图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | ![]() |
供货情况 | 单价(含17%增值税) | 数量 | RoHS |
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![]() | PTFA091503ELV4XWSA1 | 726-PTFA091503ELV4XW![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ![]() 详细信息 | ||
![]() | MMRF1015GNR1 | 841-MMRF1015GNR1![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 450-1500 MHz, 10 W, 28 V | 数据表 | 无库存 | 500:¥108.228 | 最低: 500 倍数: 500 | ![]() 详细信息 |
![]() | CGHV1J006D-GP4 | 941-CGHV1J006D![]() 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt | 数据表 | 170 有库存 | 10:¥254.8288 | 最低: 10 倍数: 10 | ![]() 详细信息 |
![]() | MMRF1009HSR5 | 841-MMRF1009HSR5![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50:¥3,666.3772 | 最低: 50 倍数: 50 | ![]() 详细信息 |
![]() | AT-32032-TR2G | 630-AT-32032-TR2G![]() 新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1:¥3.944 10:¥3.3988 100:¥2.2388 1,000:¥1.6472 2,500:¥1.4268 10,000:¥1.2992 20,000:¥1.2412 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MMRF1304NR1 | 841-MMRF1304NR1![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 1:¥264.538 5:¥252.8568 10:¥243.9828 25:¥212.8832 100:¥208.336 250:¥199.6128 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BF861B,215 | 771-BF861B-T/R![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10MA | 数据表 | 7711 有库存 | 1:¥5.8348 10:¥4.8488 100:¥3.132 1,000:¥2.5056 3,000:¥2.1112 9,000:¥2.0416 24,000:¥1.9604 45,000:¥1.9256 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | SD57120 | 511-SD57120![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp | 数据表 | 无库存 | 60:¥1,174.7784 | 最低: 60 倍数: 60 | ![]() 详细信息 |
![]() | SD3932 | 511-SD3932![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 90:¥1,154.6756 | 最低: 90 倍数: 90 | ![]() 详细信息 |
1517-110M | 494-1517-110M![]() 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 10:¥2,618.178 | 最低: 10 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
![]() | 475-102N20A-00 | 747-475-102N20A-00![]() 新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-475 1000V 20A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 56 有库存 | 1:¥408.784 5:¥393.5416 10:¥384.7372 25:¥360.702 50:¥348.7888 100:¥343.94 250:¥321.494 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BFG35,115 | 771-BFG35-T/R![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ | 数据表 | 5103 有库存 | 1:¥8.2708 10:¥7.0064 100:¥5.3824 500:¥4.7676 1,000:¥3.7584 2,000:¥3.3292 10,000:¥3.2132 25,000:¥3.1088 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BLC9G24LS-170AVY | 771-BLC9G24LS-170AVY![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 无库存 | 100:¥631.678 | 最低: 100 倍数: 100 | ![]() 详细信息 | |
![]() | CGHV40320D-GP4 | 941-CGHV40320D![]() 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ![]() 详细信息 | |
![]() | MRF221 | 974-MRF221![]() 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1:¥500.5516 10:¥417.1244 25:¥375.4108 50:¥333.6972 100:¥300.324 200:¥233.5892 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
![]() | MAPRST0912-350 | 937-MAPRST0912-350![]() 新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min | 数据表 | 2 有库存 | 1:¥3,375.9016 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PD85015TR-E | 511-PD85015TR-E![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1:¥154.8716 5:¥153.2708 10:¥142.8888 25:¥136.4392 100:¥122.032 250:¥116.4176 600:¥110.8032 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
MRF1K50NR5 | 841-MRF1K50NR5![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V | 数据表 | 96 有库存 | 1:¥1,835.6536 5:¥1,794.694 10:¥1,757.9916 25:¥1,732.054 50:¥1,669.1008 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
![]() | MMRF1015NR1 | 841-MMRF1015NR1![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 450-1500 MHz, 10 W, 28 V | 数据表 | 490 有库存 | 1:¥155.8576 5:¥149.0252 10:¥143.7936 25:¥125.4424 100:¥122.786 250:¥117.624 500:¥108.228 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MRF3866 | 974-MRF3866![]() 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1:¥34.1272 10:¥28.4432 25:¥25.5548 50:¥22.7476 100:¥20.4044 200:¥15.9268 500:¥14.4884 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MMRF1018NR1 | 841-MMRF1018NR1![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband RF Power LDMOS Transistor, 470-860 MHz, 90 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500:¥445.4168 | 最低: 500 倍数: 500 | ![]() 详细信息 |
![]() | BLW98 | 974-BLW98![]() 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 7 有库存 | 1:¥659.8196 10:¥549.8516 25:¥494.856 50:¥439.872 100:¥395.8848 200:¥307.9104 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MMRF1305HR5 | 841-MMRF1305HR5![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000 MHz 100 W 50 V | 数据表 | 24 有库存 | 1:¥682.1148 5:¥668.914 10:¥646.7696 25:¥619.3936 50:¥610.9024 100:¥568.2028 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | AFT09S200W02GNR3 | 841-AFT09S200W02GNR3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250:¥641.8396 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 |