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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BGR 420 H6327 | 726-BGR420H6327 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2970 有库存 | 1：¥5.0544 10：¥4.1301 100：¥2.5155 1,000：¥1.9539 3,000：¥1.6614 9,000：¥1.5444 24,000：¥1.4742 45,000：¥1.4274 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BFU550XRVL | 771-BFU550XRVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.9835 10：¥2.0709 100：¥0.94887 1,000：¥0.72657 2,500：¥0.6201 10,000：¥0.56628 25,000：¥0.52767 50,000：¥0.47385 100,000：¥0.45864 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T09D400-23NR6 | 841-A2T09D400-23NR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR 716-960 MHz, 93 W AVG., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥938.3634 | 最低： 150 倍数： 150 | |
 | JTDB25 | 494-JTDB25新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥2,405.754 | 最低： 25 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU550VL | 771-BFU550VL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.7729 100：¥1.6848 1,000：¥1.3104 2,500：¥1.10916 10,000：¥1.04013 25,000：¥0.97929 50,000：¥0.95589 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1304GNR1 | 841-MMRF1304GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥211.4307 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | ARF1511 | 494-ARF1511新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥1,454.4738 2：¥1,419.4323 5：¥1,398.6999 10：¥1,378.8918 25：¥1,359.9963 50：¥1,266.7473 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MS1226 | 494-MS1226新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥487.656 5：¥472.8906 10：¥458.9676 25：¥430.209 50：¥419.9598 100：¥410.1669 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1308HSR5 | 841-MMRF1308HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,295.8218 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | 0405SC-1500M | 494-0405SC-1500M新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥13,704.6195 | 最低： 5 倍数： 5 | |
 | AFT21S140W02GSR3 | 841-AFT21S140W02GSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,008.7389 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | ARF460BG | 494-ARF460BG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥320.9661 2：¥312.2496 5：¥303.6033 10：¥294.8868 25：¥274.0842 50：¥267.4269 100：¥255.4929 250：¥233.4618 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7L250P,112 | 771-BLF2425M7L250P11新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,348.9047 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BFP 405F H6327 | 726-BFP405FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3209 有库存 | 1：¥3.0654 10：¥2.5038 100：¥1.5327 1,000：¥1.1817 3,000：¥1.00971 9,000：¥0.94068 24,000：¥0.89505 45,000：¥0.87165 99,000：¥0.83421 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SC2714-O(TE85L,F) | 757-2SC2714-OTE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW | 数据表 | 3445 有库存 | 1：¥3.8961 10：¥2.2581 100：¥1.07055 1,000：¥0.82602 3,000：¥0.68094 9,000：¥0.6201 24,000：¥0.58149 45,000：¥0.52065 99,000：¥0.49725 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | AFT26H200W03SR6 | 841-AFT26H200W03SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz | 数据表 | 无库存 | 150：¥888.8724 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | NSVF6003SB6T1G | 863-NSVF6003SB6T1G新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 0.15A 12V FT=7G | 数据表 | 2790 有库存 | 1：¥4.8906 10：¥4.0365 100：¥2.5974 1,000：¥2.0826 3,000：¥1.755 9,000：¥1.6965 24,000：¥1.6263 45,000：¥1.6029 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF556A,235 | 771-BF556A235新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single "+/- 30V 7mA | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.6029 20,000：¥1.5327 50,000：¥1.5093 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
 | PD84002 | 511-PD84002新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR transistor LdmoST plastic fam | 数据表 | 1457 有库存 | 1：¥32.6664 10：¥27.7641 100：¥24.0201 250：¥22.7916 500：¥20.4984 1,000：¥17.2926 2,500：¥16.4502 5,000：¥15.8301 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZR16N60 | 747-IXZR16N60新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247 | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥249.444 5：¥241.956 10：¥226.8045 25：¥209.7459 50：¥205.6977 100：¥192.7692 250：¥175.4766 500：¥164.385 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD0050 | 772-QPD0050新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.6GHz GaN 75W 48V | 数据表 | 无库存 | 1：¥368.8542 25：¥322.7328 250：¥322.7328 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CG2H80030D-GP4 | 941-CG2H80030D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MMRF1009HSR5 | 841-MMRF1009HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,697.9839 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
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