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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ARF477FL | 494-ARF477FL 新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 8 有库存 | 1：¥748.1214 2：¥724.9437 5：¥724.7097 10：¥701.3799 25：¥674.9145 50：¥665.8119 100：¥609.8859 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | MRF8P8300HSR6 | 841-MRF8P8300HSR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230HS | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,068.8535 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | BFP640ESDH6327XTSA1 | 726-BFP640ESDH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 5830 有库存 | 1：¥4.4343 10：¥3.627 100：¥2.2113 1,000：¥1.7082 3,000：¥1.4625 9,000：¥1.3572 24,000：¥1.287 45,000：¥1.2519 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF652S | 974-MRF652S新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 14 有库存 | 1：¥596.6532 10：¥497.2149 25：¥447.4899 50：¥397.7766 100：¥357.9966 200：¥278.4366 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR 193W H6327 | 726-BFR193WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 1295 有库存 | 1：¥2.9835 10：¥2.0709 100：¥0.95589 1,000：¥0.73476 3,000：¥0.62712 9,000：¥0.5733 24,000：¥0.53586 48,000：¥0.48204 99,000：¥0.45864 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | STAC2933 | 511-STAC2933新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 20dB 30MHz STAC N-Ch MOS RF 150MHz | 数据表 | 50 有库存 | 1：¥795.5415 5：¥780.9282 10：¥745.8282 25：¥720.9657 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFC262157FHV1R250XTMA1 | 726-PTFC262157FHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥741.9204 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | ARF448BG | 494-ARF448BG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 6 有库存 | 1：¥345.3723 5：¥326.7108 10：¥322.9551 25：¥298.6308 50：¥289.3059 100：¥279.9693 250：¥261.3078 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH55030F2 | 941-CGH55030F2新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt | 数据表 | 69 有库存 | 1：¥940.9608 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2V09H525-04NR6 | 841-A2V09H525-04NR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated power amplifier, 575-960 MHz, 525 W, 48 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,021.7376 | 最低： 150 倍数： 150 | |
 | STAC3933 | 511-STAC3933新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 350W 29dB 30MHz STAC N-Ch RF FET | 数据表 | 无库存 | 1：¥832.2561 5：¥817.0344 10：¥780.2496 25：¥754.2405 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1201WR,135 | 771-BF1201WR135新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0599 10：¥3.3228 100：¥2.0241 1,000：¥1.5678 2,500：¥1.3338 10,000：¥1.2519 20,000：¥1.1817 50,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLM8G0710S-45ABGY | 771-BLM8G0710S45ABGY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-Stage Power MMIC | 数据表 | 无库存 | 100：¥310.4946 200：¥299.8593 | 最低： 100 倍数： 100 | |
 | BFR843EL3E6327XTSA1 | 726-BFR843EL3E6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 14795 有库存 | 1：¥4.6683 10：¥3.861 100：¥2.3517 1,000：¥1.8135 2,500：¥1.5561 10,000：¥1.4508 15,000：¥1.3689 45,000：¥1.3338 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD2796 | 772-QPD2796新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V | 数据表 | 无库存 | 250：¥645.7698 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF8P9300HSR6 | 841-MRF8P9300HSR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-900 100W 28V NI1230HS | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,603.251 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | CGH27015F | 941-CGH27015F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt | 数据表 | 23 有库存 | 1：¥529.7292 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | VRF157FL | 494-VRF157FL新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 3 有库存 | 1：¥2,197.3068 2：¥2,144.4462 5：¥2,113.0902 10：¥2,083.1733 25：¥2,054.6487 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MMBT5401-G | 750-MMBT5401-G新产品 | Comchip Technology | 射频(RF)双极晶体管 VCEO=-150V IC=-600mA | 数据表 | 4622 有库存 | 1：¥2.2932 10：¥1.5327 100：¥0.68796 1,000：¥0.45864 3,000：¥0.38259 9,000：¥0.30654 99,000：¥0.22932 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T21H360-24SR6 | 841-A2T21H360-24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,202.4207 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | MRFE6VP8600HSR5 | 841-MRFE6VP8600HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,942.0479 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PXFC192207FHV3R250XTMA1 | 726-PXFC192207FHV3R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥646.3782 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | MDS1100 | 494-MDS1100新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥5,247.2277 | 最低： 25 倍数： 1 | 详细信息 |
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