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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF6VP3450HR6 | 841-MRF6VP3450HR6 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,426.7799 5：¥1,394.9559 10：¥1,366.4196 25：¥1,346.2254 50：¥1,297.3428 100：¥1,268.2098 150：¥1,268.2098 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BLF2425M7L100U | 771-BLF2425M7L100U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥746.5068 120：¥695.1087 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | VRF2944 | 494-VRF2944新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 6 有库存 | 1：¥982.80 2：¥963.5301 5：¥931.4019 10：¥914.6475 25：¥895.752 50：¥854.0649 100：¥827.0613 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBTH10-TP | 833-MMBTH10-TP新产品 | Micro Commercial Components (MCC) | 射频(RF)双极晶体管 225mW, 25V,50mA | 数据表 | 2970 有库存 | 1：¥2.1411 10：¥1.4157 100：¥0.58851 1,000：¥0.40599 3,000：¥0.30654 9,000：¥0.25974 24,000：¥0.24453 45,000：¥0.22932 99,000：¥0.1989 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BG 3130 H6327 | 726-BG3130H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFETS | 数据表 | 8900 有库存 | 1：¥3.2175 10：¥2.4453 100：¥1.3221 1,000：¥0.9945 3,000：¥0.85644 9,000：¥0.80262 24,000：¥0.73476 48,000：¥0.71136 99,000：¥0.68094 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR106E6327HTSA1 | 726-BFR106E6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.9835 10：¥2.223 100：¥1.2051 1,000：¥0.90207 3,000：¥0.78039 9,000：¥0.72657 24,000：¥0.67275 48,000：¥0.64233 99,000：¥0.6201 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1317HSR5 | 841-MMRF1317HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥6,092.7984 5：¥6,045.0624 10：¥5,998.0167 25：¥5,869.7379 50：¥5,731.8183 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | 2SK3756(TE12L,F) | 757-2SK3756TE12LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS | 数据表 | 104 有库存 | 1：¥12.8466 10：¥10.3311 100：¥8.2602 500：¥7.2189 1,000：¥5.9787 2,000：¥5.5692 5,000：¥5.3586 10,000：¥5.1597 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT09H310-04GSR6 | 841-AFT09H310-04GSR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 900MHZ 310W NI1230-4GS | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,025.7156 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | CG2H80015D-GP4 | 941-CG2H80015D-GP4新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt | 数据表 | 无库存 | 10：¥393.8688 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 |
 | A2T18S160W31SR3 | 841-A2T18S160W31SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 32 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,155.141 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PD54008S-E | 511-PD54008S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 275 有库存 | 1：¥120.1707 10：¥110.4597 25：¥105.8733 100：¥93.3192 250：¥88.7328 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLX15 | 974-BLX15新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥731.5191 10：¥671.2407 25：¥602.3979 50：¥533.5551 100：¥481.9113 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PTVA123501ECV2R250XTMA1 | 726-PTVA123501ECV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 250：¥2,639.754 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | AGR09045EF | 974-AGR09045EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥504.8667 10：¥420.7203 25：¥378.6471 50：¥336.5739 100：¥302.913 200：¥235.6029 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFR 193 E6327 | 726-BFR193E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW | 数据表 | 15367 有库存 | 1：¥2.8314 10：¥2.106 100：¥0.90207 1,000：¥0.69615 3,000：¥0.61191 9,000：¥0.54288 24,000：¥0.50544 48,000：¥0.45162 99,000：¥0.43641 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFC262157FHV1R0XTMA1 | 726-PTFC262157FHV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥839.5335 100：¥797.6124 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MMRF1007HSR5 | 841-MMRF1007HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,224.1797 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PTFA092201EV4R0XTMA1 | 726-PTFA092201EV4R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,028.1609 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | AFT26H250W03SR6 | 841-AFT26H250W03SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,352.9646 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | BLT81,115 | 771-BLT81115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF | 数据表 | 1331 有库存 | 1：¥18.5913 10：¥15.8301 100：¥12.6243 500：¥11.0916 1,000：¥9.1845 2,000：¥8.5644 5,000：¥8.2602 10,000：¥7.956 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD1143-01 | 974-SD1143-01新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥747.7353 10：¥686.1582 25：¥615.7827 50：¥545.4072 100：¥492.6285 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF151G | 937-MRF151G新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB | 数据表 | 226 有库存 | 1：¥857.2005 10：¥803.6496 25：¥784.836 50：¥766.0926 100：¥723.2589 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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