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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BF1201R,215 | 771-BF1201R215 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0599 10：¥3.3228 100：¥2.0241 1,000：¥1.5678 3,000：¥1.3338 9,000：¥1.2519 24,000：¥1.1817 45,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | MRFE6P3300HR3 | 841-MRFE6P3300HR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 900MHZ 300W NI860ML | 数据表 | 无库存 | 250：¥2,439.4851 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BLF278 | 974-BLF278新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,231.4133 10：¥1,185.6663 25：¥1,129.4478 50：¥1,116.8235 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD2932W | 511-SD2932W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,165.6242 5：¥1,142.6805 10：¥1,089.4338 25：¥1,066.5603 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ASMA201 | 974-ASMA201新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 1-500MHz Gain Block NF=7.5dB Max. 50 Ohm | 无库存 | 1：¥585.1872 10：¥536.9949 25：¥481.9113 50：¥426.8394 100：¥356.6979 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BF513,215 | 771-BF513215新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 435 有库存 | 1：¥5.3586 10：¥4.4343 100：¥2.8665 1,000：¥2.2932 3,000：¥1.9305 9,000：¥1.872 24,000：¥1.7901 45,000：¥1.7667 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP842ESDH6327XTSA1 | 726-BFP842ESDH6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 4920 有库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.925 100：¥1.7901 1,000：¥1.3806 3,000：¥1.1817 9,000：¥1.09395 24,000：¥1.04013 45,000：¥1.0179 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | STAC150V2-350E | 511-STAC150V2-350E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Transistor 40.68 MHz 700V | 数据表 | 无库存 | 50：¥753.4683 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTVA030121EAV1R250XTMA1 | 726-PTVA030121EAV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 250：¥333.5904 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BFR 181W H6327 | 726-BFR181WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 9475 有库存 | 1：¥2.5272 10：¥1.872 100：¥0.70317 1,000：¥0.54288 3,000：¥0.45864 9,000：¥0.38961 24,000：¥0.36738 48,000：¥0.34398 99,000：¥0.29835 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PMBFJ308,215 | 771-PMBFJ308215新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 1151 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.5974 100：¥1.6029 1,000：¥1.2285 3,000：¥1.07055 9,000：¥0.9945 24,000：¥0.91845 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBT2222A-G | 750-MMBT2222A-G新产品 | Comchip Technology | 射频(RF)双极晶体管 VCEO=40V IC=600mA | 数据表 | 5424 有库存 | 1：¥1.989 10：¥1.2987 100：¥0.61191 1,000：¥0.38259 3,000：¥0.30654 24,000：¥0.22932 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 1517-20M | 494-1517-20M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 10：¥1,871.8947 25：¥1,846.2717 50：¥1,719.6777 | 最低： 10 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV1F006S | 941-CGHV1F006S新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt | 数据表 | 无库存 | 1：¥305.0658 250：¥305.0658 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T1G4020036-FS | 772-T1G4020036-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | PTFB213208FVV1R250XTMA1 | 726-PTFB213208FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,005.0651 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BLP27M810Z | 771-BLP27M810Z新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP27M810/HVSON16/REEL 7" Q1/T | 无库存 | 1：¥224.5113 5：¥222.2181 10：¥207.0666 25：¥197.8119 100：¥176.8572 250：¥168.6672 500：¥160.5591 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PTVA104501EHV1R250XTMA1 | 726-PTVA104501EHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,930.6521 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | PD85025STR-E | 511-PD85025STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥219.0825 5：¥216.8595 10：¥202.0941 25：¥192.9915 100：¥172.575 250：¥164.619 600：¥156.7332 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BAR8602LRHE6327XTSA1 | 726-602LRHE6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | SD3931-10 | 511-SD3931-10新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1：¥612.3429 5：¥601.0992 10：¥574.0956 25：¥554.8959 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU660F,115 | 771-BFU660F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz | 数据表 | 5039 有库存 | 1：¥4.2822 10：¥3.51 100：¥2.1411 1,000：¥1.6614 3,000：¥1.4157 9,000：¥1.3104 24,000：¥1.2519 45,000：¥1.2168 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 720ESD H6327 | 726-BFP720ESDH6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 3669 有库存 | 1：¥4.212 10：¥3.4632 100：¥2.106 1,000：¥1.6263 3,000：¥1.3923 9,000：¥1.287 24,000：¥1.2285 45,000：¥1.2051 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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