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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1 新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | AFT27S010NT1 | 841-AFT27S010NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, .7-2.8MHz 45W | 数据表 | 950 有库存 | 1：¥123.0021 10：¥113.0571 25：¥108.0846 100：¥95.5422 250：¥85.293 500：¥82.4616 1,000：¥75.6522 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRF177 | 937-MRF177新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB | 数据表 | 22 有库存 | 1：¥505.2411 10：¥475.488 25：¥460.5705 50：¥445.7349 100：¥424.9323 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | 2SC5108-Y,LF | 757-2SC5108-YLF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-frequency Bipolar Transistor | 数据表 | 1887 有库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.3751 100：¥1.3806 1,000：¥0.9945 3,000：¥0.84123 24,000：¥0.76518 45,000：¥0.68796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLA6G1011L-200RG,1 | 771-BLA6G1011L200RG1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,096.3358 5：¥2,045.9205 10：¥1,995.0606 25：¥1,967.1327 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 450 H6327 | 726-BFP450H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 4687 有库存 | 1：¥4.2822 10：¥3.5568 100：¥2.2932 1,000：¥1.8369 3,000：¥1.5561 9,000：¥1.4976 24,000：¥1.4391 45,000：¥1.4157 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD57030S-E | 511-PD57030S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 400：¥261.1557 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | PTFC262808SVV1R250XTMA1 | 726-PTFC262808SVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | 2729GN-150 | 494-2729GN-150新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥2,754.7182 | 最低： 5 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF151GB | 974-MRF151GB新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥956.1825 10：¥925.587 25：¥894.9915 50：¥723.2589 100：¥694.0323 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | T2G4005528-FS | 772-T2G4005528-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,632.3957 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | MCH4016-TL-H | 863-MCH4016-TL-H新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 HIGH-FREQUENCY TR | 数据表 | 8990 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.5974 100：¥1.6029 1,000：¥1.2285 3,000：¥1.07055 9,000：¥0.9945 24,000：¥0.91845 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2955 | 772-TGF2955新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 40W 32V GaN P3dB @ 3GHz 46.5dBm | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MAPRST1030-1KS | 937-MAPRST1030-1KS新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 1030MHz 1000W Gain: 8.0dB | 数据表 | 3 有库存 | 1：¥5,071.9032 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SC5066-O,LF | 757-2SC5066OLF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor | 数据表 | 4290 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.0709 100：¥1.15479 1,000：¥0.84123 3,000：¥0.72657 9,000：¥0.68094 24,000：¥0.62712 45,000：¥0.60489 99,000：¥0.58149 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT05MS031GNR1 | 841-AFT05MS031GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V | 数据表 | 815 有库存 | 1：¥120.7908 10：¥111.0681 25：¥106.1775 100：¥93.7872 250：¥83.8422 500：¥81.0108 1,000：¥74.3535 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MMRF1023HSR5 | 841-MMRF1023HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 66 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,251.6075 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | NPT2021 | 937-NPT2021新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT | 数据表 | 无库存 | 1：¥636.129 10：¥612.5652 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55025S-E | 511-PD55025S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥166.9122 10：¥162.1737 100：¥149.3154 250：¥142.8102 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | VRF148AMP | 494-VRF148AMP新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 无库存 | 10：¥672.2352 25：¥646.8345 50：¥638.118 100：¥584.4969 | 最低： 10 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BLW77 | 974-BLW77新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥665.5077 10：¥554.5917 25：¥499.122 50：¥443.664 100：¥399.2976 200：¥310.5648 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 520F H6327 | 726-BFP520FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 1654 有库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.7729 100：¥1.6848 1,000：¥1.3104 3,000：¥1.10916 9,000：¥1.04013 24,000：¥0.97929 45,000：¥0.95589 99,000：¥0.92547 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB210801FAV1R0XTMA1 | 726-PTFB210801FAV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥364.9581 100：¥338.1768 250：¥328.4658 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | AFM907NT1 | 841-AFM907NT1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power | 数据表 | 832 有库存 | 1：¥17.5149 10：¥16.0641 25：¥14.6133 100：¥13.1625 250：¥12.0861 500：¥11.0097 1,000：¥9.8631 2,000：¥9.6408 5,000：¥9.1845 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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