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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N6439 | 974-2N6439 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥665.5077 10：¥554.5917 25：¥499.122 50：¥443.664 100：¥399.2976 200：¥310.5648 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | PTFC270101MV1R1KXUMA1 | 726-PTFC270101MV1R1K新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 1：¥99.5202 10：¥91.5642 25：¥87.7383 100：¥77.337 250：¥73.5111 500：¥68.7726 1,000：¥63.1098 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | SD1224-02 | 974-SD1224-02新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 12 有库存 | 1：¥504.8667 10：¥420.7203 25：¥378.6471 50：¥336.5739 100：¥302.913 200：¥235.6029 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | CGHV14250F | 941-CGHV14250F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥2,813.6979 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB183404FV2R0XTMA1 | 726-PTFB183404FV2R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,105.2756 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | 0405SC-2200M | 494-0405SC-2200M新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥17,237.8323 | 最低： 5 倍数： 5 | 详细信息 |
.JPG) | PD84008L-E | 511-PD84008L-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 862 有库存 | 1：¥72.9729 10：¥66.0114 25：¥62.9577 100：¥54.6156 250：¥52.1703 500：¥47.5839 1,000：¥41.4648 3,000：¥39.9321 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF178P,112 | 771-BLF178P112新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR 1200W LDMOS | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,498.6764 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BFG35,115 | 771-BFG35-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ | 数据表 | 7913 有库存 | 1：¥7.5699 10：¥6.4233 100：¥4.9374 500：¥4.3641 1,000：¥3.4398 2,000：¥3.0537 10,000：¥2.9484 25,000：¥2.8431 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | QPD1015 | 772-QPD1015新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN | 数据表 | 39 有库存 | 1：¥1,032.6771 25：¥894.9915 100：¥772.5978 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | STAC4932B | 511-STAC4932B新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR 1000w/m 26dB N-Ch 123 MHz VHF/UHF | 数据表 | 无库存 | 80：¥816.8823 | 最低： 80 倍数： 80 | 详细信息 |
 | TAN350 | 494-TAN350新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥3,564.9549 | 最低： 25 倍数： 1 | |
 | CG2H80060D-GP4 | 941-CG2H80060D-GP4新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | ARF468BG | 494-ARF468BG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 50 有库存 | 1：¥371.0772 2：¥360.9801 5：¥350.9532 10：¥340.938 25：¥316.836 50：¥309.114 100：¥295.3431 250：¥269.9541 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | STAC3932B | 511-STAC3932B新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 80：¥816.8823 | 最低： 80 倍数： 80 | 详细信息 |
 | PXAC182002FCV1R250XTMA1 | 726-AC182002FCV1R250新产品 | Infineon / IR | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥516.7188 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BAS40T1SAMB4SA1 | 726-BAS40T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | BFR 193F H6327 | 726-BFR193FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.2175 10：¥2.2581 100：¥1.03311 1,000：¥0.7956 3,000：¥0.68094 9,000：¥0.6201 24,000：¥0.58149 48,000：¥0.52065 99,000：¥0.49725 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55035STR-E | 511-PD55035STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 600：¥180.9873 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
 | BFU710F,115 | 771-BFU710F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | 数据表 | 3726 有库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.808 100：¥1.7082 1,000：¥1.3221 3,000：¥1.13256 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 23A025 | 494-23A025新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥998.4897 | 最低： 50 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF25M612,118 | 771-BLF25M612118新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 19dB | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | AGR09130EF | 974-AGR09130EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 150Watt Gain 18dB | 无库存 | 10：¥789.8085 30：¥699.543 50：¥631.8468 100：¥609.2775 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 |
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