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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFP193E6327HTSA1 | 726-BFP193E6327HTSA1 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 2494 有库存 | 1：¥3.744 10：¥2.5974 100：¥1.1934 1,000：¥0.91845 3,000：¥0.78039 9,000：¥0.71136 24,000：¥0.66573 48,000：¥0.5967 99,000：¥0.5733 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | MRF6V2150NBR1 | 841-MRF6V2150NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W | 数据表 | 无库存 | 500：¥362.4309 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | PTVA123501ECV2R0XTMA1 | 726-PTVA123501ECV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,639.754 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | AFT05MP075NR1 | 841-AFT05MP075NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4 | 数据表 | 469 有库存 | 1：¥153.0711 10：¥140.751 25：¥134.55 100：¥118.872 250：¥106.1775 500：¥102.6558 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRFE6VS25NR1 | 841-MRFE6VS25NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2 | 数据表 | 1274 有库存 | 1：¥216.099 5：¥206.6103 10：¥199.3446 25：¥173.9439 100：¥170.1999 250：¥163.0863 500：¥150.0876 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFR 181 E6327 | 726-BFR181E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 8945 有库存 | 1：¥3.2175 10：¥2.2347 100：¥1.02492 1,000：¥0.78741 3,000：¥0.67275 9,000：¥0.61191 24,000：¥0.5733 48,000：¥0.51246 99,000：¥0.49725 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFA212001F V4 R250 | 726-PTFA212001FV4R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 2110-2170 MHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | PTFB211501EV1R0XTMA1 | 726-PTFB211501EV1R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥556.4988 100：¥515.7243 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MMRF1020-04GNR3 | 841-MMRF1020-04GNR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,680.6582 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | SD57060-10 | 511-SD57060-10新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 50：¥574.0137 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | PD57006STR-E | 511-PD57006STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor N Chnl | 数据表 | 无库存 | 1：¥123.8445 10：¥113.8995 25：¥109.161 100：¥96.1506 250：¥91.4121 600：¥85.5153 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | DSC2G02C0L | 667-DSC2G02C0L新产品 | Panasonic | 射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.9x2.8mm Gull wing | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.5272 10：¥1.6497 100：¥0.78039 500：¥0.58851 1,000：¥0.47385 3,000：¥0.35217 9,000：¥0.28314 24,000：¥0.26793 45,000：¥0.21411 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH40045F | 941-CGH40045F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt | 数据表 | 82 有库存 | 1：¥1,524.159 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLC8G27LS-100AVY | 771-BLC8G27LS-100AVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 100：¥517.5612 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
| MHT1004NR3 | 841-MHT1004NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 300 W, 32 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,179.009 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BLC8G21LS-160AVZ | 771-BLC8G21LS-160AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 60：¥670.8546 120：¥624.6513 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | SS9018GBU | 512-SS9018GBU新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN/30V/50mA | 数据表 | 28627 有库存 | 1：¥1.6029 10：¥1.07874 100：¥0.45162 1,000：¥0.30654 2,000：¥0.24453 10,000：¥0.20709 25,000：¥0.19071 50,000：¥0.18369 100,000：¥0.16029 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | J110,126 | 771-J110126新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single "+/- 25V 80mA | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥1.8018 20,000：¥1.7199 50,000：¥1.6965 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 |
 | ATF-50189-TR1 | 630-ATF-50189-TR1新产品 | Broadcom / Avago | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs High Linearity | 数据表 | 无库存 | 1：¥45.6651 10：¥41.8392 25：¥39.8502 100：¥34.6554 250：¥33.0408 500：¥30.1392 1,000：¥26.2431 3,000：¥25.3188 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | DME375A | 494-DME375A新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,088.9882 2：¥2,038.7367 5：¥2,008.8198 10：¥1,980.4473 25：¥1,953.2916 50：¥1,819.35 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | PTVA123501FCV1R0XTMA1 | 726-PTVA123501FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,639.6721 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PD57045TR-E | 511-PD57045TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1：¥396.396 5：¥387.5976 10：¥369.8487 25：¥354.3228 100：¥321.1299 250：¥310.0383 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRFE6VP6300HR3 | 841-MRFE6VP6300HR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 | 数据表 | 158 有库存 | 1：¥631.3086 5：¥613.0332 10：¥599.7888 25：¥574.6221 100：¥532.5606 250：¥499.5081 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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