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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MHT1006NT1 | 841-MHT1006NT1 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 728-2700 MHz 1.26 W Avg. 28 V | 数据表 | 824 有库存 | 1：¥99.5904 10：¥91.6461 25：¥87.5862 100：¥77.337 250：¥69.147 500：¥66.7836 1,000：¥61.2729 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BLF245 | 974-BLF245新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥550.7658 10：¥458.9676 25：¥413.0685 50：¥367.1694 100：¥330.4548 200：¥316.0755 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF6V2300NBR1 | 841-MRF6V2300NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W TO272WB4N | 数据表 | 264 有库存 | 1：¥1,089.3636 5：¥1,068.1749 10：¥1,032.9813 25：¥989.2233 50：¥975.6162 100：¥907.3818 250：¥886.9536 500：¥886.9536 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PD54008TR-E | 511-PD54008TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST | 数据表 | 无库存 | 1：¥120.1707 10：¥110.4597 25：¥105.8733 100：¥93.3192 250：¥88.7328 600：¥82.9998 1,200：¥76.1085 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | VRF157FLMP | 494-VRF157FLMP新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 无库存 | 1：¥4,110.0579 5：¥3,851.9676 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP5600HR5 | 841-MRFE6VP5600HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H | 数据表 | 24 有库存 | 1：¥1,425.0951 5：¥1,393.353 10：¥1,364.8167 25：¥1,344.7044 50：¥1,295.8218 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF455 | 937-MRF455新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB | 数据表 | 20 有库存 | 1：¥346.1328 10：¥333.4383 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2160 | 772-TGF2160新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE | 数据表 | 无库存 | 100：¥132.1047 300：¥123.4584 500：¥115.4322 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | BFP 650 H6327 | 726-BFP650H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 1029 有库存 | 1：¥3.6738 10：¥2.9952 100：¥1.8252 1,000：¥1.4157 3,000：¥1.2051 9,000：¥1.12437 24,000：¥1.06353 45,000：¥1.04013 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M9L30U | 771-BLF2425M9L30U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥509.9094 5：¥500.5845 10：¥487.656 25：¥478.0971 100：¥443.0556 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV27030S | 941-CGHV27030S新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 319 有库存 | 1：¥390.8853 250：¥390.8853 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF314 | 974-MRF314新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 6 有库存 | 1：¥436.0239 10：¥363.3552 25：¥327.015 50：¥290.6748 100：¥261.612 200：¥248.6133 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ITC1100 | 494-ITC1100新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥4,576.5954 5：¥4,289.2785 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFR 182W H6327 | 726-BFR182WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 6609 有库存 | 1：¥4.7385 10：¥3.1707 100：¥1.7784 1,000：¥1.2987 3,000：¥1.10916 9,000：¥1.05534 24,000：¥0.90207 45,000：¥0.87165 99,000：¥0.819 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC260602FCV1XWSA1 | 726-PXAC260602FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥504.8667 100：¥467.8362 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | BLF2425M6L180P,118 | 771-BLF2425M6L180P11新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,049.1975 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | PTVA120252MTV1R1KXUMA1 | 726-PTVA120252MTV1R1新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 1,000：¥111.15 | 最低： 1000 倍数： 1000 | 详细信息 |
 | BFR193WH6327XTSA1 | 726-BFR193WH6327XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2839 有库存 | 1：¥2.9835 10：¥2.0709 100：¥0.95589 1,000：¥0.73476 3,000：¥0.62712 9,000：¥0.5733 24,000：¥0.53586 48,000：¥0.48204 99,000：¥0.45864 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV40030F | 941-CGHV40030F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 96 有库存 | 1：¥1,149.5601 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP5300NR1 | 841-MRFE6VP5300NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥556.9551 5：¥540.7389 10：¥529.1091 25：¥506.9259 100：¥469.755 250：¥449.4789 500：¥435.942 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLC9G20LS-120VY | 771-BLC9G20LS-120VY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥463.0977 200：¥443.0556 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | AFV09P350-04GNR3 | 841-AFV09P350-04GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,490.2641 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | A2T20H330W24NR6 | 841-A2T20H330W24NR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 71 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥898.8174 | 最低： 150 倍数： 150 | |
 | MMBTH10RG | 512-MMBTH10RG新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor | 数据表 | 4472 有库存 | 1：¥2.9835 10：¥1.9071 100：¥0.819 1,000：¥0.63531 3,000：¥0.48204 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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