图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | ![]() |
供货情况 | 单价(含17%增值税) | 数量 | RoHS |
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![]() | AFT09S220-02NR3 | 841-AFT09S220-02NR3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 900MHz 30W OM780-2L | 数据表 | 无库存 | 250:¥812.0232 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 |
![]() | BFP620H7764XTSA1 | 726-BFP620H7764XTSA1![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5260 有库存 | 1:¥4.2456 10:¥3.5148 100:¥2.1344 1,000:¥1.6588 3,000:¥1.4152 9,000:¥1.3108 24,000:¥1.2412 45,000:¥1.218 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MX0912B351Y | 974-MX0912B351Y![]() 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN | 数据表 | 无库存 | 1:¥4,754.3064 2:¥4,362.7368 5:¥3,915.2784 10:¥3,467.82 25:¥3,132.2204 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | NSVF3007SG3T1G | 863-NSVF3007SG3T1G![]() 新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN | 数据表 | 3000 有库存 | 1:¥4.2456 10:¥3.5264 100:¥2.2736 1,000:¥1.8212 3,000:¥1.5428 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | T2G6001528-SG | 772-T2G6001528-SG![]() 新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN | 数据表 | 5 有库存 | 1:¥802.0124 25:¥723.8284 100:¥653.2192 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | IXZR18N50 | 747-IXZR18N50![]() 新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 18A 500V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247 | 数据表 | 30 有库存 | 1:¥450.4164 5:¥433.5848 10:¥423.8756 25:¥397.4044 50:¥384.2848 100:¥378.9024 250:¥354.1712 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BLC8G27LS-100AVZ | 771-BLC8G27LS-100AVZ![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 1:¥608.0952 5:¥596.9476 10:¥570.0936 25:¥551.058 100:¥513.1376 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | 2SC5108-Y,LF | 757-2SC5108-YLF![]() 新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-frequency Bipolar Transistor | 数据表 | 1887 有库存 | 1:¥3.5612 10:¥2.3548 100:¥1.3688 1,000:¥0.986 3,000:¥0.83404 24,000:¥0.75864 45,000:¥0.68208 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PXAC241702FCV1XWSA1 | 726-PXAC241702FCV1XW![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50:¥563.1916 100:¥521.942 | 最低: 50 倍数: 50 | |
![]() | BG 3130 H6327 | 726-BG3130H6327![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFETS | 数据表 | 8900 有库存 | 1:¥3.19 10:¥2.4244 100:¥1.3108 1,000:¥0.986 3,000:¥0.84912 9,000:¥0.79576 24,000:¥0.72848 48,000:¥0.70528 99,000:¥0.67512 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | NSVF4015SG4T1G | 863-NSVF4015SG4T1G![]() 新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G | 数据表 | 无库存 | 1:¥4.3268 10:¥3.5612 100:¥2.1808 1,000:¥1.682 3,000:¥1.4384 9,000:¥1.334 24,000:¥1.2644 45,000:¥1.2412 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MRF8P20140WHSR3 | 841-MRF8P20140WHSR3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4 | 数据表 | 无库存 | 250:¥690.9076 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 |
![]() | A2T20H330W24NR6 | 841-A2T20H330W24NR6![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 71 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150:¥891.1352 | 最低: 150 倍数: 150 | |
![]() | IXZH16N60 | 747-IXZH16N60![]() 新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 600V 16A RF MOSFET TO-247 | 数据表 | 30 有库存 | 1:¥253.8428 5:¥246.2564 10:¥230.782 25:¥213.4864 50:¥209.322 100:¥196.2024 250:¥178.6052 500:¥167.3068 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MRFE6VP6300GSR5 | 841-MRFE6VP6300GSR5![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1.8-600 MHz 300 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50:¥657.3836 100:¥611.3548 | 最低: 50 倍数: 50 | ![]() 详细信息 |
![]() | ITC1100 | 494-ITC1100![]() 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 25:¥4,252.618 | 最低: 25 倍数: 1 | |
![]() | MMRF1316NR1 | 841-MMRF1316NR1![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 1:¥615.2176 5:¥603.316 10:¥583.364 25:¥558.714 50:¥550.9884 100:¥512.4532 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MRFE6VP5600HR6 | 841-MRFE6VP5600HR6![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H | 数据表 | 无库存 | 150:¥1,255.8508 | 最低: 150 倍数: 150 | ![]() 详细信息 |
![]() | NSVF4009SG4T1G | 863-NSVF4009SG4T1G![]() 新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G | 数据表 | 2833 有库存 | 1:¥4.2456 10:¥3.5264 100:¥2.2736 1,000:¥1.8212 3,000:¥1.5428 9,000:¥1.4848 24,000:¥1.4268 45,000:¥1.4036 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PXAD184218FVV1R2XTMA1 | 726-PXAD184218FVV1R2![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10E | 数据表 | 无库存 | 250:¥901.668 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 |
![]() | SD1458 | 974-SD1458![]() 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1:¥725.2668 10:¥665.5036 25:¥597.2492 50:¥528.9948 100:¥477.7924 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
![]() | BFP640ESDH6327XTSA1 | 726-BFP640ESDH6327![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 5830 有库存 | 1:¥4.3964 10:¥3.596 100:¥2.1924 1,000:¥1.6936 3,000:¥1.45 9,000:¥1.3456 24,000:¥1.276 45,000:¥1.2412 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PTVA120501EAV1R250XTMA1 | 726-PTVA120501EAV1R2![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 250:¥445.8692 | 最低: 250 倍数: 250 | |
![]() | BFU580GX | 771-BFU580GX![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 1925 有库存 | 1:¥6.2988 10:¥5.1736 100:¥3.3408 1,000:¥2.668 2,000:¥2.262 10,000:¥2.1808 25,000:¥2.088 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |