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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTFB090901FAV2R0XTMA1 | 726-PTFB090901FAV2R0 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥334.1286 100：¥302.8428 250：¥292.3596 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | CGH40035F | 941-CGH40035F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt | 数据表 | 72 有库存 | 1：¥1,257.1065 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU550XRR | 771-BFU550XRR新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 1835 有库存 | 1：¥2.7495 10：¥2.223 100：¥1.13958 1,000：¥0.85644 3,000：¥0.6201 9,000：¥0.56628 24,000：¥0.52767 45,000：¥0.48906 99,000：¥0.45864 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFC262808FVV1R0XTMA1 | 726-PTFC262808FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,067.859 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFU730F,115 | 771-BFU730F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | 数据表 | 16959 有库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.808 100：¥1.7082 1,000：¥1.3221 3,000：¥1.13256 9,000：¥1.05534 24,000：¥0.9945 45,000：¥0.9711 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ARF466AG | 494-ARF466AG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥371.0772 2：¥360.9801 5：¥350.9532 10：¥340.938 25：¥316.836 50：¥309.114 100：¥295.3431 250：¥269.9541 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7LS100U | 771-BLF2425M7LS100U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥746.5068 120：¥695.1087 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | AFT18P350-4S2LR6 | 841-AFT18P350-4S2LR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,146.5766 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | BFU550WF | 771-BFU550WF新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 10000 有库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.7729 100：¥1.6848 1,000：¥1.3104 2,500：¥1.10916 10,000：¥1.04013 25,000：¥0.97929 50,000：¥0.95589 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFT93,215 | 771-BFT93-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 PNP 12V 5GHZ | 数据表 | 34916 有库存 | 1：¥6.9615 10：¥5.7447 100：¥3.6972 1,000：¥2.9718 3,000：¥2.5038 9,000：¥2.4102 24,000：¥2.3166 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXFK240N25X3 | 747-IXFK240N25X3新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET | 数据表 | 76 有库存 | 1：¥168.2928 5：¥166.608 10：¥155.2824 25：¥148.3209 100：¥132.561 250：¥126.4419 500：¥120.4047 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | NESG270034-EV09-AZ | NESG270034-EV09-AZ新产品 | CEL | 射频(RF)双极晶体管 For NESG270034-AZ | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,051.8066 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | IXRFSM18N50 | 747-IXRFSM18N50新产品 | .[^>]*/29" target="_blank"> | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMPD RF Power MOSFET | 数据表 | 无库存 | 1：¥307.6632 5：¥298.4787 10：¥279.7353 25：¥258.7104 50：¥253.7379 100：¥237.744 250：¥216.4032 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD56120C | 511-SD56120C新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,376.4465 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | PTFB093608FVV3R0XTMA1 | 726-PTFB093608FVV3R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 无库存 | 50：¥1,029.0852 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | MRF5176 | 974-MRF5176新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥573.7095 10：¥478.0971 25：¥430.2792 50：¥382.473 100：¥344.2257 200：¥267.7311 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CFY2520PESZZZA1 | 726-CFY2520PESZZZA1新产品 | Infineon Technologies | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | 1214-32L | 494-1214-32L新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,232.2664 2：¥2,178.5634 5：¥2,146.6692 10：¥2,116.296 25：¥2,087.3034 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF10H6600PU | 771-BLF10H6600PU新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF10H6600P/LDMOST/STANDARD MA | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,581.9102 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | PTRA093608PV1V1R2HTMA1 | 726-PTRA093608PV1V1R新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 无库存 | 250：¥775.125 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | BFP 196W H6327 | 726-BFP196WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 553 有库存 | 1：¥3.6738 10：¥2.3517 100：¥1.00971 1,000：¥0.78039 3,000：¥0.58851 9,000：¥0.52767 24,000：¥0.49725 48,000：¥0.43641 99,000：¥0.4212 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 640 H6327 | 726-BFP640H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.9718 100：¥1.8135 1,000：¥1.404 3,000：¥1.2051 9,000：¥1.11735 24,000：¥1.05534 45,000：¥1.03311 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFC210202FCV1R0XTMA1 | 726-PTFC210202FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥353.4804 100：¥327.5532 250：¥318.1464 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | XF1001-SC-EV1 | 937-XF1001-SC-EV1新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 MIMIX 1W Packaged HFET Eval Module | 5 有库存 | 1：¥4,302.8271 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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