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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | LET9045C | 511-LET9045C 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 45W 18.5dB 960MHz | 数据表 | 无库存 | 50：¥576.7749 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | MRF1K50HR5 | 841-MRF1K50HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V | 数据表 | 103 有库存 | 1：¥1,753.0227 5：¥1,713.933 10：¥1,678.9032 25：¥1,654.1226 50：¥1,594.0665 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T09VD300NR1 | 841-A2T09VD300NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast, RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 80 W Avg., 48 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥760.5819 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | MRF8P9210NR3 | 841-MRF8P9210NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 63W | 数据表 | 无库存 | 250：¥654.6384 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | SD3932 | 511-SD3932新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 90：¥1,164.6297 | 最低： 90 倍数： 90 | 详细信息 |
 | BFP 181 E7764 | 726-BFP181E7764新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 10775 有库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.34 100：¥0.87984 1,000：¥0.67275 3,000：¥0.51246 9,000：¥0.45864 24,000：¥0.42822 48,000：¥0.38259 99,000：¥0.36738 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 540FESD H6327 | 726-BFP540FESDH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5107 有库存 | 1：¥4.4343 10：¥3.6153 100：¥2.2113 1,000：¥1.7082 3,000：¥1.4508 9,000：¥1.3572 24,000：¥1.287 45,000：¥1.2519 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD85015S-E | 511-PD85015S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | ：请求报价 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 |
 | QPD1011SR | 772-QPD1011SR新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 7W 50V GaN | 数据表 | 100 有库存 | 1：¥344.2257 25：¥305.9784 100：¥267.7311 200：¥244.7874 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AT-31033-BLKG | 630-AT-31033-BLKG新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6738 10：¥3.159 100：¥2.0826 1,000：¥1.5327 2,500：¥1.3221 10,000：¥1.2168 25,000：¥1.16298 50,000：¥1.14777 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T18S160W31GSR3 | 841-A2T18S160W31GSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 32 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥770.1525 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MMRF2010NR1 | 841-MMRF2010NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥1,974.0942 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | PTFB210801FA V1 R250 | 726-PTFB210801FAV1R新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥328.4658 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | PTAC260302FCV1R250XTMA1 | 726-PTAC260302FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥422.1711 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | MRFX1K80HR5 | 771-MRFX1K80HR5新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS Transistor | 数据表 | 165 有库存 | 1：¥2,077.8966 5：¥2,027.8674 10：¥1,977.534 25：¥1,949.8518 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLM8G0710S-15PBGY | 771-BLM8G0710S15PBGY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-Stage Power MMIC | 数据表 | 无库存 | 100：¥209.9799 200：¥200.3391 | 最低： 100 倍数： 100 | |
 | BFG10/X,215 | 771-BFG10X215新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 8V 250mA 400mW 25 | 数据表 | 无库存 | 1：¥8.7984 10：¥7.4529 100：¥5.7213 500：¥5.0544 1,000：¥3.9897 3,000：¥3.5451 9,000：¥3.4047 24,000：¥3.2994 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF24300NR3 | 841-MRF24300NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2450 MHz, 300 W, 32 V | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥1,174.1886 5：¥1,151.397 10：¥1,113.3837 25：¥1,066.2561 50：¥1,051.6428 100：¥978.0615 250：¥956.0304 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLC9G20LS-240PVZ | 771-BLC9G20LS-240PVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 60：¥843.8859 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BF1102R,115 | 771-BF1102R115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥5.4288 10：¥4.5045 100：¥2.9016 1,000：¥2.3283 3,000：¥1.9656 9,000：¥1.8954 24,000：¥1.8252 45,000：¥1.7901 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | HFA3127BZ | 968-HFA3127BZ新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL | 数据表 | 541 有库存 | 1：¥61.5069 10：¥55.6101 25：¥53.0127 100：¥46.0512 250：¥43.9803 500：¥40.0842 1,000：¥34.9596 2,500：¥33.6609 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV1J025D-GP4 | 941-CGHV1J025D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | A2T14H450-23NR6 | 841-A2T14H450-23NR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1452-1511 MHz, 93 W AVG., 31 V | 数据表 | 无库存 | 150：¥838.071 | 最低： 150 倍数： 150 |
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