24小时服务热线
021-31300595
| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BLW96 | 974-BLW96 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 29 有库存 | 1：¥1,277.4645 5：¥1,273.6386 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BYI-1F | 494-BYI-1F新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 75：¥769.0761 100：¥744.6699 | 最低： 75 倍数： 1 | |
 | ARF447G | 494-ARF447G新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 16 有库存 | 1：¥360.9801 2：¥351.1872 5：¥341.4762 10：¥331.7535 25：¥308.2716 50：¥300.7719 100：¥287.3871 250：¥262.6065 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | LET16045C | 511-LET16045C新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 45W 16dB 1600 | 数据表 | 无库存 | 50：¥610.0497 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PD57002-E | 511-PD57002-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥81.1629 10：¥74.5875 25：¥71.5221 100：¥63.0279 250：¥59.8923 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M6LS180P:11 | 771-BLF2425M6LS180P新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,049.1975 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | ATF-53189-TR1 | 630-ATF-53189-TR1新产品 | Broadcom / Avago | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs High Linearity | 数据表 | 无库存 | 1：¥34.2693 10：¥29.1447 100：¥25.2486 250：¥23.9382 500：¥21.4929 1,000：¥18.135 3,000：¥17.2107 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BG 3130R H6327 | 726-BG3130RH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFETS | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.2175 10：¥2.4453 100：¥1.3221 1,000：¥0.9945 3,000：¥0.85644 9,000：¥0.80262 24,000：¥0.73476 48,000：¥0.71136 99,000：¥0.68094 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTAC240502FCV1R250XTMA1 | 726-PTAC240502FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥432.3501 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | AFT21S230-12SR3 | 841-AFT21S230-12SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ NI780-2L2L | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,067.4846 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PXAC203302FVV1R250XTMA1 | 726-AC203302FVV1R250新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥880.1442 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PXAC200902FCV1R2XTMA1 | 726-PXAC200902FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 250：¥350.1108 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF8S18210WGHSR3 | 841-MRF8S18210WGHSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 210W | 数据表 | 无库存 | 250：¥771.147 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFY740B01PB4SA1 | 726-BFY740B01PB4SA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MW7IC2425NBR1 | 841-MW7IC2425NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 2400MHZ 4W TO270WB16G | 数据表 | 无库存 | 500：¥598.338 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | PTFB192503ELV1R250XTMA1 | 726-PTFB192503ELV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 无库存 | 250：¥646.3782 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | ASMA101 | 974-ASMA101新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 50 Ohm | 无库存 | 1：¥390.1248 10：¥357.9966 25：¥321.282 50：¥284.5557 100：¥237.8259 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PD85035-E | 511-PD85035-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥253.0476 5：¥250.4385 10：¥233.3799 25：¥222.9084 100：¥199.3446 250：¥190.1601 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD0060 | 772-QPD0060新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V | 数据表 | 无库存 | 2,500：¥361.4364 | 最低： 2500 倍数： 100 | 详细信息 |
 | BLV21 | 974-BLV21新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥504.8667 10：¥420.7203 25：¥378.6471 50：¥336.5739 100：¥302.913 200：¥235.6029 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV59070F | 941-CGHV59070F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.9GHz, 70 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MRF6V3090NBR1 | 841-MRF6V3090NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4 | 数据表 | 无库存 | 500：¥449.2566 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | PTVA093002TCV1R250XUMA1 | 726-PTVA093002TCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | AFM906NT1 | 841-AFM906NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V | 数据表 | 1936 有库存 | 1：¥18.2052 10：¥16.6725 25：¥15.1515 100：¥13.689 250：¥12.5424 500：¥11.3958 1,000：¥10.2492 2,000：¥10.0152 5,000：¥9.4887 | 最低： 1 倍数： 1 |
版权所有 Copyright(C)2009-2018 上海樊伊电子科技有限公司 沪ICP备16047676号
