图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | ![]() |
供货情况 | 单价(含17%增值税) | 数量 | RoHS |
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![]() | PXAC200902FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC200902FCV1R0![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50:¥388.9782 100:¥360.4419 250:¥350.1108 | 最低: 50 倍数: 50 | ![]() 详细信息 |
![]() | 55GN01FA-TL-H | 863-55GN01FA-TL-H![]() 新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 70MA 10V FT=5.5 | 数据表 | 无库存 | 16,000:¥0.49725 24,000:¥0.46683 48,000:¥0.41301 96,000:¥0.3978 | 最低: 16000 倍数: 8000 | ![]() 详细信息 |
![]() | BLP05H6110XRY | 771-BLP05H6110XRY![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 100:¥476.4825 200:¥455.9022 | 最低: 100 倍数: 100 | |
![]() | BF771E6327HTSA1 | 726-BF771E6327HTSA1![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW | 数据表 | 8950 有库存 | 1:¥3.6738 10:¥2.574 100:¥1.1817 1,000:¥0.91026 3,000:¥0.7722 9,000:¥0.70317 24,000:¥0.65754 48,000:¥0.58851 99,000:¥0.56628 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MRF174 | 974-MRF174![]() 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 12 有库存 | 1:¥504.8667 10:¥420.7203 25:¥378.6471 50:¥336.5739 100:¥302.913 200:¥235.6029 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
MRF1535NT1 | 841-MRF1535NT1![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET TO-272N | 数据表 | 2344 有库存 | 1:¥169.5915 5:¥162.0918 10:¥156.429 25:¥136.539 100:¥133.5555 250:¥127.9746 500:¥117.7254 | 最低: 1 倍数: 1 | ||
![]() | BFY740B01ESB4SA1 | 726-BFY740B01ESB4SA1![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ||
![]() | AFT09S200W02SR3 | 841-AFT09S200W02SR3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 716-960 MHz, 41 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250:¥647.3727 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 |
![]() | MRF1004MB | 974-MRF1004MB![]() 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1:¥568.971 10:¥522.0774 25:¥468.5265 50:¥414.9873 100:¥374.8212 200:¥361.4364 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PH1214-80M | 937-PH1214-80M![]() 新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1:¥2,223.234 | 最低: 1 倍数: 1 | |
![]() | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1![]() 新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ||
![]() | PH1214-25M | 937-PH1214-25M![]() 新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 8 有库存 | 1:¥1,612.4355 | 最低: 1 倍数: 1 | |
![]() | MRFE6VS25GNR1 | 841-MRFE6VS25GNR1![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G | 数据表 | 1650 有库存 | 1:¥222.6042 5:¥212.7294 10:¥205.3116 25:¥179.1504 100:¥175.3245 250:¥167.9769 500:¥154.5219 | 最低: 1 倍数: 1 | |
![]() | PTFB193404FV1R250XTMA1 | 726-PTFB193404FV1R25![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250:¥1,004.9832 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 |
![]() | PH1090-550S | 937-PH1090-550S![]() 新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1:¥3,611.6145 | 最低: 1 倍数: 1 | |
![]() | BFU550AVL | 771-BFU550AVL![]() 新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 1:¥3.6738 10:¥2.3751 100:¥1.0179 1,000:¥0.78039 2,500:¥0.5967 10,000:¥0.52767 25,000:¥0.49725 50,000:¥0.44343 100,000:¥0.42822 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | CGH55015F2 | 941-CGH55015F2![]() 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt | 数据表 | 44 有库存 | 1:¥520.3107 10:¥492.2424 25:¥478.2492 50:¥471.2058 100:¥467.6841 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BFP 720 H6327 | 726-BFP720H6327![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3769 有库存 | 1:¥4.0599 10:¥3.3345 100:¥2.0358 1,000:¥1.5795 3,000:¥1.3455 9,000:¥1.2519 24,000:¥1.1817 45,000:¥1.15479 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | ARF1510 | 494-ARF1510![]() 新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 4 有库存 | 1:¥1,522.3221 2:¥1,485.6777 5:¥1,463.9508 10:¥1,443.2184 25:¥1,423.4922 50:¥1,325.8791 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BF861C,215 | 771-BF861C-T/R![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10mA | 数据表 | 2845 有库存 | 1:¥5.8851 10:¥4.8906 100:¥3.159 1,000:¥2.5272 3,000:¥2.1294 9,000:¥2.0592 24,000:¥1.9773 45,000:¥1.9422 | 最低: 1 倍数: 1 | |
![]() | MRFE6VP6300HR5 | 841-MRFE6VP6300HR5![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 | 数据表 | 无库存 | 1:¥740.3175 5:¥725.9382 10:¥701.9883 25:¥672.2352 50:¥663.0507 100:¥616.6251 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | T1G4004532-FS | 772-T1G4004532-FS![]() 新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB | 数据表 | 42 有库存 | 1:¥1,682.8812 25:¥1,518.8004 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | 1214-30 | 494-1214-30![]() 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 9 有库存 | 1:¥2,004.8418 2:¥1,956.6612 5:¥1,928.043 10:¥1,900.7352 25:¥1,874.6559 50:¥1,746.1431 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PTFC210202FCV1XWSA1 | 726-PTFC210202FCV1XW![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 |