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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFU530XRR | 771-BFU530XRR 新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 2566 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.5974 100：¥1.6029 1,000：¥1.2285 3,000：¥1.07055 9,000：¥0.9945 24,000：¥0.91845 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | ARF475FL | 494-ARF475FL新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥737.0298 2：¥714.1563 5：¥713.9223 10：¥690.8967 25：¥664.8876 50：¥655.8669 100：¥600.7833 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLC8G27LS-240AVJ | 771-BLC8G27LS-240AVJ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 100：¥887.796 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | PTRA094808NFV1R5XUMA1 | 726-PTRA094808NFV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 500：¥688.9896 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | AGR26125EF | 974-AGR26125EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.5-2.7GHz 20Watt Gain 11.5dB | 无库存 | 1：¥1,072.8315 5：¥984.4848 10：¥883.5138 25：¥782.5428 50：¥706.8087 100：¥681.5718 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRF6VP3450HR5 | 841-MRF6VP3450HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H | 数据表 | 117 有库存 | 1：¥1,426.7799 5：¥1,394.9559 10：¥1,366.4196 25：¥1,346.2254 50：¥1,297.3428 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLP05H675XRY | 771-BLP05H675XRY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥464.5485 5：¥454.1472 10：¥436.3983 25：¥422.3232 100：¥391.4235 200：¥380.1798 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFP843H6327XTSA1 | 726-BFP843H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.925 100：¥1.7901 1,000：¥1.3806 3,000：¥1.1817 9,000：¥1.09395 24,000：¥1.04013 45,000：¥1.0179 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTAB182002FCV1R250XTMA1 | 726-PTAB182002FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥560.2428 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BLF2425M7LS250P:11 | 771-BLF2425M7LS250P1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 13dB | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,288.7784 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | MMRF1004GNR1 | 841-MMRF1004GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥158.8041 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | BAR8602LRHE6327XTSA1 | 726-602LRHE6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | MT3S20TU(TE85L) | 757-MT3S20TUTE85L新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V | 数据表 | 3506 有库存 | 1：¥3.5217 10：¥2.3049 100：¥1.287 1,000：¥0.94068 3,000：¥0.81081 9,000：¥0.75699 24,000：¥0.69615 45,000：¥0.67275 99,000：¥0.64233 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MCH4015-TL-H | 863-MCH4015-TL-H新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 HIGH FREQUENCY AMPLIFIER | 数据表 | 8964 有库存 | 1：¥3.0654 10：¥2.4804 100：¥1.521 1,000：¥1.1817 3,000：¥1.00152 9,000：¥0.93366 24,000：¥0.88686 45,000：¥0.86463 99,000：¥0.83421 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU590QX | 771-BFU590QX新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 5625 有库存 | 1：¥6.9615 10：¥5.7447 100：¥3.6972 1,000：¥2.9718 2,000：¥2.5038 10,000：¥2.4102 25,000：¥2.3166 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2040 | 772-TGF2040新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 13dB P1dB 26dBm | 数据表 | 无库存 | 100：¥50.7195 300：¥47.3499 500：¥44.2962 1,000：¥41.3829 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | BFR 750L3RH E6327 | 726-BFR750L3RHE6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | BLV20 | 974-BLV20新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 20 有库存 | 1：¥504.8667 10：¥420.7203 25：¥378.6471 50：¥336.5739 100：¥302.913 200：¥235.6029 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 196 E6327 | 726-BFP196E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 13941 有库存 | 1：¥3.0654 10：¥2.1411 100：¥0.98631 1,000：¥0.75699 3,000：¥0.64233 9,000：¥0.58851 24,000：¥0.55107 48,000：¥0.49725 99,000：¥0.47385 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB213208FVV2R0XTMA1 | 726-PTFB213208FVV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 无库存 | 50：¥1,105.2756 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | VRF151 | 494-VRF151新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 8 有库存 | 1：¥421.1766 2：¥409.7106 5：¥398.385 10：¥386.9892 25：¥359.6814 50：¥350.883 100：¥335.2752 250：¥306.3645 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 0912-7 | 494-0912-7新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,109.4759 2：¥1,082.7765 5：¥1,066.9464 10：¥1,051.8768 25：¥1,037.4156 50：¥966.2796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR740L3RHE6327XTSA1 | 726-BFR740L3RHE6327X新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor | 数据表 | 9846 有库存 | 1：¥6.2712 10：¥5.1831 100：¥3.3462 1,000：¥2.6793 2,500：¥2.2581 10,000：¥2.1762 15,000：¥2.0943 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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