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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFP 405 H6740 | 726-BFP405H6740 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2441 有库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.9718 100：¥1.8135 1,000：¥1.404 3,000：¥1.1934 9,000：¥1.11735 24,000：¥1.05534 45,000：¥1.03311 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | LET9070FB | 511-LET9070FB新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 70W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 50：¥554.5917 100：¥516.4146 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | MAAM-009455-TR1000 | 937-MAAM-009455T1新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB | 数据表 | 无库存 | 1,000：¥49.491 | 最低： 1000 倍数： 1000 | 详细信息 |
 | BLF1721M8LS200U | 771-BLF1721M8LS200U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 无库存 | 60：¥1,898.442 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 | |
 | QPD2793 | 772-QPD2793新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V | 数据表 | 无库存 | 500：¥628.7814 | 最低： 500 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTAB182002TCV2R250XUMA1 | 726-PTAB182002TCV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BF1210,115 | 771-BF1210115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.8906 10：¥4.0365 100：¥2.5974 1,000：¥2.0826 3,000：¥1.755 9,000：¥1.6965 24,000：¥1.6263 45,000：¥1.6029 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT23S160W02SR3 | 841-AFT23S160W02SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.3-4GHz 45W | 数据表 | 无库存 | 250：¥744.1434 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PTFA180701EV4R0XTMA1 | 726-PTFA180701EV4R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥446.7996 5：¥436.7844 10：¥419.7258 25：¥406.1889 50：¥406.1889 100：¥376.4241 250：¥365.6484 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MS2209 | 494-MS2209新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,130.5232 5：¥2,067.8814 10：¥1,938.4443 25：¥1,892.3229 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MT3S16U(TE85L,F) | 757-MT3S16UTE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF 50mW 5.5dB 10V USM 60mA 2GHz | 数据表 | 2519 有库存 | 1：¥4.212 10：¥2.3166 100：¥0.9945 1,000：¥0.76518 3,000：¥0.58149 9,000：¥0.52065 24,000：¥0.48204 45,000：¥0.42822 99,000：¥0.41301 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD4933MR | 511-SD4933MR新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,076.7393 5：¥1,055.6208 10：¥1,006.434 25：¥985.2453 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AGR09085EF | 974-AGR09085EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 865-895MHz 105Watt Gain 18dB | 无库存 | 1：¥617.6898 5：¥566.8299 10：¥508.6926 25：¥450.5553 50：¥406.9494 100：¥392.418 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | CGHV1J006D-GP4 | 941-CGHV1J006D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt | 数据表 | 170 有库存 | 10：¥257.0256 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 |
 | TGF2023-2-20 | 772-TGF2023-2-20新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | STAC2943 | 511-STAC2943新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 150MHz FET | 数据表 | 48 有库存 | 1：¥820.0179 5：¥805.0302 10：¥768.7719 25：¥743.1489 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFA092201F V4 | 726-PTFA092201FV4新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | 2735GN-100M | 494-2735GN-100M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥3,454.4952 | 最低： 5 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PH2226-110M | 937-PH2226-110M新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥3,406.9113 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BAS40T1SAMB4SA1 | 726-BAS40T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | PTRA083818NFV1R5XUMA1 | 726-PTRA083818NFV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 500：¥602.8542 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | HFA3101BZ | 968-HFA3101BZ新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W | 数据表 | 682 有库存 | 1：¥61.5069 10：¥55.6101 25：¥53.0127 100：¥46.0512 250：¥43.9803 500：¥40.0842 1,000：¥34.9596 2,500：¥33.6609 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRF6S20010GNR1 | 841-MRF6S20010GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W | 数据表 | 233 有库存 | 1：¥296.1153 5：¥281.1159 10：¥276.2955 25：¥250.4385 100：¥239.8851 250：¥221.6799 500：¥213.6537 | 最低： 1 倍数： 1 |
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