24小时服务热线
021-31300595
| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MDS60L | 494-MDS60L 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,709.1243 | 最低： 50 倍数： 1 |  详细信息 |
 | QPD1000 | 772-QPD1000新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN | 数据表 | 523 有库存 | 1：¥443.664 25：¥390.1248 100：¥344.2257 250：¥313.6302 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2080 | 772-TGF2080新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56% | 数据表 | 无库存 | 100：¥74.5056 300：¥69.615 500：¥65.0988 1,000：¥60.8166 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | PH2226-50M | 937-PH2226-50M新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥2,683.044 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFP 520 H6327 | 726-BFP520H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 7690 有库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.8431 100：¥1.7316 1,000：¥1.3338 3,000：¥1.13958 9,000：¥1.06353 24,000：¥1.00152 45,000：¥0.96408 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7L140,118 | 771-BLF2425M7L140118新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.45GHz 65V 17.5dB | 数据表 | 无库存 | 100：¥869.8248 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | PTFB091507FHV1R0XTMA1 | 726-PTFB091507FHV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥493.389 100：¥457.2126 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PTFB212503FLV2R0XTMA1 | 726-PTFB212503FLV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥757.5282 100：¥705.3579 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | SMA5101-TL-H | 863-SMA5101-TL-H新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 Silicon Mono Linear Dble Balanced Mixer | 数据表 | 无库存 | 1：¥18.0531 10：¥15.3036 100：¥12.2382 500：¥10.7874 1,000：¥8.8686 3,000：¥8.3421 6,000：¥8.0262 9,000：¥7.6518 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T2G4003532-FL | 772-T2G4003532-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN | 数据表 | 36 有库存 | 1：¥1,571.9652 25：¥1,418.6718 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PH3134-75S | 937-PH3134-75S新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,546.505 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PD84001 | 511-PD84001新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam | 数据表 | 无库存 | 1：¥20.4984 10：¥17.4447 100：¥13.923 500：¥12.2382 1,000：¥10.0971 2,500：¥9.4068 5,000：¥9.1026 10,000：¥8.7165 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2977-SM | 772-TGF2977-SM新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB | 数据表 | 132 有库存 | 1：¥184.7313 25：¥159.7986 100：¥138.2238 250：¥128.5128 500：¥119.4804 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH40025F | 941-CGH40025F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt | 数据表 | 178 有库存 | 1：¥918.3915 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFC260202FCV1XWSA1 | 726-PTFC260202FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥394.7112 100：¥365.8005 250：¥355.2354 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MMRF1312GSR5 | 841-MMRF1312GSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,896.7084 | 最低： 50 倍数： 50 | |
| MDS800 | 494-MDS800新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥4,088.097 | 最低： 25 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BFP 450 H6433 | 726-BFP450H6433新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.2822 10：¥3.5568 100：¥2.2932 1,000：¥1.8369 2,500：¥1.5561 10,000：¥1.4976 20,000：¥1.4391 50,000：¥1.4157 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MAPR-002731-115M00 | 937-MAPR002731115M00新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 2.7-2.9GHz Gain7.6dB 115W VSWR: 2.1 | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,505.1221 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2965-SM | 772-TGF2965-SM新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V | 数据表 | 123 有库存 | 1：¥344.2257 25：¥305.9784 100：¥267.7311 250：¥244.7874 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLW32 | 974-BLW32新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥550.7658 10：¥458.9676 25：¥413.0685 50：¥367.1694 100：¥330.4548 200：¥257.0256 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SK3476(TE12L,Q) | 757-2SK3476TE12LQ新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS | 数据表 | 137 有库存 | 1：¥45.5949 10：¥36.6444 100：¥33.4269 250：¥30.1392 500：¥27.0738 1,000：¥22.7916 2,000：¥21.7269 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
版权所有 Copyright(C)2009-2018 上海樊伊电子科技有限公司 沪ICP备16047676号
