | 1：¥3.0654 10：¥2.1294 100：¥0.97929 1,000：¥0.75699 2,500：¥0.64233 10,000：¥0.58851 15,000：¥0.55107 45,000：¥0.48906 90,000：¥0.47385 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 1014-6A | 494-1014-6A新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,202.4207 | 最低： 50 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2731GN-200M | 494-2731GN-200M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥4,723.2315 | 最低： 5 倍数： 1 | 详细信息 |
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