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021-31300595

RF晶体管

RF晶体管

有库存
符合RoHS
图像 樊伊零件编号 制造商零件编号 制造商 描述 供货情况 单价(含17%增值税) 数量 RoHS
AFT09S220-02NR3

AFT09S220-02NR3

841-AFT09S220-02NR3


新产品

NXP / Freescale

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 900MHz 30W OM780-2L

数据表

无库存
250¥812.0232

最低: 250

倍数: 250


详细信息
BFP620H7764XTSA1

BFP620H7764XTSA1

726-BFP620H7764XTSA1


新产品

Infineon Technologies

射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR

数据表

5260
有库存
1¥4.2456
10¥3.5148
100¥2.1344
1,000¥1.6588
3,000¥1.4152
9,000¥1.3108
24,000¥1.2412
45,000¥1.218

最低: 1

倍数: 1


详细信息
MX0912B351Y

MX0912B351Y

974-MX0912B351Y


新产品

Advanced Semiconductor, Inc.

射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN

数据表

无库存
1¥4,754.3064
2¥4,362.7368
5¥3,915.2784
10¥3,467.82
25¥3,132.2204

最低: 1

倍数: 1


详细信息
NSVF3007SG3T1G

NSVF3007SG3T1G

863-NSVF3007SG3T1G


新产品

ON Semiconductor

射频(RF)双极晶体管 RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN

数据表

3000
有库存
1¥4.2456
10¥3.5264
100¥2.2736
1,000¥1.8212
3,000¥1.5428

最低: 1

倍数: 1


详细信息
T2G6001528-SG

T2G6001528-SG

772-T2G6001528-SG


新产品

Qorvo

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN

数据表

5
有库存
1¥802.0124
25¥723.8284
100¥653.2192

最低: 1

倍数: 1


详细信息
IXZR18N50

IXZR18N50

747-IXZR18N50


新产品

IXYS

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 18A 500V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247

数据表

30
有库存
1¥450.4164
5¥433.5848
10¥423.8756
25¥397.4044
50¥384.2848
100¥378.9024
250¥354.1712

最低: 1

倍数: 1


详细信息
BLC8G27LS-100AVZ

BLC8G27LS-100AVZ

771-BLC8G27LS-100AVZ


新产品

NXP Semiconductors

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans

数据表

无库存
1¥608.0952
5¥596.9476
10¥570.0936
25¥551.058
100¥513.1376

最低: 1

倍数: 1


详细信息
2SC5108-Y,LF

2SC5108-Y,LF

757-2SC5108-YLF


新产品

Toshiba

射频(RF)双极晶体管 Radio-frequency Bipolar Transistor

数据表

1887
有库存
1¥3.5612
10¥2.3548
100¥1.3688
1,000¥0.986
3,000¥0.83404
24,000¥0.75864
45,000¥0.68208

最低: 1

倍数: 1


详细信息
PXAC241702FCV1XWSA1

PXAC241702FCV1XWSA1

726-PXAC241702FCV1XW


新产品

Infineon Technologies

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M

数据表

无库存
50¥563.1916
100¥521.942

最低: 50

倍数: 50

BG 3130 H6327

BG 3130 H6327

726-BG3130H6327


新产品

Infineon Technologies

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFETS

数据表

8900
有库存
1¥3.19
10¥2.4244
100¥1.3108
1,000¥0.986
3,000¥0.84912
9,000¥0.79576
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99,000¥0.67512

最低: 1

倍数: 1


详细信息
NSVF4015SG4T1G

NSVF4015SG4T1G

863-NSVF4015SG4T1G


新产品

ON Semiconductor

射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 100MA 12V FT=10G

数据表

无库存
1¥4.3268
10¥3.5612
100¥2.1808
1,000¥1.682
3,000¥1.4384
9,000¥1.334
24,000¥1.2644
45,000¥1.2412

最低: 1

倍数: 1


详细信息
MRF8P20140WHSR3

MRF8P20140WHSR3

841-MRF8P20140WHSR3


新产品

NXP / Freescale

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4

数据表

无库存
250¥690.9076

最低: 250

倍数: 250


详细信息
A2T20H330W24NR6

A2T20H330W24NR6

841-A2T20H330W24NR6


新产品

NXP / Freescale

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 71 W Avg., 28 V

数据表

无库存
150¥891.1352

最低: 150

倍数: 150

IXZH16N60

IXZH16N60

747-IXZH16N60


新产品

IXYS

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 600V 16A RF MOSFET TO-247

数据表

30
有库存
1¥253.8428
5¥246.2564
10¥230.782
25¥213.4864
50¥209.322
100¥196.2024
250¥178.6052
500¥167.3068

最低: 1

倍数: 1


详细信息
MRFE6VP6300GSR5

MRFE6VP6300GSR5

841-MRFE6VP6300GSR5


新产品

NXP / Freescale

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1.8-600 MHz 300 W 50 V

数据表

无库存
50¥657.3836
100¥611.3548

最低: 50

倍数: 50


详细信息
ITC1100

ITC1100

494-ITC1100


新产品

Microsemi

射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor

数据表

无库存
25¥4,252.618

最低: 25

倍数: 1

MMRF1316NR1

MMRF1316NR1

841-MMRF1316NR1


新产品

NXP / Freescale

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V

数据表

无库存
1¥615.2176
5¥603.316
10¥583.364
25¥558.714
50¥550.9884
100¥512.4532

最低: 1

倍数: 1


详细信息
MRFE6VP5600HR6

MRFE6VP5600HR6

841-MRFE6VP5600HR6


新产品

NXP / Freescale

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H

数据表

无库存
150¥1,255.8508

最低: 150

倍数: 150


详细信息
NSVF4009SG4T1G

NSVF4009SG4T1G

863-NSVF4009SG4T1G


新产品

ON Semiconductor

射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 40MA 3.5V FT=25G

数据表

2833
有库存
1¥4.2456
10¥3.5264
100¥2.2736
1,000¥1.8212
3,000¥1.5428
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24,000¥1.4268
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最低: 1

倍数: 1


详细信息
PXAD184218FVV1R2XTMA1

PXAD184218FVV1R2XTMA1

726-PXAD184218FVV1R2


新产品

Infineon Technologies

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10E

数据表

无库存
250¥901.668

最低: 250

倍数: 250


详细信息
SD1458

SD1458

974-SD1458


新产品

Advanced Semiconductor, Inc.

射频(RF)双极晶体管 RF Transistor 无库存
1¥725.2668
10¥665.5036
25¥597.2492
50¥528.9948
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最低: 1

倍数: 1


详细信息
BFP640ESDH6327XTSA1

BFP640ESDH6327XTSA1

726-BFP640ESDH6327


新产品

Infineon Technologies

射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS

数据表

5830
有库存
1¥4.3964
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100¥2.1924
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最低: 1

倍数: 1


详细信息
PTVA120501EAV1R250XTMA1

PTVA120501EAV1R250XTMA1

726-PTVA120501EAV1R2


新产品

Infineon Technologies

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V

数据表

无库存
250¥445.8692

最低: 250

倍数: 250

BFU580GX

BFU580GX

771-BFU580GX


新产品

NXP Semiconductors

射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor

数据表

1925
有库存
1¥6.2988
10¥5.1736
100¥3.3408
1,000¥2.668
2,000¥2.262
10,000¥2.1808
25,000¥2.088

最低: 1

倍数: 1


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