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BG 3130 H6327

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樊伊零件编号:
BG 3130 H6327
制造商零件编号:
726-BG3130H6327
说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFETS
寿命周期:
新产品: 此制造商的新产品。
0

规格

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Infineon Technologies
RF晶体管
 
N-Channel
25 mA
12 V
Si
24 dB
+ 150 C
SMD/SMT
SOT-363
Cut Tape
MouseReel
Reel
Dual
 
800 MHz
 
BG3130
 
RF Small Signal MOSFET
 
Infineon Technologies
 
200 mW
 
RF MOSFET Transistors
 
3000
 
MOSFETs
 
6 V
 
BG3130H6327XTSA1 BG313H6327XT SP000753494
 
6 mg
 
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