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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | A2T18S165-12SR3 | 841-A2T18S165-12SR3 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 48 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥634.9005 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BFU730LXZ | 771-BFU730LXZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 SiGe:C MMIC Transistor | 数据表 | 9846 有库存 | 1：¥3.744 10：¥2.808 100：¥1.521 1,000：¥1.13958 2,500：¥0.98631 10,000：¥0.91845 20,000：¥0.84123 50,000：¥0.81081 100,000：¥0.78039 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | QPD1003 | 772-QPD1003新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN | 数据表 | 19 有库存 | 1：¥6,379.6473 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF313 | 974-MRF313新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥344.2257 10：¥286.8606 25：¥258.1722 50：¥229.4838 100：¥206.5401 200：¥160.641 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV50200F | 941-CGHV50200F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | DU2840V | 937-DU2840V新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥610.6581 5：¥549.6192 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BLF2425M6L180P,112 | 771-BLF2425M6L180P1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,098.162 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MMRF1008GHR5 | 841-MMRF1008GHR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,978.5285 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | QPD1004SR | 772-QPD1004SR新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 25W 50V GaN | 数据表 | 139 有库存 | 1：¥612.7173 25：¥541.4292 100：¥478.4013 200：¥449.7129 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFX1K80H-88MHZ | 771-MRFX1K80H-88MHZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1800W - 87.5-108MHz | 数据表 | 1 有库存 | 1：¥10,005.8751 5：¥9,898.3989 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU550WX | 771-BFU550WX新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | 数据表 | 3424 有库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.7729 100：¥1.6848 1,000：¥1.3104 3,000：¥1.10916 9,000：¥1.04013 24,000：¥0.97929 45,000：¥0.95589 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF861A | 974-BLF861A新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 16 有库存 | 1：¥862.6293 25：¥803.7315 100：¥780.7059 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | VRF151G | 494-VRF151G新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 15 有库存 | 1：¥906.7617 2：¥878.6115 5：¥878.3892 10：¥850.005 25：¥818.0289 50：¥806.9373 100：¥739.1709 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFV121KGSR5 | 841-AFV121KGSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,896.7084 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFR 360F H6765 | 726-BFR360FH6765新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5970 有库存 | 1：¥2.9835 10：¥2.0709 100：¥0.95589 1,000：¥0.73476 3,000：¥0.62712 9,000：¥0.56628 24,000：¥0.53586 48,000：¥0.48204 99,000：¥0.45864 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ATF-331M4-BLK | 630-ATF-331M4-BLK新产品 | Broadcom / Avago | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs Low Noise | 数据表 | 无库存 | 1：¥23.7159 10：¥20.1942 100：¥17.5149 200：¥16.6023 500：¥14.9175 1,000：¥12.5424 2,000：¥11.934 5,000：¥11.4777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH40006S | 941-CGH40006S新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt | 数据表 | 355 有库存 | 1：¥225.7398 250：¥225.7398 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTRA093302FCV1R0XTMA1 | 726-PTRA093302FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥706.5045 100：¥657.8559 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | CE3520K3 | 551-CE3520K3新产品 | CEL | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C | 数据表 | 495 有库存 | 1：¥15.8301 10：¥12.3903 100：¥9.945 500：¥7.956 1,000：¥6.8328 2,500：¥6.4584 5,000：¥6.2244 10,000：¥6.084 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | HFA3134IHZ96 | 968-HFA3134IHZ96新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE | 数据表 | 无库存 | 1：¥47.4318 10：¥40.3182 100：¥34.9596 250：¥33.1227 500：¥29.7531 1,000：¥25.0848 3,000：¥23.868 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF7S24250NR3 | 841-MRF7S24250NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2450 MHz, 250 W, 32 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,209.6864 5：¥1,186.2045 10：¥1,147.0329 25：¥1,098.4662 50：¥1,083.3966 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF1K50H-TF3 | 841-MRF1K50H-TF3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF3 | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥10,005.8751 5：¥9,898.3989 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | AFT21S240-12SR3 | 841-AFT21S240-12SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 55 W AVG. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥755.8434 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
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