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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PXAC213308FVV1R0XTMA1 | 726-PXAC213308FVV1R0 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥919.9242 100：¥873.9549 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | MS1402 | 494-MS1402新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 无库存 | 1：¥496.4544 5：¥481.3848 10：¥467.2278 25：¥438.0129 50：¥427.5297 100：¥417.5847 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFR380L3E6327XTMA1 | 726-BFR380L3E6327XTM新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.0654 10：¥2.1294 100：¥0.97929 1,000：¥0.75699 2,500：¥0.64233 10,000：¥0.58851 15,000：¥0.55107 45,000：¥0.48906 90,000：¥0.47385 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFY64004SAMB4SA1 | 726-BFY64004SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | NPT2022 | 937-NPT2022新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,394.8038 10：¥1,137.7782 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU550XVL | 771-BFU550XVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.7729 100：¥1.6848 1,000：¥1.3104 2,500：¥1.10916 10,000：¥1.04013 25,000：¥0.97929 50,000：¥0.95589 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T2G6003028-FS | 772-T2G6003028-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,078.5762 25：¥932.8527 100：¥806.8671 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB072707FHV1R0XTMA1 | 726-PTFB072707FHV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥811.8396 100：¥771.2172 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | AFT23H200-4S2LR6 | 841-AFT23H200-4S2LR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 45W NI1230-4S2L | 数据表 | 无库存 | 150：¥728.8398 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | BFP 420F H6327 | 726-BFP420FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2940 有库存 | 1：¥3.2175 10：¥2.4453 100：¥1.3338 1,000：¥0.9945 3,000：¥0.85644 9,000：¥0.80262 24,000：¥0.74178 45,000：¥0.71136 99,000：¥0.68094 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFC260202FCV1R0XTMA1 | 726-PTFC260202FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥394.7112 100：¥365.8005 250：¥355.2354 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | CGHV96050F1 | 941-CGHV96050F1新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | BAS40T1SAMB4SA1 | 726-BAS40T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | MHT1002NR3 | 841-MHT1002NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRANSIS 915MHz, 350W CW,50V | 数据表 | 6 有库存 | 1：¥1,338.6555 5：¥1,308.8205 10：¥1,282.0509 25：¥1,263.1554 50：¥1,217.2563 100：¥1,189.8783 250：¥1,189.8783 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD57060-01 | 511-SD57060-01新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 7 Amp | 数据表 | 50 有库存 | 1：¥633.3795 5：¥621.7497 10：¥593.8218 25：¥574.0137 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF998E6327HTSA1 | 726-BF998E6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA | 数据表 | 9438 有库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.6208 100：¥1.4274 1,000：¥1.06353 3,000：¥0.91845 9,000：¥0.85644 24,000：¥0.78741 48,000：¥0.75699 99,000：¥0.72657 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MS2210 | 494-MS2210新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,274.4098 5：¥2,207.556 10：¥2,069.4141 25：¥2,020.1454 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF392 | 937-MRF392新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥745.3602 10：¥698.7825 25：¥682.4025 50：¥666.1161 100：¥628.8633 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1006HR5 | 841-MMRF1006HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,263.5629 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF8S7235NR3 | 841-MRF8S7235NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHZ OM780-2 | 数据表 | 无库存 | 250：¥720.4977 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | SD1274-01 | 974-SD1274-01新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 15 有库存 | 1：¥291.1428 10：¥282.0402 25：¥271.557 50：¥265.824 100：¥245.2437 200：¥242.8686 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | 375-102N15A-00 | 747-375-102N15A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-375 15A 1000V N Channel MOSFET | 数据表 | 36 有库存 | 1：¥173.4876 5：¥168.2928 10：¥157.7277 25：¥145.8756 50：¥143.0442 100：¥134.0937 250：¥122.0076 500：¥114.3558 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR 183 E6327 | 726-BFR183E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW | 数据表 | 14482 有库存 | 1：¥3.0654 10：¥2.3283 100：¥0.9945 1,000：¥0.76518 3,000：¥0.63531 9,000：¥0.58149 24,000：¥0.54288 48,000：¥0.48906 99,000：¥0.46683 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT21S230SR3 | 841-AFT21S230SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6 | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,067.4846 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
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