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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF1535FNT1 | 841-MRF1535FNT1 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N | 数据表 | 516 有库存 | 1：¥169.5915 5：¥162.0918 10：¥156.429 25：¥136.539 100：¥133.5555 250：¥127.9746 500：¥117.7254 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | AGR21090EF | 974-AGR21090EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB | 无库存 | 1：¥747.7353 5：¥686.1582 10：¥615.7827 25：¥545.4072 50：¥492.6285 100：¥475.0317 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 | |
 | SD57030 | 511-SD57030新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp | 数据表 | 51 有库存 | 1：¥435.4857 5：¥425.6928 10：¥409.0905 25：¥395.8578 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP61K25NR6 | 841-MRFE6VP61K25NR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,559.3409 5：¥1,524.5334 10：¥1,493.3997 25：¥1,471.2984 50：¥1,417.8996 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFIC10275GNR1 | 841-AFIC10275GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥1,743.3936 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | PTFA192001E V4 | 726-PTFA192001EV4新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | CGHV40200PP | 941-CGHV40200PP新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt | 数据表 | 50 有库存 | 1：¥2,973.3444 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2V09H400-04NR3 | 841-A2V09H400-04NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 107 W Avg., 48 V | 数据表 | 218 有库存 | 1：¥956.0304 5：¥937.521 10：¥906.5394 25：¥868.2102 50：¥856.2762 100：¥796.3839 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF378 | 974-BLF378新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,105.3458 10：¥1,014.3198 25：¥910.2834 50：¥806.2587 100：¥728.2314 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP181E7764HTSA1 | 726-BFP181E7764HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 8980 有库存 | 1：¥3.2175 10：¥2.0475 100：¥0.87984 1,000：¥0.67275 3,000：¥0.51246 9,000：¥0.45864 24,000：¥0.42822 48,000：¥0.38259 99,000：¥0.36738 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BAR8602LRHE6327XTSA1 | 726-602LRHE6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | BFP 183 E7764 | 726-BFP183E7764新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 12154 有库存 | 1：¥3.5217 10：¥2.6325 100：¥0.9945 1,000：¥0.76518 3,000：¥0.58149 9,000：¥0.51246 24,000：¥0.48204 45,000：¥0.42822 99,000：¥0.41301 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF909A,215 | 771-BF909A215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.1301 10：¥3.4047 100：¥2.0709 1,000：¥1.6029 3,000：¥1.3689 9,000：¥1.2753 24,000：¥1.2051 45,000：¥1.1817 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ARF1501 | 494-ARF1501新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 19 有库存 | 1：¥1,445.4414 2：¥1,410.7158 5：¥1,390.0653 10：¥1,370.3274 25：¥1,351.584 50：¥1,258.8732 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF422 | 974-MRF422新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥642.5523 10：¥627.2604 25：¥611.9568 50：¥581.3613 100：¥550.7658 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRF8P20165WHSR3 | 841-MRF8P20165WHSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780S-4 | 数据表 | 无库存 | 250：¥808.3179 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PXAC201202FCV2R250XTMA1 | 726-PXAC201202FCV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥432.3501 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | TGF2978-SM | 772-TGF2978-SM新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | BFP740H6327XTSA1 | 726-BFP740H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5675 有库存 | 1：¥3.8961 10：¥3.1941 100：¥1.9422 1,000：¥1.5093 3,000：¥1.287 9,000：¥1.1934 24,000：¥1.13256 45,000：¥1.10916 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MDS140L | 494-MDS140L新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,612.5057 2：¥1,573.7202 5：¥1,550.6244 10：¥1,528.6635 25：¥1,507.7907 50：¥1,404.3627 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6VP121KHSR5 | 841-MRF6VP121KHSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230HS | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,435.4583 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFR183E6327HTSA1 | 726-BFR183E6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW | 数据表 | 6305 有库存 | 1：¥3.0654 10：¥2.106 100：¥0.9711 1,000：¥0.74178 3,000：¥0.63531 9,000：¥0.58149 24,000：¥0.54288 48,000：¥0.48906 99,000：¥0.46683 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF2010GNR1 | 841-MMRF2010GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥1,974.0942 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
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