图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | ![]() |
供货情况 | 单价(含17%增值税) | 数量 | RoHS |
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![]() | LET9045C | 511-LET9045C![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 45W 18.5dB 960MHz | 数据表 | 无库存 | 50:¥576.7749 | 最低: 50 倍数: 50 | ![]() 详细信息 |
![]() | MRF1K50HR5 | 841-MRF1K50HR5![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V | 数据表 | 103 有库存 | 1:¥1,753.0227 5:¥1,713.933 10:¥1,678.9032 25:¥1,654.1226 50:¥1,594.0665 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | A2T09VD300NR1 | 841-A2T09VD300NR1![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast, RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 80 W Avg., 48 V | 数据表 | 无库存 | 500:¥760.5819 | 最低: 500 倍数: 500 | ![]() 详细信息 |
MRF8P9210NR3 | 841-MRF8P9210NR3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 63W | 数据表 | 无库存 | 250:¥654.6384 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 | |
![]() | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1![]() 新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ||
![]() | SD3932 | 511-SD3932![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 90:¥1,164.6297 | 最低: 90 倍数: 90 | ![]() 详细信息 |
![]() | BFP 181 E7764 | 726-BFP181E7764![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 10775 有库存 | 1:¥3.1356 10:¥2.34 100:¥0.87984 1,000:¥0.67275 3,000:¥0.51246 9,000:¥0.45864 24,000:¥0.42822 48,000:¥0.38259 99,000:¥0.36738 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BFP 540FESD H6327 | 726-BFP540FESDH6327![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5107 有库存 | 1:¥4.4343 10:¥3.6153 100:¥2.2113 1,000:¥1.7082 3,000:¥1.4508 9,000:¥1.3572 24,000:¥1.287 45,000:¥1.2519 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
PD85015S-E | 511-PD85015S-E![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | :请求报价 | 最低: 0 倍数: 0 | ![]() 详细信息 | |
![]() | QPD1011SR | 772-QPD1011SR![]() 新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 7W 50V GaN | 数据表 | 100 有库存 | 1:¥344.2257 25:¥305.9784 100:¥267.7311 200:¥244.7874 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | AT-31033-BLKG | 630-AT-31033-BLKG![]() 新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1:¥3.6738 10:¥3.159 100:¥2.0826 1,000:¥1.5327 2,500:¥1.3221 10,000:¥1.2168 25,000:¥1.16298 50,000:¥1.14777 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | A2T18S160W31GSR3 | 841-A2T18S160W31GSR3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 32 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250:¥770.1525 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 |
![]() | MMRF2010NR1 | 841-MMRF2010NR1![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500:¥1,974.0942 | 最低: 500 倍数: 500 | ![]() 详细信息 |
![]() | PTFB210801FA V1 R250 | 726-PTFB210801FAV1R![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250:¥328.4658 | 最低: 250 倍数: 250 | |
![]() | PTAC260302FCV1R250XTMA1 | 726-PTAC260302FCV1R2![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250:¥422.1711 | 最低: 250 倍数: 250 | |
![]() | MRFX1K80HR5 | 771-MRFX1K80HR5![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS Transistor | 数据表 | 165 有库存 | 1:¥2,077.8966 5:¥2,027.8674 10:¥1,977.534 25:¥1,949.8518 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BLM8G0710S-15PBGY | 771-BLM8G0710S15PBGY![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS 2-Stage Power MMIC | 数据表 | 无库存 | 100:¥209.9799 200:¥200.3391 | 最低: 100 倍数: 100 | |
![]() | BFG10/X,215 | 771-BFG10X215![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 8V 250mA 400mW 25 | 数据表 | 无库存 | 1:¥8.7984 10:¥7.4529 100:¥5.7213 500:¥5.0544 1,000:¥3.9897 3,000:¥3.5451 9,000:¥3.4047 24,000:¥3.2994 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MRF24300NR3 | 841-MRF24300NR3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2450 MHz, 300 W, 32 V | 数据表 | 30 有库存 | 1:¥1,174.1886 5:¥1,151.397 10:¥1,113.3837 25:¥1,066.2561 50:¥1,051.6428 100:¥978.0615 250:¥956.0304 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BLC9G20LS-240PVZ | 771-BLC9G20LS-240PVZ![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 60:¥843.8859 | 最低: 60 倍数: 60 | ![]() 详细信息 |
![]() | BF1102R,115 | 771-BF1102R115![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1:¥5.4288 10:¥4.5045 100:¥2.9016 1,000:¥2.3283 3,000:¥1.9656 9,000:¥1.8954 24,000:¥1.8252 45,000:¥1.7901 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | HFA3127BZ | 968-HFA3127BZ![]() 新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL | 数据表 | 541 有库存 | 1:¥61.5069 10:¥55.6101 25:¥53.0127 100:¥46.0512 250:¥43.9803 500:¥40.0842 1,000:¥34.9596 2,500:¥33.6609 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | CGHV1J025D-GP4 | 941-CGHV1J025D![]() 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ![]() 详细信息 | |
A2T14H450-23NR6 | 841-A2T14H450-23NR6![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1452-1511 MHz, 93 W AVG., 31 V | 数据表 | 无库存 | 150:¥838.071 | 最低: 150 倍数: 150 |