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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF8S18120HSR3 | 841-MRF8S18120HSR3 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 120W NI780HS | 数据表 | 193 有库存 | 1：¥826.2189 5：¥810.1548 10：¥783.4554 25：¥750.2625 50：¥740.0133 100：¥688.2174 250：¥672.7734 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | CE3521M4 | 551-CE3521M4新产品 | CEL | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C | 数据表 | 319 有库存 | 1：¥12.6243 10：¥9.945 100：¥7.956 500：¥6.3648 1,000：¥5.4639 2,500：¥5.1714 5,000：¥4.9725 10,000：¥4.8672 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT05MS031NR1 | 841-AFT05MS031NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 UHF 13.6V | 数据表 | 536 有库存 | 1：¥95.004 10：¥87.3522 25：¥83.5263 100：¥73.8153 250：¥65.9412 500：¥63.7182 1,000：¥58.4415 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | NPTB00004A | 937-NPTB00004A新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT | 数据表 | 583 有库存 | 1：¥90.8739 10：¥87.5043 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7LS140,118 | 771-BLF2425M7LS14011新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 100：¥869.8248 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | MRF6VP3091NR5 | 841-MRF6VP3091NR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W | 数据表 | 无库存 | 50：¥746.9748 100：¥694.7226 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | TPV595A | 974-TPV595A新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,544.2713 10：¥1,417.0572 25：¥1,271.7198 50：¥1,126.3824 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP760H6327XTSA1 | 726-BFP760H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 2936 有库存 | 1：¥3.744 10：¥3.0654 100：¥1.872 1,000：¥1.4508 3,000：¥1.2285 9,000：¥1.14777 24,000：¥1.08576 45,000：¥1.06353 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1320NR1 | 841-MMRF1320NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥293.8923 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | QPD2730 | 772-QPD2730新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN | 数据表 | 26 有库存 | 1：¥1,266.3729 25：¥1,105.1937 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFC262157FHV1XWSA1 | 726-PTFC262157FHV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MAPRST1214-150UF | 937-MAPRST1214-150UF新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 150W Gain: 7.4dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥3,483.9441 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BAR8602LRHE6327XTSA1 | 726-602LRHE6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | BFP 420 H6801 | 726-BFP420H6801新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5465 有库存 | 1：¥3.2175 10：¥2.6442 100：¥1.6029 1,000：¥1.2519 3,000：¥1.06353 9,000：¥0.98631 24,000：¥0.94068 48,000：¥0.91845 99,000：¥0.87984 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | 2N5643 | 974-2N5643新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 8 有库存 | 1：¥573.7095 10：¥478.0971 25：¥430.2792 50：¥382.473 100：¥344.2257 200：¥267.7311 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 840ESD H6327 | 726-BFP840ESDH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 2190 有库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.925 100：¥1.7901 1,000：¥1.3806 3,000：¥1.1817 9,000：¥1.09395 24,000：¥1.04013 45,000：¥1.0179 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR 840L3RHESD E6327 | 726-BFR840L3RHESDE新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 无库存 | 15,000：¥1.3689 45,000：¥1.3338 | 最低： 15000 倍数： 15000 | 详细信息 |
 | PTFA080551EV4R0XTMA1 | 726-PTFA080551EV4R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥347.7474 100：¥322.2765 250：¥312.9399 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PXAC201202FCV2R0XTMA1 | 726-PXAC201202FCV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥487.656 100：¥451.9359 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF171A | 937-MRF171A新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB | 数据表 | 17 有库存 | 1：¥248.9175 10：¥241.6518 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP405H6740XTSA1 | 726-BFP405H6740XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.9718 100：¥1.8135 1,000：¥1.404 3,000：¥1.1934 9,000：¥1.11735 24,000：¥1.05534 45,000：¥1.03311 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T18S260-12SR3 | 841-A2T18S260-12SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 50 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥770.3046 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | MRF151G | 974-MRF151G新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,309.2066 10：¥1,267.2855 25：¥1,225.4463 50：¥990.2997 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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