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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SD1492 | 974-SD1492 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,869.3792 10：¥1,715.3955 25：¥1,539.4509 50：¥1,363.518 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | MRF6V3090NR1 | 841-MRF6V3090NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 270WB4 | 数据表 | 无库存 | 500：¥449.2566 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | MRF6V12250HR5 | 841-MRF6V12250HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780H | 数据表 | 47 有库存 | 1：¥2,111.6277 5：¥2,079.1953 10：¥2,048.2137 25：¥2,004.0111 50：¥1,973.2518 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6S9125NBR1 | 841-MRFE6S9125NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W | 数据表 | 无库存 | 500：¥485.1288 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | MW6S010NR1 | 841-MW6S010NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N | 数据表 | 888 有库存 | 1：¥128.817 10：¥118.4859 25：¥113.2092 100：¥100.0584 250：¥89.4231 500：¥86.4396 1,000：¥79.2441 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRF8S9170NR3 | 841-MRF8S9170NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 50W | 数据表 | 无库存 | 250：¥946.6236 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFP520FH6327XTSA1 | 726-BFP520FH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2985 有库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.7729 100：¥1.6848 1,000：¥1.3104 3,000：¥1.10916 9,000：¥1.04013 24,000：¥0.97929 45,000：¥0.95589 99,000：¥0.92547 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8S9120NR3 | 841-MRF8S9120NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2 | 数据表 | 160 有库存 | 1：¥408.7161 5：¥396.8523 10：¥388.3581 25：¥371.9898 100：¥344.7639 250：¥329.8464 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BLC2425M8LS300PZ | 771-BLC2425M8LS300PZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,258.9434 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BFU520WF | 771-BFU520WF新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 10111 有库存 | 1：¥3.0654 10：¥2.3751 100：¥1.2987 1,000：¥0.9945 2,500：¥0.84123 10,000：¥0.76518 50,000：¥0.68796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC201202FCV2XWSA1 | 726-PXAC201202FCV2XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥487.656 100：¥451.9359 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | BLF177 | 974-BLF177新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥734.3505 10：¥611.9568 25：¥550.7658 50：¥489.5631 100：¥440.6103 200：¥342.693 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PMBF4393,215 | 771-PMBF4393-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 40V 100mA | 数据表 | 5742 有库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.7495 100：¥1.6848 1,000：¥1.2987 3,000：¥1.10916 9,000：¥1.03311 24,000：¥0.97929 45,000：¥0.95589 99,000：¥0.91845 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF13750HR5 | 771-MRF13750HR5新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor 750 W | 数据表 | 96 有库存 | 1：¥2,395.4229 5：¥2,337.8238 10：¥2,279.7684 25：¥2,247.7923 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR 93A E6327 | 726-BFR93AE6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 16148 有库存 | 1：¥2.9016 10：¥2.1996 100：¥1.1934 1,000：¥0.89505 3,000：¥0.7722 9,000：¥0.71955 24,000：¥0.66573 48,000：¥0.63531 99,000：¥0.61191 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF909AR,215 | 771-BF909AR215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.1301 10：¥3.4047 100：¥2.0709 1,000：¥1.6029 3,000：¥1.3689 9,000：¥1.2753 24,000：¥1.2051 45,000：¥1.1817 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MCH4013-TL-E | 863-MCH4013-TL-E新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 NPN 15MA 3.5V FT=22.5G | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.2175 10：¥2.6208 100：¥1.6029 1,000：¥1.2402 3,000：¥1.05534 9,000：¥0.98631 24,000：¥0.93366 45,000：¥0.91026 99,000：¥0.87984 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | UF28100M | 937-UF28100M新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 5 有库存 | 1：¥1,574.5626 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PTFB181702FCV1R250XTMA1 | 726-PTFB181702FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥502.9479 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | MMRF1305HSR5 | 841-MMRF1305HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000 MHz 100 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥616.1688 100：¥573.1011 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MS1261 | 494-MS1261新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥672.1533 5：¥651.807 10：¥632.6073 25：¥593.0613 50：¥578.916 100：¥565.3674 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH27030S | 941-CGH27030S新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 无库存 | 1：¥453.5388 250：¥453.5388 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1306HR5 | 841-MMRF1306HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,783.4661 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFU550AR | 771-BFU550AR新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 4133 有库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.3283 100：¥1.07055 1,000：¥0.82602 3,000：¥0.70317 9,000：¥0.64233 24,000：¥0.60489 45,000：¥0.53586 99,000：¥0.52065 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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