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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF1K50N-TF4 | 841-MRF1K50N-TF4 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50N-TF4 | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥9,920.3548 5：¥9,813.7972 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PXAD184218FVV1R0XTMA1 | 726-PXAD184218FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10E | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,020.2896 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | IXRFSM12N100 | 747-IXRFSM12N100新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 SMPD RF Power MOSFET | 数据表 | 20 有库存 | 1：¥188.7668 5：¥183.1524 10：¥171.622 25：¥158.8156 50：¥155.7068 100：¥145.9164 250：¥132.7968 500：¥124.4564 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 3SK291(TE85L,F) | 757-3SK291TE85LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V | 数据表 | 2900 有库存 | 1：¥3.944 10：¥2.6216 100：¥1.4616 1,000：¥1.06952 3,000：¥0.91756 9,000：¥0.8642 24,000：¥0.7888 45,000：¥0.75864 99,000：¥0.72848 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFA091503ELV4XWSA1 | 726-PTFA091503ELV4XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | BFU530XRR | 771-BFU530XRR新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 2566 有库存 | 1：¥3.1088 10：¥2.5752 100：¥1.5892 1,000：¥1.218 3,000：¥1.0614 9,000：¥0.986 24,000：¥0.9106 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| GTVA220701FAV1R2XTMA1 | 726-GTVA220701FAV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 无库存 | 250：¥597.7016 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | BLP05H675XRY | 771-BLP05H675XRY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥460.578 5：¥450.2656 10：¥432.6684 25：¥418.7136 100：¥388.078 200：¥376.9304 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| PTFB192503ELV1R0XTMA1 | 726-PTFB192503ELV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥751.0536 100：¥699.3292 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PTVA123501ECV2R0XTMA1 | 726-PTVA123501ECV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,617.192 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF150 | 937-MRF150新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥371.8496 10：¥347.652 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 1214-32L | 494-1214-32L新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,213.1872 2：¥2,159.9432 5：¥2,128.3216 10：¥2,098.208 25：¥2,069.4632 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFT18H357-24NR6 | 841-AFT18H357-24NR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥888.3976 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | J108,126 | 771-J108126新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single "+/- 25V 80mA | 数据表 | 无库存 | 1：¥5.162 10：¥4.234 100：¥2.726 1,000：¥2.1808 2,500：¥1.856 10,000：¥1.7864 20,000：¥1.7052 50,000：¥1.682 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD2932 | 974-SD2932新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥1,047.5844 10：¥961.2804 25：¥862.692 50：¥764.092 100：¥690.1536 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| MMRF1304GNR1 | 841-MMRF1304GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥209.6236 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
| PXAC210552NDV1R5XUMA1 | 726-PXAC210552NDV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 500：¥218.5788 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | BFR 720L3RH E6327 | 726-BFR720L3RHE6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MHT1002NR3 | 841-MHT1002NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS TRANSIS 915MHz, 350W CW,50V | 数据表 | 6 有库存 | 1：¥1,638.5348 5：¥1,601.9832 10：¥1,569.2248 25：¥1,546.0944 50：¥1,489.9736 100：¥1,456.4496 250：¥1,456.4496 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1109R,215 | 771-BF1109R215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 11V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0948 10：¥3.3408 100：¥2.0416 1,000：¥1.5776 3,000：¥1.3456 9,000：¥1.2528 24,000：¥1.1948 45,000：¥1.16 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFA091503ELV4XWSA1 | 726-PTFA091503ELV4XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
| PH1516-100 | 937-PH1516-100新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 无库存 | 10：¥3,398.4288 | 最低： 10 倍数： 1 | ||
| PTRA094252FCV1R0XTMA1 | 726-PTRA094252FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 50：¥767.514 100：¥714.6528 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PXFC191507FCV1R250XTMA1 | 726-PXFC191507FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥458.9888 | 最低： 250 倍数： 250 |
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