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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IXZ316N60 | 747-IXZ316N60 新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZ316N60 16V 600A N Channel ZMOS Switch MOSFET | 数据表 | 60 有库存 | 1：¥309.0438 5：¥299.7774 10：¥280.9638 25：¥259.9272 50：¥254.8845 100：¥238.8204 250：¥217.3977 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BFT92,215 | 771-BFT92-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 PNP 25MA 15V 5GHZ | 数据表 | 9362 有库存 | 1：¥4.6683 10：¥3.8727 100：¥2.3634 1,000：¥1.8252 3,000：¥1.5561 9,000：¥1.4508 24,000：¥1.3806 45,000：¥1.3338 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | DSA3G0100L | 667-DSA3G0100L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 1.2x1.2mm Flat lead | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.7495 10：¥1.7784 100：¥0.83421 500：¥0.63531 1,000：¥0.50544 2,500：¥0.38259 10,000：¥0.29835 20,000：¥0.28314 50,000：¥0.23751 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1008HSR5 | 841-MMRF1008HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,973.2518 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BF 888 H6327 | 726-BF888H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0599 10：¥3.2994 100：¥2.0124 1,000：¥1.5561 3,000：¥1.3338 9,000：¥1.2402 24,000：¥1.17 45,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB212503ELV1R0XTMA1 | 726-PTFB212503ELV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥757.5282 100：¥705.3579 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF1000MB | 974-MRF1000MB新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥596.6532 10：¥497.2149 25：¥447.4899 50：¥397.7766 100：¥357.9966 200：¥278.4366 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTVA047002EVV1R0XTMA1 | 726-PTVA047002EVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,123.1873 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF8P20140WGHSR3 | 841-MRF8P20140WGHSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1880-2025 MHz 24 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥696.8637 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| PTFA211801EV5R0XTMA1 | 726-PTFA211801EV5R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥994.6638 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PXAC261212FCV1R250XTMA1 | 726-PXAC261212FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥502.5735 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | T1G4004532-FL | 772-T1G4004532-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB | 数据表 | 29 有库存 | 1：¥1,835.8704 25：¥1,656.8721 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU725F/N1,115 | 771-BFU725FN1115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN | 数据表 | 26232 有库存 | 1：¥3.6738 10：¥2.7612 100：¥1.4976 1,000：¥1.12437 3,000：¥0.9711 9,000：¥0.90207 24,000：¥0.83421 45,000：¥0.80262 99,000：¥0.76518 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2731-100M | 494-2731-100M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 20：¥2,596.7565 | 最低： 20 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRF157 | 974-MRF157新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3,939.4719 10：¥3,763.539 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MAPR-000912-500S00 | 937-MAPR000912500S00新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 500W Gain: 9.0dB min | 数据表 | 3 有库存 | 1：¥5,253.417 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV35150F | 941-CGHV35150F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MAPRST0912-350 | 937-MAPRST0912-350新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥3,405.0042 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T2G6000528-Q3 | 772-T2G6000528-Q3新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz | 数据表 | 170 有库存 | 1：¥615.0222 25：¥520.5447 100：¥440.6103 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6VP2600HR5 | 841-MRF6VP2600HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 225MHZ NI1230 | 数据表 | 165 有库存 | 1：¥2,252.5308 5：¥2,217.9573 10：¥2,184.9165 25：¥2,137.7889 50：¥2,104.9821 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1109WR,115 | 771-BF1109WR-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.1301 10：¥3.3696 100：¥2.0592 1,000：¥1.5912 3,000：¥1.3572 9,000：¥1.2636 24,000：¥1.2051 45,000：¥1.17 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2018 | 772-TGF2018新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm | 数据表 | 100 有库存 | 100：¥44.6004 300：¥41.6871 500：¥38.9376 1,000：¥36.4104 2,500：¥36.2583 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
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