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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PXAC261002FCV1R250XTMA1 | 726-PXAC261002FCV1R2 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥503.6382 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | ARF466FL | 494-ARF466FL新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥729.0738 2：¥706.4226 5：¥706.2003 10：¥683.4789 25：¥657.7038 50：¥648.8235 100：¥594.2898 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | VRF151MP | 494-VRF151MP新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 9 有库存 | 1：¥742.5288 2：¥719.5032 5：¥719.2809 10：¥696.1032 25：¥669.8601 50：¥660.7575 100：¥605.2995 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFV141KGSR5 | 841-AFV141KGSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 960-1215 MHz, 1000 W PEAK, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,787.7921 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | IXZR18N50A-00 | 747-IXZR18N50A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500V 18A RF MOSFET, with ISOPLUS-247A package assembly | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥473.1948 5：¥455.598 10：¥445.3488 25：¥417.5847 50：¥403.7436 100：¥398.151 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T21S260-12SR3 | 841-A2T21S260-12SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 65 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,164.7818 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BAR8602LRHE6327XTSA1 | 726-602LRHE6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | MMRF1018NBR1 | 841-MMRF1018NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband RF Power LDMOS Transistor, 470-860 MHz, 90 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥449.2566 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | MRF8S9220HSR3 | 841-MRF8S9220HSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S | 数据表 | 无库存 | 250：¥772.4457 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PTFB090901FAV2R250XTMA1 | 726-PTFB090901FAV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥292.3596 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | 1214-55 | 494-1214-55新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 10：¥2,172.2922 25：¥2,142.5391 | 最低： 10 倍数： 1 | 详细信息 |
 | HFA3101BZ96 | 968-HFA3101BZ96新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL | 数据表 | 无库存 | 2,500：¥33.6609 | 最低： 2500 倍数： 2500 | 详细信息 |
 | MDS60L | 494-MDS60L新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,709.1243 | 最低： 50 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD1000 | 772-QPD1000新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN | 数据表 | 523 有库存 | 1：¥443.664 25：¥390.1248 100：¥344.2257 250：¥313.6302 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2080 | 772-TGF2080新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56% | 数据表 | 无库存 | 100：¥74.5056 300：¥69.615 500：¥65.0988 1,000：¥60.8166 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | PH2226-50M | 937-PH2226-50M新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥2,683.044 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFP 520 H6327 | 726-BFP520H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 7690 有库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.8431 100：¥1.7316 1,000：¥1.3338 3,000：¥1.13958 9,000：¥1.06353 24,000：¥1.00152 45,000：¥0.96408 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7L140,118 | 771-BLF2425M7L140118新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.45GHz 65V 17.5dB | 数据表 | 无库存 | 100：¥869.8248 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | PTFB091507FHV1R0XTMA1 | 726-PTFB091507FHV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥493.389 100：¥457.2126 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTFB212503FLV2R0XTMA1 | 726-PTFB212503FLV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥757.5282 100：¥705.3579 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF154 | 974-MRF154新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥3,824.73 10：¥3,709.9881 25：¥3,648.7971 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | SMA5101-TL-H | 863-SMA5101-TL-H新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 Silicon Mono Linear Dble Balanced Mixer | 数据表 | 无库存 | 1：¥18.0531 10：¥15.3036 100：¥12.2382 500：¥10.7874 1,000：¥8.8686 3,000：¥8.3421 6,000：¥8.0262 9,000：¥7.6518 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T2G4003532-FL | 772-T2G4003532-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN | 数据表 | 36 有库存 | 1：¥1,571.9652 25：¥1,418.6718 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PH3134-75S | 937-PH3134-75S新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,546.505 | 最低： 1 倍数： 1 |
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