图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | ![]() |
供货情况 | 单价(含17%增值税) | 数量 | RoHS |
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![]() | BFP450H6327XTSA1 | 726-BFP450H6327XTSA1![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 7438 有库存 | 1:¥4.2456 10:¥3.5264 100:¥2.2736 1,000:¥1.8212 3,000:¥1.5428 9,000:¥1.4848 24,000:¥1.4268 45,000:¥1.4036 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
BFU660F,115 | 771-BFU660F115![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz | 数据表 | 4889 有库存 | 1:¥4.2456 10:¥3.48 100:¥2.1228 1,000:¥1.6472 3,000:¥1.4036 9,000:¥1.2992 24,000:¥1.2412 45,000:¥1.2064 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
![]() | MRF166C | 937-MRF166C![]() 新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB | 数据表 | 48 有库存 | 1:¥253.0772 10:¥252.474 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BFU590GX | 771-BFU590GX![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 5292 有库存 | 1:¥6.2988 10:¥5.3128 100:¥4.0832 500:¥3.6076 1,000:¥2.842 2,000:¥2.5288 10,000:¥2.436 25,000:¥2.3548 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | SMA5101-TL-H | 863-SMA5101-TL-H![]() 新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 Silicon Mono Linear Dble Balanced Mixer | 数据表 | 无库存 | 1:¥17.8988 10:¥15.1728 100:¥12.1336 500:¥10.6952 1,000:¥8.7928 3,000:¥8.2708 6,000:¥7.9576 9,000:¥7.5864 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BFR380L3E6327XTMA1 | 726-BFR380L3E6327XTM![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1:¥3.0392 10:¥2.1112 100:¥0.97092 1,000:¥0.75052 2,500:¥0.63684 10,000:¥0.58348 15,000:¥0.54636 45,000:¥0.48488 90,000:¥0.4698 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | A2T18H100-25SR3 | 841-A2T18H100-25SR3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1995 MHz, 15 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250:¥844.0276 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 |
![]() | MCH4016-TL-H | 863-MCH4016-TL-H![]() 新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 HIGH-FREQUENCY TR | 数据表 | 8990 有库存 | 1:¥3.1088 10:¥2.5752 100:¥1.5892 1,000:¥1.218 3,000:¥1.0614 9,000:¥0.986 24,000:¥0.9106 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
1014-12 | 494-1014-12![]() 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50:¥1,271.3948 | 最低: 50 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
![]() | AGR09130EF | 974-AGR09130EF![]() 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 150Watt Gain 18dB | 无库存 | 10:¥783.058 30:¥693.564 50:¥626.4464 100:¥604.07 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
![]() | BF861C,215 | 771-BF861C-T/R![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10mA | 数据表 | 2825 有库存 | 1:¥5.8348 10:¥4.8488 100:¥3.132 1,000:¥2.5056 3,000:¥2.1112 9,000:¥2.0416 24,000:¥1.9604 45,000:¥1.9256 | 最低: 1 倍数: 1 | |
A2T09D400-23NR6 | 841-A2T09D400-23NR6![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR 716-960 MHz, 93 W AVG., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150:¥930.3432 | 最低: 150 倍数: 150 | ||
![]() | MMRF1019NR4 | 841-MMRF1019NR4![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V | 数据表 | 100 有库存 | 1:¥579.2692 5:¥562.3564 10:¥550.304 25:¥527.2432 100:¥488.5688 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PXAC261212FCV1XWSA1 | 726-PXAC261212FCV1XW![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50:¥583.8976 100:¥543.7036 | 最低: 50 倍数: 50 | |
![]() | BFR 193F H6327 | 726-BFR193FH6327![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1:¥3.19 10:¥2.2388 100:¥1.02428 1,000:¥0.7888 3,000:¥0.67512 9,000:¥0.6148 24,000:¥0.57652 48,000:¥0.5162 99,000:¥0.493 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MRF1K50HR5 | 841-MRF1K50HR5![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V | 数据表 | 101 有库存 | 1:¥2,145.768 5:¥2,097.9064 10:¥2,054.9864 25:¥2,024.6408 50:¥1,951.1548 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
10502 | 494-10502![]() 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1:¥3,630.9508 5:¥3,402.976 | 最低: 1 倍数: 1 | ||
![]() | MMRF1318NR1 | 841-MMRF1318NR1![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband RF Power LDMOS Transistor 10-600 MHz, 300 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500:¥603.0144 | 最低: 500 倍数: 500 | ![]() 详细信息 |
PD55015S-E | 511-PD55015S-E![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1:¥154.8716 5:¥153.2708 10:¥142.8888 25:¥136.4392 100:¥122.032 250:¥116.4176 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
![]() | MMRF1305HSR5 | 841-MMRF1305HSR5![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000 MHz 100 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50:¥610.9024 100:¥568.2028 | 最低: 50 倍数: 50 | ![]() 详细信息 |
![]() | DME375A | 494-DME375A![]() 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 1:¥2,071.1336 2:¥2,021.3116 5:¥1,991.6504 10:¥1,963.5204 25:¥1,936.5968 50:¥1,803.80 | 最低: 1 倍数: 1 | |
![]() | BLA6G1011LS-200RG, | 771-BLA6G1011LS200RG![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 20:¥1,978.0088 40:¥1,950.3196 | 最低: 20 倍数: 20 | ![]() 详细信息 |
![]() | STAC2942FW | 511-STAC2942FW![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch | 数据表 | 19 有库存 | 1:¥667.3944 5:¥655.1912 10:¥625.6924 25:¥604.8356 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BF1204,135 | 771-BF1204135![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 10,000:¥1.7864 20,000:¥1.7052 50,000:¥1.682 | 最低: 10000 倍数: 10000 | ![]() 详细信息 |