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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | T1G2028536-FL | 772-T1G2028536-FL 新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN | 数据表 | 25 有库存 | 1：¥3,885.921 25：¥3,581.253 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | AGR26180EF | 974-AGR26180EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.535-2.655GHz27Watt Gain 12.5dB | 无库存 | 1：¥1,170.3627 5：¥1,073.9898 10：¥963.8343 25：¥853.6788 50：¥771.0651 100：¥743.5233 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | DRF1200 | 494-DRF1200新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 9 有库存 | 1：¥1,113.9102 2：¥1,087.1406 5：¥1,071.2286 10：¥1,056.0888 25：¥1,041.6276 50：¥970.1757 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | UF2840G | 937-UF2840G新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,099.5309 10：¥989.6094 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8S9260HSR3 | 841-MRF8S9260HSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880HS | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,018.9062 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF4427R2 | 494-MRF4427R2新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 RF NPN Transistor | 无库存 | 2,500：¥10.179 5,000：¥9.7929 | 最低： 2500 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF137 | 937-MRF137新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB | 数据表 | 98 有库存 | 1：¥229.5657 10：¥226.1142 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55025-E | 511-PD55025-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch | 数据表 | 无库存 | 1：¥219.0825 5：¥216.8595 10：¥202.0941 25：¥192.9915 100：¥172.575 250：¥164.619 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP61K25HSR5 | 841-MRFE6VP61K25HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230HS | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,961.3997 5：¥1,917.6417 10：¥1,878.4818 25：¥1,850.706 50：¥1,783.4661 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZR08N120 | 747-IXZR08N120新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 08A 1200V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO PLUS 247 | 数据表 | 80 有库存 | 1：¥236.5155 5：¥229.4019 10：¥215.0226 25：¥198.8883 50：¥194.9805 100：¥182.7423 250：¥166.374 500：¥155.8908 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH60060D-GP4 | 941-CGH60060D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | PD55015S-E | 511-PD55015S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥156.2067 5：¥154.5921 10：¥144.1206 25：¥137.6154 100：¥123.084 250：¥117.4212 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1305HR5 | 841-MMRF1305HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000 MHz 100 W 50 V | 数据表 | 49 有库存 | 1：¥687.9951 5：¥674.6805 10：¥652.3452 25：¥624.7332 50：¥616.1688 100：¥573.1011 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF909WR,115 | 771-BF909WR115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.1301 10：¥3.4047 100：¥2.0709 1,000：¥1.6029 3,000：¥1.3689 9,000：¥1.2753 24,000：¥1.2051 45,000：¥1.1817 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD57070-E | 511-PD57070-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch | 数据表 | 无库存 | ：请求报价 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 |
 | J111,126 | 771-J111126新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single 40V 20mA | 数据表 | 无库存 | 1：¥5.2065 10：¥4.2705 100：¥2.7495 1,000：¥2.1996 2,500：¥1.872 10,000：¥1.8018 20,000：¥1.7199 50,000：¥1.6965 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD0030 | 772-QPD0030新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 45W GaN 48V | 数据表 | 250 有库存 | 1：¥277.29 25：¥232.3854 100：¥209.1375 250：¥193.6818 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MHT1002GNR3 | 841-MHT1002GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 915 MHz, 350 W, 48 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,469.0052 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF1K50GNR5 | 841-MRF1K50GNR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V | 数据表 | 46 有库存 | 1：¥1,499.6709 5：¥1,466.244 10：¥1,436.2569 25：¥1,415.0682 50：¥1,363.6701 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFX1K80H-230MHZ | 771-MRFX1K80H-230MHZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1800W - 230MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥10,005.8751 5：¥9,898.3989 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT18S260W31GSR3 | 841-AFT18S260W31GSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 50 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥908.7507 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PXAC192908FVV1R0XTMA1 | 726-PXAC192908FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥920.0061 100：¥873.9549 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MAPRST1214-30UF | 937-MAPRST1214-30UF新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 30W Gain:7.5dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,952.8353 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SK3079ATE12LQ | 757-2SK3079ATE12LQ新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥19.8081 10：¥15.9822 100：¥12.7764 500：¥11.2437 1,000：¥9.3366 2,000：¥8.6463 5,000：¥8.3421 10,000：¥8.0262 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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