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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | T2G4003532-FS | 772-T2G4003532-FS 新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN | 数据表 | 36 有库存 | 1：¥1,380.5766 25：¥1,245.9447 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | MS1582 | 494-MS1582新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 无库存 | 25：¥1,449.6534 50：¥1,415.7585 | 最低： 25 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | 2729-170 | 494-2729-170新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 20：¥2,575.7316 | 最低： 20 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T26H165-24SR3 | 841-A2T26H165-24SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 32 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥716.2974 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BF1205C,115 | 771-BF1205C115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 3,000：¥2.1762 9,000：¥2.0943 24,000：¥2.0124 45,000：¥1.9773 | 最低： 3000 倍数： 3000 | 详细信息 |
 | BFU530AR | 771-BFU530AR新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 6814 有库存 | 1：¥3.6738 10：¥3.042 100：¥1.8603 1,000：¥1.4391 3,000：¥1.2285 9,000：¥1.13958 24,000：¥1.07874 45,000：¥1.05534 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1006HSR5 | 841-MMRF1006HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,263.5629 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | A2G22S160-01SR3 | 841-A2G22S160-01SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥861.0264 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BLC8G20LS-400AVY | 771-BLC8G20LS-400AVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ACP Pad for base station | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,030.9923 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | MRFX1K80H-128MHZ | 771-MRFX1K80H-128MHZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 3500W pulse - 2 up - 128MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥10,005.8751 5：¥9,898.3989 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBFJ309 | 512-MMBFJ309新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 8409 有库存 | 1：¥3.2877 10：¥2.4687 100：¥1.3338 1,000：¥1.00152 3,000：¥0.86463 9,000：¥0.81081 24,000：¥0.74178 45,000：¥0.71955 99,000：¥0.68796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFA092211EL V4 R250 | 726-PTFA092211ELR250新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | PH1516-100 | 937-PH1516-100新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 无库存 | 10：¥3,427.7256 | 最低： 10 倍数： 1 | ||
 | TGF2933 | 772-TGF2933新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN | 数据表 | 无库存 | 50：¥272.0133 100：¥240.4233 250：¥225.1197 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | QPD3601 | 772-QPD3601新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN | 数据表 | 13 有库存 | 1：¥894.9915 25：¥741.1599 100：¥688.4514 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1314HSR5 | 841-MMRF1314HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,787.7921 | 最低： 50 倍数： 50 | |
| GTVA220701FAV1R2XTMA1 | 726-GTVA220701FAV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 无库存 | 250：¥602.8542 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | CGHV60170D | 941-CGHV60170D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | CGHV1J070D-GP4 | 941-CGHV1J070D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | BLF2425M9LS140U | 771-BLF2425M9LS140U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 无库存 | 60：¥915.642 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 | |
 | ASMA601 | 974-ASMA601新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 50 Ohm | 无库存 | 1：¥536.4567 10：¥492.2424 25：¥441.7569 50：¥391.2714 100：¥327.015 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PTFA220081M V4-T | 726-PTF-A220081MV4T新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 500：¥62.1153 1,000：¥56.9907 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | HFA3096BZ96 | 968-HFA3096BZ96新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2X PNP 16N | 数据表 | 2430 有库存 | 1：¥45.513 10：¥41.1489 25：¥39.2418 100：¥34.0353 250：¥32.5845 500：¥29.6829 1,000：¥25.857 2,500：¥24.9327 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC182002FCV1R250XTMA1 | 726-AC182002FCV1R250新产品 | Infineon / IR | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥516.7188 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
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