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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTFB092707FHV1R250XTMA1 | 726-PTFB092707FHV1R2 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥665.2737 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | 1214-220M | 494-1214-220M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,654.2152 5：¥2,487.5253 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
.JPG) | PD85006L-E | 511-PD85006L-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic | 数据表 | 无库存 | 3,000：¥37.9431 | 最低： 3000 倍数： 3000 | 详细信息 |
 | AT-31011-TR1G | 630-AT-31011-TR1G新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.978 10：¥3.4281 100：¥2.2581 1,000：¥1.6614 3,000：¥1.4391 9,000：¥1.3104 24,000：¥1.2519 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BXY42TESN1SA1 | 726-BXY42TESN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRF10031 | 937-MRF10031新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥886.1931 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | A2T18S165-12SR3 | 841-A2T18S165-12SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 48 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥634.9005 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | PD20010TR-E | 511-PD20010TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann | 数据表 | 无库存 | 600：¥95.9985 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
 | MMRF5300NR5 | 841-MMRF5300NR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2700-3500 MHz, 60 W PEAK, 50V WIDEBAND RF POWER GaN TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,636.4439 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | DME800 | 494-DME800新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥3,463.2936 | 最低： 25 倍数： 1 | |
 | BXY43TSAMB4SA1 | 726-BXY43TSAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | 2SK3475TE12LF | 757-2SK3475TE12LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS | 数据表 | 923 有库存 | 1：¥17.3628 10：¥13.9932 100：¥11.1735 500：¥9.7929 1,000：¥8.1081 2,000：¥7.5465 5,000：¥7.2657 10,000：¥6.9849 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFC261402FCV1R0XTMA1 | 726-PTFC261402FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥594.5121 100：¥553.5972 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PXAC213308FVV1R2XTMA1 | 726-PXAC213308FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥812.9862 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF141G | 937-MRF141G新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB | 数据表 | 56 有库存 | 1：¥1,201.9644 10：¥1,175.031 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFG35003N6AT1 | 841-MRFG35003N6AT1新产品 | NXP / Freescale | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 | 数据表 | 998 有库存 | 1：¥102.96 10：¥94.6296 25：¥90.4878 100：¥79.9344 250：¥71.4402 500：¥69.0768 1,000：¥63.3321 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | SD57120 | 511-SD57120新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,262.7693 5：¥1,232.4078 10：¥1,201.7304 25：¥1,184.9058 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP520H6327XTSA1 | 726-BFP520H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5519 有库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.8431 100：¥1.7316 1,000：¥1.3338 3,000：¥0.9945 9,000：¥0.87165 24,000：¥0.80262 45,000：¥0.7722 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB213208SVV1XWSA1 | 726-PTFB213208SVV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MMRF1314GSR5 | 841-MMRF1314GSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,787.7921 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | AFV09P350-04NR3 | 841-AFV09P350-04NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,490.2641 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | AFT09MP055GNR1 | 841-AFT09MP055GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4G | 数据表 | 无库存 | 500：¥201.942 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | VRF2933MP | 494-VRF2933MP新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 12 有库存 | 1：¥1,567.449 2：¥1,529.7399 5：¥1,507.3227 10：¥1,485.9819 25：¥1,465.6356 50：¥1,365.2028 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MT3S113(TE85L,F) | 757-MT3S113TE85LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 800mW | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 |
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