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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BF1201R,215 | 771-BF1201R215 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 | |
 | MRFE6P3300HR3 | 841-MRFE6P3300HR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 300W NI860ML | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | BLF278 | 974-BLF278新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | SD2932W | 511-SD2932W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | ASMA201 | 974-ASMA201新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 1-500MHz Gain Block NF=7.5dB Max. 50 Ohm | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | ||
 | BF513,215 | 771-BF513215新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 435 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFP842ESDH6327XTSA1 | 726-BFP842ESDH6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 4920 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | STAC150V2-350E | 511-STAC150V2-350E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Transistor 40.68 MHz 700V | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | PTVA030121EAV1R250XTMA1 | 726-PTVA030121EAV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | ||
 | BFR 181W H6327 | 726-BFR181WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 9475 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PMBFJ308,215 | 771-PMBFJ308215新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 1151 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MMBT2222A-G | 750-MMBT2222A-G新产品 | Comchip Technology | 射频(RF)双极晶体管 VCEO=40V IC=600mA | 数据表 | 5424 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | 1517-20M | 494-1517-20M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 10 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | CGHV1F006S | 941-CGHV1F006S新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | T1G4020036-FS | 772-T1G4020036-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | PTFB213208FVV1R250XTMA1 | 726-PTFB213208FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | ||
 | BLP27M810Z | 771-BLP27M810Z新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP27M810/HVSON16/REEL 7" Q1/T | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | |||
 | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PTVA104501EHV1R250XTMA1 | 726-PTVA104501EHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | ||
 | PD85025STR-E | 511-PD85025STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BAR8602LRHE6327XTSA1 | 726-602LRHE6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | SD3931-10 | 511-SD3931-10新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFU660F,115 | 771-BFU660F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz | 数据表 | 5039 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFP 720ESD H6327 | 726-BFP720ESDH6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 3669 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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