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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MDS70 | 494-MDS70 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 无库存 | 1：¥1,229.2722 2：¥1,199.7414 5：¥1,182.1446 10：¥1,165.3902 25：¥1,149.4899 50：¥1,070.6202 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 | |
 | PTFA091201EV4R0XTMA1 | 726-PTFA091201EV4R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥440.6103 100：¥408.33 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | DU2860U | 937-DU2860U新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥617.4675 5：¥555.6564 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PTFC262808SVV1R250XTMA1 | 726-PTFC262808SVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | AFT21S220W02SR3 | 841-AFT21S220W02SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 50 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥991.0602 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BLF2425M8L140J | 771-BLF2425M8L140J新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥869.8248 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | PD57018STR-E | 511-PD57018STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1：¥247.923 5：¥245.3139 10：¥228.6414 25：¥218.3922 100：¥195.2964 250：¥186.264 600：¥177.3135 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH09120F | 941-CGH09120F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt | 数据表 | 31 有库存 | 1：¥1,506.9483 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTVA123501FCV1R250XTMA1 | 726-PTVA123501FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 250：¥2,639.6721 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | PXAC243502FVV1R250XTMA1 | 726-PXAC243502FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 无库存 | 250：¥947.3139 | 最低： 250 倍数： 250 | ||
 | SD2933W | 511-SD2933W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥951.0579 5：¥932.3964 10：¥888.9426 25：¥870.2811 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 10502 | 494-10502新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3,662.2521 5：¥3,432.312 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BF904R,235 | 771-BF904R235新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.1301 10：¥3.4281 100：¥2.0826 1,000：¥1.6146 2,500：¥1.3806 10,000：¥1.287 20,000：¥1.2168 50,000：¥1.1817 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AT-30533-BLKG | 630-AT-30533-BLKG新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6738 10：¥3.159 100：¥2.0826 1,000：¥1.5327 2,500：¥1.3221 10,000：¥1.2168 25,000：¥1.16298 50,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SRF4427 | 494-SRF4427新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 2,500：¥11.0097 5,000：¥10.0971 | 最低： 2500 倍数： 1 | |
 | ATF-55143-TR2G | 630-ATF-55143-TR2G新产品 | Broadcom / Avago | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs Single Voltage | 数据表 | 无库存 | 1：¥11.3256 10：¥9.5589 100：¥7.6518 500：¥6.8796 1,000：¥5.5458 2,500：¥5.1597 5,000：¥4.9725 10,000：¥4.7853 20,000：¥4.5864 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR 182 E6327 | 726-BFR182E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 12700 有库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.5038 100：¥1.15479 1,000：¥0.88686 3,000：¥0.75699 9,000：¥0.68796 24,000：¥0.64233 48,000：¥0.58149 99,000：¥0.55809 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB091802FCV1R250XTMA1 | 726-FB091802FCV1R250新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 无库存 | 250：¥442.5174 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | 375-102N12A-00 | 747-375-102N12A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-375-102N12A 12A 1000V N Channel MOSFET | 数据表 | 35 有库存 | 1：¥233.0757 5：¥226.1142 10：¥211.9689 25：¥196.0569 50：¥192.231 100：¥180.1449 250：¥163.9989 500：¥153.6795 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2936 | 772-TGF2936新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 10Watt NF 1.3dB GaN | 数据表 | 无库存 | 50：¥272.0133 100：¥209.5938 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFU520YX | 771-BFU520YX新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 8855 有库存 | 1：¥5.3586 10：¥4.68 100：¥2.8314 1,000：¥2.2698 3,000：¥2.223 9,000：¥2.1528 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1011HSR5 | 841-MMRF1011HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,412.0359 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | IXRFSM18N50 | 747-IXRFSM18N50新产品 | .[^>]*/29" target="_blank"> | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMPD RF Power MOSFET | 数据表 | 无库存 | 1：¥307.6632 5：¥298.4787 10：¥279.7353 25：¥258.7104 50：¥253.7379 100：¥237.744 250：¥216.4032 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | VRF154FL | 494-VRF154FL新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥2,033.3079 2：¥1,984.3434 5：¥1,955.2806 10：¥1,927.6686 25：¥1,901.1915 50：¥1,770.8535 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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