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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AFT21S140W02GSR3 | 841-AFT21S140W02GSR3 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,008.7389 | 最低： 250 倍数： 250 |  详细信息 |
 | MRF8372LF | 974-MRF8372LF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 24 有库存 | 1：¥34.4214 10：¥28.6884 25：¥25.857 50：¥22.9437 100：¥20.6505 200：¥16.0641 500：¥14.6133 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | ARF460BG | 494-ARF460BG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥320.9661 2：¥312.2496 5：¥303.6033 10：¥294.8868 25：¥274.0842 50：¥267.4269 100：¥255.4929 250：¥233.4618 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7L250P,112 | 771-BLF2425M7L250P11新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,348.9047 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BFP 405F H6327 | 726-BFP405FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3209 有库存 | 1：¥3.0654 10：¥2.5038 100：¥1.5327 1,000：¥1.1817 3,000：¥1.00971 9,000：¥0.94068 24,000：¥0.89505 45,000：¥0.87165 99,000：¥0.83421 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SC2714-O(TE85L,F) | 757-2SC2714-OTE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW | 数据表 | 3445 有库存 | 1：¥3.8961 10：¥2.2581 100：¥1.07055 1,000：¥0.82602 3,000：¥0.68094 9,000：¥0.6201 24,000：¥0.58149 45,000：¥0.52065 99,000：¥0.49725 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD1275-01 | 974-SD1275-01新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥291.1428 10：¥282.0402 25：¥271.557 50：¥265.824 100：¥245.2437 200：¥242.8686 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | AFT26H200W03SR6 | 841-AFT26H200W03SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz | 数据表 | 无库存 | 150：¥888.8724 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | NSVF6003SB6T1G | 863-NSVF6003SB6T1G新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 0.15A 12V FT=7G | 数据表 | 2790 有库存 | 1：¥4.8906 10：¥4.0365 100：¥2.5974 1,000：¥2.0826 3,000：¥1.755 9,000：¥1.6965 24,000：¥1.6263 45,000：¥1.6029 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF556A,235 | 771-BF556A235新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single "+/- 30V 7mA | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.6029 20,000：¥1.5327 50,000：¥1.5093 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
 | PD84002 | 511-PD84002新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR transistor LdmoST plastic fam | 数据表 | 1457 有库存 | 1：¥32.6664 10：¥27.7641 100：¥24.0201 250：¥22.7916 500：¥20.4984 1,000：¥17.2926 2,500：¥16.4502 5,000：¥15.8301 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZR16N60 | 747-IXZR16N60新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247 | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥249.444 5：¥241.956 10：¥226.8045 25：¥209.7459 50：¥205.6977 100：¥192.7692 250：¥175.4766 500：¥164.385 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF559LF | 974-MRF559LF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 33 有库存 | 1：¥34.4214 10：¥28.7586 25：¥25.857 50：¥22.9437 100：¥20.6505 200：¥16.0641 500：¥14.6133 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | QPD0050 | 772-QPD0050新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.6GHz GaN 75W 48V | 数据表 | 无库存 | 1：¥368.8542 25：¥322.7328 250：¥322.7328 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CG2H80030D-GP4 | 941-CG2H80030D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MMRF1009HSR5 | 841-MMRF1009HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,697.9839 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFQ18A,115 | 771-BFQ18A-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN 18V 150mA 4GHZ | 数据表 | 3954 有库存 | 1：¥7.6518 10：¥6.4818 100：¥4.9842 500：¥4.3992 1,000：¥3.4749 2,000：¥3.0771 10,000：¥2.9718 25,000：¥2.8782 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 475-102N20A-00 | 747-475-102N20A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-475 1000V 20A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 56 有库存 | 1：¥412.308 5：¥396.9342 10：¥388.0539 25：¥363.8115 50：¥351.7956 100：¥346.905 250：¥324.2655 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | VRF152 | 494-VRF152新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 6 有库存 | 1：¥563.4603 2：¥552.3687 5：¥546.3198 10：¥529.191 25：¥509.6052 50：¥502.8777 100：¥459.6579 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BAR8602LRHE6327XTSA1 | 726-602LRHE6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | BF1105R,215 | 771-BF1105R,215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Trans MOSFET N-CH 7V 0.03A 4pin(3+Tab) | 数据表 | 23820 有库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.7378 100：¥1.6731 1,000：¥1.287 3,000：¥1.10097 9,000：¥1.02492 24,000：¥0.9711 45,000：¥0.94887 99,000：¥0.91026 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AGR21045EF | 974-AGR21045EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 10Watt Gain 14.5dB | 无库存 | 1：¥455.1417 5：¥417.6549 10：¥374.8212 25：¥331.9875 50：¥299.8593 100：¥289.1538 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | ARF1505 | 494-ARF1505新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 3 有库存 | 1：¥1,503.2745 2：¥1,467.0864 5：¥1,445.5935 10：¥1,425.0951 25：¥1,405.5912 50：¥1,309.2066 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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