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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SKY65050-372LF | 873-SKY65050-372LF 新产品 | Skyworks Solutions, Inc. | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz | 数据表 | 7999 有库存 | 1：¥14.3793 10：¥12.9285 25：¥11.3256 100：¥10.4013 250：¥9.1845 500：¥8.5644 1,000：¥6.903 3,000：¥6.6222 6,000：¥6.4584 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BFU530AVL | 771-BFU530AVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 9810 有库存 | 1：¥3.0654 10：¥2.4804 100：¥1.521 1,000：¥1.1817 2,500：¥1.00152 10,000：¥0.93366 25,000：¥0.88686 50,000：¥0.86463 100,000：¥0.83421 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | CG2H40045F | 941-CG2H40045F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt | 数据表 | 120 有库存 | 1：¥1,524.159 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB211503ELV1R250XTMA1 | 726-PTFB211503ELV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥511.9803 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF151 | 937-MRF151新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB | 数据表 | 213 有库存 | 1：¥413.5248 10：¥389.2005 25：¥377.0442 50：¥364.8762 100：¥347.8176 250：¥328.3956 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF1K50H-TF4 | 841-MRF1K50H-TF4新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF4 | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥10,005.8751 5：¥9,898.3989 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | LET9045F | 511-LET9045F新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF N-CH LdmoST 45W 18.5dB 960MHz | 数据表 | 31 有库存 | 1：¥636.4332 5：¥624.8034 10：¥596.6532 25：¥576.7749 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MD7IC2012NR1 | 841-MD7IC2012NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14 | 数据表 | 无库存 | 500：¥215.7948 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | BF999E6327HTSA1 | 726-BF999E6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.8197 100：¥1.7199 1,000：¥1.3338 3,000：¥1.13256 9,000：¥1.05534 24,000：¥1.00152 48,000：¥0.97929 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD1458 | 974-SD1458新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥731.5191 10：¥671.2407 25：¥602.3979 50：¥533.5551 100：¥481.9113 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PXAC260602FCV1R250XTMA1 | 726-PXAC260602FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥447.642 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | PTFA092201EV4R250XTMA1 | 726-PTFA092201EV4R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 250：¥908.5986 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | LET9060STR | 511-LET9060STR新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 1：¥413.7588 5：¥404.5041 10：¥388.674 25：¥376.1199 100：¥348.5898 250：¥338.5629 600：¥310.2606 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BF 2040W H6814 | 726-BF2040WH6814新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFETS | 数据表 | 17320 有库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.3166 100：¥0.9945 1,000：¥0.76518 3,000：¥0.58149 9,000：¥0.52065 24,000：¥0.48204 48,000：¥0.42822 99,000：¥0.41301 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD85035A-E | 511-PD85035A-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio Freq LDMO LDMOS 7/12 V HF/VHF | 数据表 | 无库存 | 400：¥166.374 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | MRF6V2300NBR5 | 841-MRF6V2300NBR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET | 数据表 | 185 有库存 | 1：¥1,089.3636 5：¥1,068.1749 10：¥1,032.9813 25：¥989.2233 50：¥975.6162 100：¥907.3818 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PTVA120251EAV1R250XTMA1 | 726-PTVA120251EAV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 250：¥425.0844 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BFU520AVL | 771-BFU520AVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 8239 有库存 | 1：¥3.744 10：¥2.9016 100：¥1.6029 1,000：¥1.2285 2,500：¥1.07055 10,000：¥0.9945 25,000：¥0.91845 50,000：¥0.84123 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD20015C | 511-PD20015C新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family | 数据表 | 无库存 | 1：¥479.0097 5：¥468.2223 10：¥449.9469 25：¥435.4857 100：¥403.5798 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLW86 | 974-BLW86新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 13 有库存 | 1：¥596.6532 10：¥497.2149 25：¥447.4899 50：¥397.7766 100：¥357.9966 200：¥278.4366 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD85035STR1-E | 511-PD85035STR1-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic | 数据表 | 无库存 | 600：¥180.9873 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
 | PTFB213004FV2R0XTMA1 | 726-PTFB213004FV2R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥974.5398 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | AFT21S232SR3 | 841-AFT21S232SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-2 | 数据表 | 无库存 | 250：¥711.6291 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
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