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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF6V12500HR5 | 841-MRF6V12500HR5 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,829.9141 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | MRF1K50N-TF4 | 841-MRF1K50N-TF4新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF4 | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥10,005.8751 5：¥9,898.3989 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | AFT09MS031NR1 | 841-AFT09MS031NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ 13.6V | 数据表 | 981 有库存 | 1：¥104.1885 10：¥95.8464 25：¥91.5642 100：¥80.9289 250：¥72.2826 500：¥69.9192 1,000：¥64.1043 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | LET9060 | 511-LET9060新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD | 数据表 | 无库存 | 400：¥338.7969 | 最低： 400 倍数： 400 | |
 | BAR8602LRHE6327XTSA1 | 726-602LRHE6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | MRF422 | 937-MRF422新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB | 数据表 | 125 有库存 | 1：¥507.3939 10：¥487.8783 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55008S-E | 511-PD55008S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 209 有库存 | 1：¥120.1707 10：¥110.4597 25：¥105.8733 100：¥93.3192 250：¥88.7328 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXFC193808SVV1R250XTMA1 | 726-PXFC193808SVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MMRF1015NR1 | 841-MMRF1015NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 450-1500 MHz, 10 W, 28 V | 数据表 | 500 有库存 | 1：¥157.2012 5：¥150.3099 10：¥145.0332 25：¥126.5238 100：¥123.8445 250：¥118.638 500：¥109.161 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 275-501N16A-00 | 747-275-501N16A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-275 500V 16A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 55 有库存 | 1：¥188.253 5：¥182.6721 10：¥171.1944 25：¥158.3478 50：¥155.2824 100：¥145.4895 250：¥132.4089 500：¥124.0785 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLV11 | 974-BLV11新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥573.7095 10：¥478.0971 25：¥430.2792 50：¥382.473 100：¥344.2257 200：¥267.7311 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 193W H6327 | 726-BFP193WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 6815 有库存 | 1：¥3.2877 10：¥2.7846 100：¥1.6965 1,000：¥1.3104 3,000：¥1.11735 9,000：¥1.04013 24,000：¥0.98631 45,000：¥0.94068 99,000：¥0.91026 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF173 | 937-MRF173新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB | 数据表 | 92 有库存 | 1：¥347.6655 10：¥325.1079 25：¥312.858 50：¥300.7017 100：¥281.8881 250：¥263.0628 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD2942W | 511-SD2942W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz | 数据表 | 36 有库存 | 1：¥1,167.1569 5：¥1,139.0769 10：¥1,110.7746 25：¥1,095.2487 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | CGH40010F | 941-CGH40010F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt | 数据表 | 1157 有库存 | 1：¥447.3378 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC203302FVV1R250XTMA1 | 726-AC203302FVV1R250新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥880.1442 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF426 | 974-MRF426新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥292.2075 10：¥242.1783 25：¥235.4508 50：¥228.7233 100：¥174.33 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T26H160-24SR3 | 841-A2T26H160-24SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2496 - 2690 MHz, 28 W AVG, 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,023.9606 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFP 720F H6327 | 726-BFP720FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3135 有库存 | 1：¥3.8961 10：¥3.2409 100：¥1.9773 1,000：¥1.521 3,000：¥1.2987 9,000：¥1.2051 24,000：¥1.14777 45,000：¥1.12437 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6V14300HSR5 | 841-MRF6V14300HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,144.4462 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | 375-501N21A-00 | 747-375-501N21A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-375 21A 500V N Channel MOSFET | 数据表 | 58 有库存 | 1：¥170.4339 5：¥165.3093 10：¥154.8963 25：¥143.2782 50：¥140.517 100：¥131.7186 250：¥119.8665 500：¥112.3668 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF10H6600PSU | 771-BLF10H6600PSU新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF10H6600PS/LDMOST/STANDARD M | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,581.9102 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | MRF586 | 494-MRF586新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | ：请求报价 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 |
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