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PD85006L-E

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樊伊零件编号：
PD85006L-E
制造商零件编号：
511-PD85006L-E
制造商:
STMicroelectronics
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
寿命周期:
新产品: 此制造商的新产品。
 
数据表品。
0

规格

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STMicroelectronics
射频晶体管
详细信息
 
N-Channel
2 A
40 V
Si
15 dB at 870 MHz
6 W
- 65 C
+ 150 C
SMD/SMT
PowerFLAT (5x5)
Reel
Single
 
1 GHz
 
PD85006L-E
 
RF Power MOSFET
 
STMicroelectronics
 
Enhancement
 
Yes
 
20.8 W
 
3000
 
15 V
 
3 g
 
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