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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PD55003S-E | 511-PD55003S-E 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1：¥96.0804 10：¥88.3467 25：¥84.6846 100：¥74.5875 250：¥70.9137 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | MRF8HP21080HR3 | 841-MRF8HP21080HR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 | 数据表 | 无库存 | 250：¥384.0057 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | PXFC212551SCV1R250XTMA1 | 726-FC212551SCV1R250新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | SS9018HBU | 512-SS9018HBU新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN/30V/50mA | 数据表 | 16498 有库存 | 1：¥1.6029 10：¥1.4625 100：¥0.52065 1,000：¥0.34398 2,000：¥0.26793 10,000：¥0.22932 25,000：¥0.20709 50,000：¥0.18369 100,000：¥0.15327 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU910FX | 771-BFU910FX新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon germanium RF trans | 数据表 | 5258 有库存 | 1：¥2.9016 10：¥2.3283 100：¥1.1934 1,000：¥0.89505 3,000：¥0.60489 9,000：¥0.53586 24,000：¥0.50544 45,000：¥0.44343 99,000：¥0.40599 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF904R,215 | 771-BF904R215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.1301 10：¥3.4281 100：¥2.0826 1,000：¥1.6146 3,000：¥1.3806 9,000：¥1.287 24,000：¥1.2168 45,000：¥1.1817 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP8600HR5 | 841-MRFE6VP8600HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V | 数据表 | 166 有库存 | 1：¥2,135.7999 5：¥2,088.1458 10：¥2,045.394 25：¥2,015.2548 50：¥1,942.0479 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTVA082407NFV1R5XUMA1 | 726-PTVA082407NFV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 500：¥392.7222 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | PD85015STR-E | 511-PD85015STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥156.2067 5：¥154.5921 10：¥144.1206 25：¥137.6154 100：¥123.084 250：¥117.4212 600：¥111.7584 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SK3557-6-TB-E | 863-2SK3557-6-TB-E新产品 | ON Semiconductor | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER | 数据表 | 10042 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.34 100：¥1.2753 1,000：¥0.95589 3,000：¥0.819 9,000：¥0.7722 24,000：¥0.70317 45,000：¥0.68094 99,000：¥0.65052 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTAC240502FCV1XWSA1 | 726-PTAC240502FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRFE6VP6600GNR3 | 841-MRFE6VP6600GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥717.21 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFS 17S H6327 | 726-BFS17SH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3465 有库存 | 1：¥3.8259 10：¥2.8665 100：¥1.5561 1,000：¥1.16298 3,000：¥1.00152 9,000：¥0.94068 24,000：¥0.86463 48,000：¥0.83421 99,000：¥0.7956 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | STAC3932F | 511-STAC3932F新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack | 数据表 | 无库存 | 80：¥720.9657 | 最低： 80 倍数： 80 | 详细信息 |
 | AFT18H357-24NR6 | 841-AFT18H357-24NR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805-1995 MHz, 63 W AVG., 28 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥896.0562 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | PXAC210552FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC210552FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 50：¥371.6856 100：¥344.5299 250：¥334.5849 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF6V14300HR5 | 841-MRF6V14300HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1400MHZ 50V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,144.4462 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | UF28100H | 937-UF28100H新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥1,558.2762 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BLF2425M7LS140,112 | 771-BLF2425M7LS1401新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 60：¥915.642 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | MRF6V10010NR4 | 841-MRF6V10010NR4新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5 | 数据表 | 无库存 | 1：¥508.0725 5：¥493.2369 10：¥482.6835 25：¥462.4074 100：¥428.5242 200：¥410.0148 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1312HSR5 | 841-MMRF1312HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥4,170.0321 5：¥4,105.9278 10：¥4,044.807 25：¥3,957.525 50：¥3,896.7084 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | 3SK293(TE85L,F) | 757-3SK293TE85LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V | 数据表 | 2752 有库存 | 1：¥4.1301 10：¥2.7495 100：¥1.5327 1,000：¥1.11735 3,000：¥0.96408 9,000：¥0.90207 24,000：¥0.82602 45,000：¥0.7956 99,000：¥0.76518 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRFE6VP61K25HR6 | 841-MRFE6VP61K25HR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H | 数据表 | 229 有库存 | 1：¥1,588.7196 5：¥1,553.3037 10：¥1,521.5499 25：¥1,499.0625 50：¥1,444.6809 100：¥1,412.1666 150：¥1,412.1666 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T1G4012036-FL | 772-T1G4012036-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 |
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