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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SD1490 | 974-SD1490 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 1 有库存 | 1：¥1,381.7232 10：¥1,267.8939 25：¥1,137.8601 50：¥1,007.8146 100：¥910.2834 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | MT3S113P(TE12L,F) | 757-MT3S113PTE12LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1.6W | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | BFU690F,115 | 771-BFU690F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 18GHz | 数据表 | 30307 有库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.808 100：¥1.7082 1,000：¥1.3221 3,000：¥1.13256 9,000：¥1.05534 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T21S260W12NR3 | 841-A2T21S260W12NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 56 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥506.0835 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BF1204,135 | 771-BF1204135新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.8018 20,000：¥1.7199 50,000：¥1.6965 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
 | CGH27030P | 941-CGH27030P新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 14 有库存 | 1：¥707.8032 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU530XVL | 771-BFU530XVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | 0405SC-100M | 494-0405SC-100M新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥3,597.3171 | 最低： 5 倍数： 5 | |
 | MRF6VP41KHR5 | 841-MRF6VP41KHR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450MHZ 1000W NI1230 | 数据表 | 无库存 | 50：¥6,138.0072 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | DSC5G03T0L | 667-DSC5G03T0L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead | 数据表 | 3265 有库存 | 1：¥2.6793 10：¥1.7433 100：¥0.819 500：¥0.6201 1,000：¥0.49725 3,000：¥0.38259 9,000：¥0.29835 24,000：¥0.27495 45,000：¥0.22932 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP6300GSR5 | 841-MRFE6VP6300GSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1.8-600 MHz 300 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥663.0507 100：¥616.6251 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF160 | 937-MRF160新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥217.2456 10：¥208.9035 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT05MS004NT1 | 841-AFT05MS004NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V | 数据表 | 无库存 | 1,000：¥8.4123 2,000：¥8.2602 5,000：¥7.8039 | 最低： 1000 倍数： 1000 | 详细信息 |
 | MX0912B351Y | 974-MX0912B351Y新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN | 数据表 | 无库存 | 1：¥4,795.2918 2：¥4,400.3466 5：¥3,949.0308 10：¥3,497.715 25：¥3,159.2223 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MHE1003NR3 | 841-MHE1003NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 220 W CW, 26 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥982.5777 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BF1211R,215 | 771-BF1211R215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0599 10：¥3.3228 100：¥2.0241 1,000：¥1.5678 3,000：¥1.3338 9,000：¥1.2519 24,000：¥1.1817 45,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2G26H280-04SR3 | 841-A2G26H280-04SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V | 无库存 | 250：¥888.8724 | 最低： 250 倍数： 250 | ||
 | MMRF1304NR1 | 841-MMRF1304NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥266.8185 5：¥255.0366 10：¥246.0861 25：¥214.7184 100：¥210.132 250：¥201.3336 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF951 | 974-MRF951新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 318 有库存 | 1：¥34.4214 10：¥28.7586 25：¥25.857 50：¥22.9437 100：¥20.6505 200：¥16.0641 500：¥14.6133 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | STBV32-AP | 511-STBV32-AP新产品 | STMicroelectronics | 射频(RF)双极晶体管 IGBT & Power Bipolar | 数据表 | 11986 有库存 | 1：¥2.9835 10：¥2.0826 100：¥0.95589 1,000：¥0.73476 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PXFC192207NFV1R500XUMA1 | 726-PXFC192207NFV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 500：¥535.6962 | 最低： 500 倍数： 500 | |
 | BFR182E6327HTSA1 | 726-BFR182E6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 170 有库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.5038 100：¥1.15479 1,000：¥0.88686 3,000：¥0.75699 9,000：¥0.68796 24,000：¥0.64233 48,000：¥0.58149 99,000：¥0.55809 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1204,115 | 771-BF1204115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥6.0489 10：¥4.9842 100：¥3.2175 1,000：¥2.574 3,000：¥2.1762 9,000：¥2.0943 24,000：¥2.0124 45,000：¥1.9773 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTVA120251EAV2R0XTMA1 | 726-PTVA120251EAV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥468.1521 100：¥433.8828 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
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