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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PD20010-E | 511-PD20010-E 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 403 有库存 | 1：¥138.9141 10：¥127.7406 25：¥122.4639 100：¥107.8623 250：¥102.5739 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | 275X2-501N16A-00 | 747-275X2-501N16A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-275X2 500V 16A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 36 有库存 | 1：¥221.6799 5：¥215.1045 10：¥201.5676 25：¥186.4161 50：¥182.8242 100：¥171.3465 250：¥155.9727 500：¥146.1798 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 620F H7764 | 726-BFP620FH7764新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 10227 有库存 | 1：¥4.212 10：¥3.4398 100：¥2.0943 1,000：¥1.6263 3,000：¥1.3806 9,000：¥1.287 24,000：¥1.2168 45,000：¥1.1934 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR31,235 | 771-BFR31235新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single "+/- 25V 5mA | 数据表 | 9830 有库存 | 1：¥4.0599 10：¥3.3228 100：¥2.0241 1,000：¥1.5678 2,500：¥1.3338 10,000：¥1.2519 20,000：¥1.1817 50,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU790F,115 | 771-BFU790F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | 数据表 | 2500 有库存 | 1：¥4.6683 10：¥3.861 100：¥2.3517 1,000：¥1.8252 3,000：¥1.5561 9,000：¥1.4508 24,000：¥1.3689 45,000：¥1.3338 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLC8G27LS-240AVU | 771-BLC8G27LS-240AVU新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 60：¥934.5375 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | AGR18045EF | 974-AGR18045EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 49Watt Gain 15dB | 无库存 | 1：¥568.971 5：¥522.0774 10：¥468.5265 25：¥414.9873 50：¥374.8212 100：¥361.4364 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRF5943 | 974-MRF5943新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥34.4214 10：¥28.6884 25：¥25.857 50：¥22.9437 100：¥20.6505 200：¥16.0641 500：¥14.6133 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFS25A,115 | 771-BFS25A115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS | 数据表 | 3000 有库存 | 1：¥4.212 10：¥3.4632 100：¥2.106 1,000：¥1.6263 3,000：¥1.3923 9,000：¥1.287 24,000：¥1.2285 45,000：¥1.2051 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFT46,215 | 771-BFT46215新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.5864 10：¥3.8025 100：¥2.3166 1,000：¥1.7901 3,000：¥1.5327 9,000：¥1.4274 24,000：¥1.3455 45,000：¥1.3104 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | J176,126 | 771-J176126新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 J176/TO-92/STANDARD MARKING * | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.8018 20,000：¥1.7199 50,000：¥1.6965 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
 | MRF136 | 937-MRF136新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB | 数据表 | 242 有库存 | 1：¥187.1766 10：¥183.5145 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD20010STR-E | 511-PD20010STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann | 数据表 | 无库存 | 600：¥95.9985 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
 | AFT09S200W02NR3 | 841-AFT09S200W02NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥647.3727 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | 2729GN-270 | 494-2729GN-270新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥4,439.6703 | 最低： 5 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2929-FS | 772-TGF2929-FS新产品 | Qorvo | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN | 数据表 | 23 有库存 | 1：¥2,684.9628 25：¥2,423.1987 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | LET20030C | 511-LET20030C新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans Ldmost Family | 数据表 | 无库存 | 50：¥548.6247 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRFE6S9125NR1 | 841-MRFE6S9125NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W | 数据表 | 无库存 | 500：¥485.1288 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | BF904WR,135 | 771-BF904WR135新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.2051 20,000：¥1.14777 50,000：¥1.12437 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
 | A2T18S261W12NR3 | 841-A2T18S261W12NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 56 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥506.0835 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | MAGX-000040-0050TP | 937-MAGX-0040-50TP新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC | 数据表 | 无库存 | 500：¥196.209 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | A2T20H330W24SR6 | 841-A2T20H330W24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 58 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,113.4539 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | TGF2023-2-01 | 772-TGF2023-2-01新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB | 数据表 | 100 有库存 | 50：¥231.6249 100：¥200.3391 250：¥188.3349 500：¥177.0093 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
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