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BLA6G1011L-200RG,1

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樊伊零件编号：
BLA6G1011L-200RG,1
制造商零件编号：
771-BLA6G1011L200RG1
制造商:
NXP Semiconductors
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
寿命周期:
新产品: 此制造商的新产品。
 
数据表品。
0

规格

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NXP Semiconductors
射频晶体管
详细信息
 
N-Channel
49 A
65 V
930 mOhms
Si
20 dB
200 W
+ 150 C
SMD/SMT
SOT-502D-3
Tube
Single
 
1.03 GHz to 1.09 GHz
 
RF Power MOSFET
 
NXP Semiconductors
 
20
 
13 V
 
2 V
 
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