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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AFT20S015GNR1 | 841-AFT20S015GNR1 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G | 数据表 | 183 有库存 | 1：¥181.2915 5：¥173.2653 10：¥167.2164 25：¥145.9575 100：¥142.8102 250：¥136.773 500：¥125.8335 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BF1109R,215 | 771-BF1109R215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 11V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.1301 10：¥3.3696 100：¥2.0592 1,000：¥1.5912 3,000：¥1.3572 9,000：¥1.2636 24,000：¥1.2051 45,000：¥1.17 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | PTFB182503ELV1R0XTMA1 | 726-PTFB182503ELV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥757.5282 100：¥705.3579 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFU520AR | 771-BFU520AR新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.0654 10：¥2.5272 100：¥1.5327 1,000：¥1.1934 3,000：¥1.0179 9,000：¥0.94887 24,000：¥0.89505 45,000：¥0.87165 99,000：¥0.84123 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF178XRS,112 | 771-BLF178XRS112新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 3-128MHz 110V 28dB | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,498.6764 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
| BF1208,115 | 771-BF1208115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥5.2065 10：¥4.2705 100：¥2.7495 1,000：¥2.1996 4,000：¥1.872 8,000：¥1.8018 24,000：¥1.7199 48,000：¥1.6965 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55035-E | 511-PD55035-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch | 数据表 | 无库存 | 1：¥253.0476 5：¥250.4385 10：¥233.3799 25：¥222.9084 100：¥199.3446 250：¥190.1601 500：¥180.9873 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 650F H6327 | 726-BFP650FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5540 有库存 | 1：¥4.1301 10：¥3.4047 100：¥2.0826 1,000：¥1.6029 3,000：¥1.3689 9,000：¥1.2753 24,000：¥1.2051 45,000：¥1.1817 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2731-20 | 494-2731-20新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,877.6394 2：¥1,832.5008 5：¥1,805.6493 10：¥1,780.1082 25：¥1,755.702 50：¥1,635.3792 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT26H050W26SR3 | 841-AFT26H050W26SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.6GHZ50W NI780-4L4L | 数据表 | 无库存 | 250：¥607.0662 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFU530R | 771-BFU530R新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 7883 有库存 | 1：¥3.4398 10：¥2.8431 100：¥1.7316 1,000：¥1.3338 3,000：¥1.13958 9,000：¥1.06353 24,000：¥1.00971 45,000：¥0.98631 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PBR941B,215 | 771-PBR941B215新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 Single NPN 10V 50mA 360mW 100 9GHz | 数据表 | 5652 有库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.7729 100：¥1.6848 1,000：¥1.3104 3,000：¥1.10916 9,000：¥1.04013 24,000：¥0.97929 45,000：¥0.95589 99,000：¥0.92547 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 540 H6327 | 726-BFP540H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 1570 有库存 | 1：¥4.3641 10：¥3.5919 100：¥2.1996 1,000：¥1.6965 3,000：¥1.4508 9,000：¥1.3455 24,000：¥1.2753 48,000：¥1.2519 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T1G3000532-SM | 772-T1G3000532-SM新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3.5GHz PAE 64.7% P3dB 5.7W @3GHz 32V | 数据表 | 55 有库存 | 1：¥520.1586 25：¥497.2149 100：¥405.4167 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7L100J | 771-BLF2425M7L100J新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥695.1087 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | MRF6V2010NR1 | 841-MRF6V2010NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W TO270-2N | 数据表 | 1609 有库存 | 1：¥156.5109 5：¥149.6196 10：¥144.3429 25：¥125.9856 100：¥123.3063 250：¥118.1115 500：¥108.693 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRF173 | 974-MRF173新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥481.9113 10：¥401.6025 25：¥361.4364 50：¥321.282 100：¥289.1538 200：¥224.8974 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF909,235 | 771-BF909235新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.212 10：¥3.4749 100：¥2.1294 1,000：¥1.6497 2,500：¥1.404 10,000：¥1.3104 20,000：¥1.2402 50,000：¥1.2051 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB182503FLV2R0XTMA1 | 726-PTFB182503FLV2R新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥757.5282 100：¥705.3579 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | CGHV14500F | 941-CGHV14500F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt | 数据表 | 8 有库存 | 1：¥4,689.4302 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2942 | 772-TGF2942新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 2Watt NF 1.2dB GaN | 数据表 | 无库存 | 50：¥121.1652 100：¥107.0901 250：¥99.5904 500：¥92.6406 1,000：¥86.1354 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFS483H6327XTSA1 | 726-BFS483H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.9725 10：¥4.095 100：¥2.6442 1,000：¥2.1177 3,000：¥1.7901 9,000：¥1.7199 24,000：¥1.6497 45,000：¥1.6263 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU520XRR | 771-BFU520XRR新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 6000 有库存 | 1：¥3.744 10：¥2.9016 100：¥1.6029 1,000：¥1.2285 3,000：¥1.07055 9,000：¥0.9945 24,000：¥0.91845 45,000：¥0.84123 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 842ESD H6327 | 726-BFP842ESDH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 1589 有库存 | 1：¥3.5919 10：¥2.925 100：¥1.7901 1,000：¥1.3806 3,000：¥1.1817 9,000：¥1.09395 24,000：¥1.04013 45,000：¥1.0179 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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