图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | ![]() |
供货情况 | 单价(含17%增值税) | 数量 | RoHS |
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PD54003L-E | 511-PD54003L-E![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam | 数据表 | 1704 有库存 | 1:¥66.6315 10:¥60.1965 25:¥57.447 100:¥49.8771 250:¥47.6541 500:¥43.4538 1,000:¥37.8612 3,000:¥36.4104 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
![]() | BFP 740F H6327 | 726-BFP740FH6327![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3219 有库存 | 1:¥3.744 10:¥3.1005 100:¥1.8837 1,000:¥1.4625 3,000:¥1.2519 9,000:¥1.16298 24,000:¥1.10097 45,000:¥1.07055 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
2731GN-110M | 494-2731GN-110M![]() 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor | 数据表 | 无库存 | 5:¥2,899.7631 | 最低: 5 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
PD57070S-E | 511-PD57070S-E![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 400:¥392.5701 | 最低: 400 倍数: 400 | ![]() 详细信息 | |
![]() | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1![]() 新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ||
STAC1011-350 | 511-STAC1011-350![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 36V 1030-1090 MHz LDMOS TRANSISTOR | 数据表 | 5 有库存 | 1:¥1,275.4755 5:¥1,244.7981 10:¥1,213.8984 25:¥1,196.91 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
PD57006S-E | 511-PD57006S-E![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 400:¥91.4121 800:¥85.5153 | 最低: 400 倍数: 400 | ![]() 详细信息 | |
![]() | PTFB213004FV2R250XTMA1 | 726-PTFB213004FV2R25![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250:¥861.1785 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 |
![]() | PTAB182002TCV1R250XTMA1 | 726-PTAB182002TCV1R2![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ||
AFT18S230SR3 | 841-AFT18S230SR3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6 | 数据表 | 无库存 | 250:¥711.6291 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 | |
![]() | AFT26HW050GSR3 | 841-AFT26HW050GSR3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHz50W NI780-4S4G | 数据表 | 无库存 | 250:¥715.3731 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 |
![]() | VRF161MP | 494-VRF161MP![]() 新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 4 有库存 | 1:¥854.7552 2:¥828.2079 5:¥827.9739 10:¥801.2862 25:¥771.0651 50:¥760.6638 100:¥696.7935 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
![]() | MMRF1011HR5 | 841-MMRF1011HR5![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50:¥3,412.0359 | 最低: 50 倍数: 50 | ![]() 详细信息 |
![]() | MMBT5179 | 512-MMBT5179![]() 新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor | 数据表 | 9969 有库存 | 1:¥2.3751 10:¥1.5795 100:¥0.66573 1,000:¥0.45162 3,000:¥0.35217 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MRF8P9040NR1 | 841-MRF8P9040NR1![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W | 数据表 | 无库存 | 500:¥132.3387 | 最低: 500 倍数: 500 | ![]() 详细信息 |
![]() | PD85015TR-E | 511-PD85015TR-E![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1:¥156.2067 5:¥154.5921 10:¥144.1206 25:¥137.6154 100:¥123.084 250:¥117.4212 600:¥111.7584 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MRF10502 | 937-MRF10502![]() 新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 1025-1150MHz 500W Gain 8.5dB | 数据表 | 24 有库存 | 1:¥2,293.083 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | SD1477 | 974-SD1477![]() 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1:¥550.7658 10:¥458.9676 25:¥413.0685 50:¥367.1694 100:¥330.4548 200:¥257.0256 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MAGX-011086 | 937-MAGX-011086![]() 新产品 | .[^>]*/29" target="_blank"> | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 M/A-COM Technology Solutions | 数据表 | 108 有库存 | 1:¥159.8688 10:¥147.8646 25:¥136.0125 50:¥130.4199 100:¥126.2898 250:¥115.8885 500:¥110.3076 | 最低: 1 倍数: 1 | |
![]() | BLF184XRS | 771-BLF184XRS![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1:¥1,053.2574 5:¥1,032.525 10:¥984.4146 25:¥963.7524 100:¥915.5601 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1![]() 新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ||
![]() | CGH27030F | 941-CGH27030F![]() 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 41 有库存 | 1:¥707.8032 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1![]() 新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ||
![]() | CG2H40025F | 941-CG2H40025F![]() 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt | 数据表 | 250 有库存 | 1:¥918.3915 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |