24小时服务热线
021-31300595
| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1214-150L | 494-1214-150L 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,841.0057 5：¥2,662.6275 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | TGF2957 | 772-TGF2957新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 70W 32V GaN P3dB @ 3GHz 48.6dBm | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | PTFB072707FHV1R250XTMA1 | 726-PTFB072707FHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥717.444 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BFP 182W H6327 | 726-BFP182WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.9835 10：¥2.0709 100：¥0.95589 1,000：¥0.73476 3,000：¥0.62712 9,000：¥0.5733 24,000：¥0.53586 48,000：¥0.48204 99,000：¥0.45864 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD1015L | 772-QPD1015L新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN | 数据表 | 34 有库存 | 1：¥1,032.6771 25：¥894.9915 100：¥772.5978 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR35APE6327HTSA1 | 726-BFR35APE6327HTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 3000 有库存 | 1：¥2.9016 10：¥2.1996 100：¥1.1934 1,000：¥0.89505 3,000：¥0.7722 9,000：¥0.71955 24,000：¥0.65754 45,000：¥0.63531 99,000：¥0.61191 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC203302FVV1R0XTMA1 | 726-PXAC203302FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 无库存 | 50：¥995.9625 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | BFP182RE7764HTSA1 | 726-BFP182RE7764HTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 9,000：¥0.84123 24,000：¥0.7722 48,000：¥0.74178 99,000：¥0.71136 | 最低： 9000 倍数： 3000 | 详细信息 |
 | MCH4014-TL-H | 863-MCH4014-TL-H新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 HIGH FREQUENCY AMPLIFIER | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.5974 100：¥1.6029 1,000：¥1.2285 3,000：¥1.07055 9,000：¥0.9945 24,000：¥0.91845 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 410 H6327 | 726-BFP410H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 3142 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.5857 100：¥1.5795 1,000：¥1.2168 3,000：¥1.04013 9,000：¥0.9711 24,000：¥0.91845 45,000：¥0.89505 99,000：¥0.86463 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BAS40T1SAMB4SA1 | 726-BAS40T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | AFT09MS031GNR1 | 841-AFT09MS031GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V | 数据表 | 465 有库存 | 1：¥107.3241 10：¥98.6778 25：¥94.3137 100：¥83.3742 250：¥74.5056 500：¥71.9784 1,000：¥66.0114 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | 2SK3075(TE12L,Q) | 757-2SK3075TE12LQ新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥51.4098 10：¥41.3127 100：¥37.7091 250：¥34.0353 500：¥30.5253 1,000：¥25.7049 2,000：¥24.4764 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PH3134-30S | 937-PH3134-30S新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,892.4048 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRF150J | 937-MRF150J新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥413.5248 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | DU28120T | 937-DU28120T新产品 | .[^>]*/29" target="_blank"> | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.175MHz 120W MOSFET | 数据表 | 无库存 | 1：¥809.5464 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZ308N120 | 747-IXZ308N120新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 08A 1200V N Channel ZMOS Switch MOSFET | 数据表 | 51 有库存 | 1：¥285.48 5：¥276.9156 10：¥259.5411 25：¥240.1191 50：¥235.4508 100：¥220.6152 250：¥200.7954 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8P8300HR6 | 841-MRF8P8300HR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230H | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,068.8535 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | LET9070CB | 511-LET9070CB新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST 28V 70W 16dB 945MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥795.5415 5：¥780.9282 10：¥745.8282 25：¥720.9657 100：¥671.3109 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTAC210802FCV1R250XTMA1 | 726-PTAC210802FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥381.0924 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | MMRF1005HSR5 | 841-MMRF1005HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,995.5871 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | 275-102N06A-00 | 747-275-102N06A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-275 1000V 6A N Channel MOSFET | 数据表 | 34 有库存 | 1：¥128.2086 5：¥124.3827 10：¥116.5788 25：¥107.7804 50：¥105.7212 100：¥99.0639 250：¥90.1836 500：¥84.5208 1,000：¥82.7658 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD1477 | 974-SD1477新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥550.7658 10：¥458.9676 25：¥413.0685 50：¥367.1694 100：¥330.4548 200：¥257.0256 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6VP121KHR5 | 841-MRF6VP121KHR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,435.4583 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
版权所有 Copyright(C)2009-2018 上海樊伊电子科技有限公司 沪ICP备16047676号
